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[글로벌 핫이슈] 삼성전자, AI 메모리에 '올인'⋯엑시노스·파운드리 축소로 체질 개선
- 삼성전자가 글로벌 반도체 시장 재편 흐름 속에 대규모 사업 구조 개편에 나섰다. 엑시노스 프로세서와 수익성이 떨어진 파운드리 부문을 축소하고, 인공지능(AI) 시대의 핵심 부품으로 부상한 고대역폭 메모리(HBM)에 역량을 집중하는 전략이다. 업계에 따르면, 삼성은 대만 TSMC와의 점유율 격차를 좁히고 SK하이닉스가 선점한 HBM 시장을 추격하기 위해 '선택과 집중' 카드를 꺼냈다. AI 수요 폭증 속 HBM에 집중 삼성의 전환 배경에는 AI 데이터센터 시장의 급격한 성장세가 자리한다. 대규모 언어 모델(LLM) 등 초거대 AI의 확산으로 GPU 연산량이 급증하면서 HBM의 필요성이 전례 없이 커졌다. 그러나 파운드리 사업은 위기를 맞았다. 시장 점유율이 TSMC 56% 대 삼성 11~13%로 벌어졌고, 구형 공정 가동률 하락으로 올해 1분기 이익이 21% 감소했다. 삼성은 비용 구조 효율화를 통해 확보한 자금을 첨단 패키징과 HBM 증설에 집중 투입하고 있다. 인력 재배치·가격 공세로 추격 삼성은 인력 재배치로 방향 전환을 가속화하고 있다. 미국 IT 전문 매체 PC 게이머는 삼성이 엑시노스 개발 인력을 줄이고, HBM 전문 인력을 적극 채용 중이라고 전했다. 이는 단순한 인력 이동을 넘어 AI 메모리를 차세대 성장 동력으로 삼겠다는 강한 의지로 해석된다. 가격 전략도 한층 공격적이다. SK하이닉스가 엔비디아 공급망을 장악한 현 HBM 시장 구도에서 삼성이 차세대 HBM3E 가격을 대폭 인하하며 점유율 확대를 노리고 있다. 이 전략은 엔비디아뿐 아니라 AMD, 구글, 오픈AI 등 대형 고객사를 확보하기 위한 포석이다. 삼성은 HBM3E 양산을 본격화하고, 2026년 상용화를 목표로 HBM4 개발에도 속도를 내는 동시에 첨단 패키징 기술 강화에 투자하고 있다. 초기 성과와 시장 반응 초기 성과도 나타나고 있다. 대만 디지타임스는 삼성 파운드리 가동률이 AI 칩 수요 증가로 반등했으며, 4나노 이상 공정 라인은 최대 가동률을 기록 중이라고 보도했다. 특히 테슬라와의 165억 달러 규모 AI6 칩 생산 계약은 자동차 AI 시장에서 삼성의 영향력이 확대되고 있음을 보여준다. 수율·수요 변동성은 여전한 리스크 다만 과제도 적지 않다. HBM은 TSV(실리콘 관통 전극) 공정 난도가 높아 수율 안정화가 핵심이며, AI 투자 열풍이 꺾일 경우 대규모 설비 투자가 부담으로 돌아올 가능성이 있다. 파운드리 부문에서 TSMC와의 2~3나노 공정 격차와 엑시노스 브랜드 경쟁력 약화로 인한 퀄컴 의존도 심화 역시 풀어야 할 숙제로 꼽힌다. 삼성의 이번 구조 개편은 SK하이닉스와 함께 AI 메모리 시장의 양강 체제를 구축하기 위한 승부수로 평가된다. 업계는 향후 삼성의 전략 성공 여부가 △수율 개선 △공격적인 가격 정책의 지속 가능성 △엔비디아·테슬라 등 주요 고객사와의 장기 파트너십 확보에 달려 있다고 보고 있다.
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[글로벌 핫이슈] 삼성전자, AI 메모리에 '올인'⋯엑시노스·파운드리 축소로 체질 개선
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삼성전자, 23조원 파운드리 수주⋯AI반도체로 부진 탈출 신호
- 삼성전자가 23조 원 규모의 반도체 위탁생산(파운드리) 공급 계약을 체결하며, 부진에 빠졌던 파운드리 사업의 전환점을 맞고 있다. 삼성전자는 28일 공시를 통해 글로벌 대형 고객사와 총 22조7,648억 원 규모의 장기 공급 계약을 체결했다고 밝혔다. 계약 기간은 2024년 7월 24일부터 2033년 12월 31일까지로, 삼성전자 총매출의 7.6%에 해당하는 대형 계약이다. 계약 상대는 비공개지만 업계에선 미국 빅테크 기업으로 보고 있다. 이번 수주는 미국 테일러 공장의 양산 가동과 파운드리 첨단 공정 수율 개선이 맞물린 성과로 분석된다. [미니해설] 삼성전자, 23조 원 파운드리 대형 수주…첨단 공정 수율 개선에 부진 탈출 신호 삼성전자가 약 23조 원 규모의 초대형 반도체 위탁생산(파운드리) 계약을 체결하면서, 수년간 이어진 사업 부진을 벗어날 계기를 마련했다. 이번 수주는 단일 고객과의 계약으로는 반도체 부문 역대 최대급 규모로, 향후 테일러 공장 가동과 인공지능(AI) 수요 확대 흐름을 선점하는 데 중요한 기반이 될 것으로 평가된다. 삼성전자는 28일 금융감독원 전자공시를 통해 글로벌 대형 고객사와 22조 7648억 원 규모의 파운드리 공급 계약을 체결했다고 밝혔다. 계약 기간은 2024년 7월 24일부터 2033년 12월 31일까지 총 8년 이상으로, 장기 공급 안정성이 확보된 대형 프로젝트다. 이는 작년 삼성전자 전체 매출(300조 8709억 원)의 7.6%에 해당하는 규모다. 삼성전자는 계약 상대를 경영상 보안 사유로 공개하지 않았으나, 업계에서는 미국의 주요 빅테크 기업일 것으로 추정하고 있다. 이번 수주에 따라 삼성은 해당 고객사의 인공지능(AI) 반도체를 양산하게 되며, 생산은 내년 본격 가동 예정인 미국 텍사스주 테일러 파운드리 공장에서 이뤄질 가능성이 크다. 이번 계약은 삼성 파운드리의 첨단 공정 수율이 일정 수준에 도달했음을 방증하는 결과로 해석된다. 업계 관계자는 "삼성의 3나노 이하 공정 수율이 과거에 비해 안정화된 것으로 보인다"며 "특히 미국 테일러 공장을 중심으로 대형 고객사를 위한 맞춤형 생산 능력을 확보한 점이 수주 성과로 이어졌을 것"이라고 분석했다. 삼성전자는 최근까지 파운드리 부문에서 수조 원대 분기 손실을 지속하며 실적에 부담을 안겨왔다. 실제로 올해 2분기 잠정 실적에서 영업이익 4조 6000억 원을 기록했지만, 반도체 부문을 담당하는 DS(디바이스솔루션) 부문의 실질 영업이익은 1조 원 미만일 것으로 시장은 추정하고 있다. 이러한 실적 저하의 주요 원인으로 파운드리 부문의 지속적인 적자가 지목되어 왔다. 이러한 가운데 체결된 이번 대규모 장기 계약은 삼성전자의 파운드리 사업 회복 가능성을 보여주는 '터닝포인트'로 해석된다. 최근 글로벌 반도체 시장에서 AI 반도체 수요가 급격히 확대되면서, 파운드리 경쟁은 한층 치열해지고 있다. TSMC가 시장점유율을 선도하고 있는 상황에서, 삼성전자가 의미 있는 대형 고객을 확보했다는 점은 중장기적 경쟁 구도에도 변화를 줄 수 있는 신호다. 삼성전자는 기존 평택 캠퍼스와 미국 테일러 공장을 축으로 차세대 파운드리 전략을 강화하고 있다. 테일러 공장은 2024년 하반기 본격 양산을 목표로 1세대 4나노급 공정을 도입하며, 향후 2세대 3나노 GAA(게이트올어라운드) 기술 적용도 예고하고 있다. 이번 계약에 따라 테일러 공장은 실제 대규모 고객 수주를 기반으로 조기 안정화될 수 있을 것으로 기대된다. 향후 삼성전자의 파운드리 실적 반등과 첨단 공정 경쟁력 회복 여부는 이 계약의 수행 능력과 함께, 공정 수율 안정화, 고객 신뢰 회복, 기술 로드맵 이행 등과 밀접하게 연관될 것으로 보인다. 특히 GAA 공정에서의 안정성과 전력 효율성 확보는 AI 반도체 수요가 급증하는 현 시점에서 삼성전자의 핵심 차별화 요소가 될 전망이다. 업계에서는 이번 수주를 계기로 삼성전자가 AI 반도체 시장의 공급 허브로 자리매김할 수 있을지, 그리고 글로벌 고객 다변화와 수익성 회복에 얼마나 빠르게 성공할 수 있을지 주목하고 있다.
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삼성전자, 23조원 파운드리 수주⋯AI반도체로 부진 탈출 신호
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TSMC, 1.4나노 반도체 공장 올해 착공⋯초미세공정 선점 시동
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 대만 TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)가 올해 말 최첨단 1.4나노 공정 반도체 생산공장 착공에 나선다. 21일 대만 자유시보 등에 따르면, 대만 국가과학기술위원회는 중부 타이중 과학단지에 해당 공정 부지를 정식 제공했으며, 현재 전기 등 기반시설 공사에 돌입했다. 총 4개 공장이 2024년 4분기에 착공되며, 1공장은 2027년 말 테이프아웃을 거쳐 2028년 하반기 월 5만개 웨이퍼 생산을 목표로 한다. TSMC는 2나노 이하 공정 확대에도 속도를 내고 있다. [미니해설] TSMC, 1.4나노 반도체 공장 올해 착공…첨단 공정 경쟁 가속화 대만의 세계 최대 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 TSMC가 반도체 초미세공정 기술 선점을 위한 본격적인 행보에 나섰다. 21일 대만 언론 자유시보와 연합보는 대만 국가과학기술위원회(NSTC) 중부과학단지 관리국의 발표를 인용해, TSMC가 올해 4분기 중 중부 타이중 과학단지에서 1.4나노(㎚) 공정 반도체 생산공장을 착공할 예정이라고 보도했다. 쉬마오쉰 NSTC 관리국장은 지난 18일 중부과학단지 22주년 기념식에서, 타이중 단지의 확장 2기 개발을 마치고 1.4나노 공정 공장 부지를 이미 TSMC에 공식 제공했다고 밝혔다. 그는 이어 "TSMC의 착공에 앞서 전기, 상하수도 등 인프라 구축 작업이 이미 진행 중"이라고 설명했다. 1.4나노 공정이 적용될 반도체 생산시설은 총 4개로, TSMC는 이들 공장을 모두 올해 말 착공해 약 2년의 건설 기간을 거쳐 순차적으로 가동할 계획이다. 첫 번째 공장인 'P1 팹'은 2027년 말 테이프아웃(대량 양산 전 단계 테스트)을 완료하고, 2028년 하반기부터는 월 5만개 규모의 웨이퍼 양산을 목표로 하고 있다. 이번 착공이 완료되면 대만 내 TSMC의 2나노 이하 초미세공정 생산 거점은 더욱 확대된다. 현재까지 북부 신주과학단지 바오산 지역의 20팹, 중부 타이중의 25팹, 남부 가오슝 난쯔과학단지의 22팹을 포함해 총 11곳의 공장이 2나노 이하 공정용으로 구축 또는 가동될 예정이다. 이는 TSMC가 향후 글로벌 반도체 공급 주도권을 확보하기 위한 전략적 기반으로 해석된다. 현재 TSMC는 7나노, 5나노, 3나노 공정에서 각각 약 16만개, 16만개, 13만개의 웨이퍼를 월간 생산 중인 것으로 알려졌다. 2나노 공정은 올해 하반기부터 양산을 개시해 연말까지 월 4만개, 2026년에는 10만개, 2027년에는 16만~18만개 수준까지 끌어올릴 계획이다. 업계는 2나노가 2027년쯤이면 기존 7나노 이하 공정 가운데 최대 생산량을 차지할 것으로 전망하고 있다. 1.4나노는 현재 상용화된 공정 중 가장 진보된 수준으로, 기존 3나노보다 선폭이 더욱 좁아 전력 효율성과 처리 속도 모두에서 우위를 가진다. 일반적으로 반도체의 '나노미터(nm)'는 회로의 선폭을 뜻하며, 숫자가 낮을수록 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있어 성능과 전력 효율성이 향상된다. 현재 TSMC는 3나노 공정을 상용화한 대표 기업이며, 삼성전자와 함께 글로벌 초미세공정 시장을 양분하고 있다. 특히 애플, 엔비디아, 퀄컴 등 주요 IT기업이 TSMC의 고객사로 자리잡고 있어, 향후 1.4나노 공정 상용화 시 글로벌 시장 판도에 상당한 영향을 미칠 전망이다. TSMC의 이번 1.4나노 공정 착공은 단순한 생산능력 확대를 넘어, 반도체 기술의 한계를 뛰어넘는 차세대 도약의 신호탄으로 여겨진다. 업계 관계자는 "삼성전자도 2나노 공정 양산 계획을 밝혔지만, 1.4나노 착공은 TSMC가 다시 한번 초미세공정 기술 주도권을 선점하려는 의지를 드러낸 것"이라고 평가했다. 향후 글로벌 반도체 시장은 2나노 이하 기술력과 생산 능력을 확보한 소수 기업 중심으로 재편될 가능성이 크다. 미중 기술 패권 경쟁이 심화되는 가운데, TSMC의 행보는 대만 반도체 산업의 전략적 위상을 더욱 공고히 하는 계기가 될 것으로 전망된다.
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TSMC, 1.4나노 반도체 공장 올해 착공⋯초미세공정 선점 시동
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TSMC, 세계 첫 2나노 양산 돌입⋯2026년 1.6나노·2028년 1.4나노 순차 개발
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 대만 TSMC가 올해 하반기부터 예정대로 차세대 2나노미터(nm·10억분의 1m) 공정의 양산에 착수한다. 이로써 반도체 미세공정 경쟁에서 선두를 지키겠다는 전략이 본격적으로 가동된다. 18일 대만 언론 자유시보 등에 따르면, 웨이저자 TSMC 회장은 전날 열린 2분기 실적 발표 컨퍼런스에서 "올 하반기부터 2나노 공정을 양산할 계획이며, 생산 초기 양상은 3나노와 유사할 것"이라고 밝혔다. 웨이 회장은 "2나노 제품은 3나노보다 단가가 높아 투자수익률(ROI) 측면에서도 유리하다"며 "하반기 양산이 시작되면 내년 상반기 실적부터 이익 기여가 본격화될 것"이라고 설명했다. TSMC는 이와 함께 고성능 컴퓨팅(HPC)과 프리미엄 스마트폰 시장을 겨냥한 2나노 기반 확장형 제품군 'N2P'를 2026년 하반기부터 양산에 돌입한다. N2P는 기존 2나노 대비 성능과 전력 효율을 강화한 공정으로 평가받는다. 또한 TSMC는 업계 최고 수준의 후면 전력공급(SPR, backside power delivery) 기술을 접목한 1.6나노급 'A16' 제품도 2026년 하반기 양산에 들어간다. 이어 완전한 노드 전환 기반의 1.4나노 신공정 'A14'는 2028년부터 양산이 시작될 예정이며, 성능과 수율 측면에서 현재 기대치를 웃돌고 있는 것으로 전해졌다. 웨이 회장은 "A14에는 트랜지스터 성능과 전력 효율을 획기적으로 끌어올린 2세대 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용할 예정이며, 2029년부터 SPR 기술도 함께 도입할 것"이라고 밝혔다. 한편 TSMC는 3분기 매출을 318억330억달러(약 44조45조원)로 전망했으며, 올해 연간 자본지출 계획(380억420억달러, 약 52조58조원)은 변동이 없다고 전했다. 환율 영향이 실적에 미치는 비중이 큰 만큼, 고부가가치 제품 중심의 매출 확대 전략을 지속할 방침이라고 강조했다. 황런자오 최고재무책임자(CFO)도 "미중 관세 전쟁 여파 속에서 환율 환경이 여전히 불리하다"며, 외부 변수 대응에 주력하고 있다고 덧붙였다. 한편, TSMC의 2나노(nm) 공정 양산은 반도체 산업에서 기술 주도권을 결정짓는 중대한 이정표다. 2나노 공정은 현재 상용화된 가장 미세한 반도체 제조 기술이다. 나노미터(nm)는 반도체 회로의 선폭 단위로, 숫자가 작을수록 더 미세한 회로 구현이 가능하다. 선폭이 좁아질수록 더 많은 트랜지스터를 동일 면적에 집적할 수 있어, 처리 속도는 빨라지고 전력 소모는 줄어드는 고성능·저전력 칩을 만들 수 있다. 이는 스마트폰, 서버, 인공지능(AI) 칩, 자율주행 차량 등에 모두 핵심적인 기술이다. 현재는 TSMC와 삼성전자가 나란히 3나노 공정을 양산 중이다. 삼성전자와 인텔이 2나노 개발을 추진 중인 가운데, TSMC가 가장 먼저 양산 체제에 돌입했다는 것은 기술력과 양산 역량에서 선두를 유지하고 있음을 입증하는 것이라고 할 수 있다. 이는 고객사인 애플, 엔비디아, AMD 등이 TSMC를 계속 선택할 수밖에 없는 이유이기도 하다. 2나노 제품은 기존 3나노보다 칩당 단가가 높고, 투자수익률(ROI)도 크며, 고성능 컴퓨팅(HPC)이나 AI용 반도체 등 수익성이 높은 시장을 겨냥한다. 이는 TSMC의 수익성과 경쟁력 강화로 이어질 수 있다.
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TSMC, 세계 첫 2나노 양산 돌입⋯2026년 1.6나노·2028년 1.4나노 순차 개발
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[글로벌 핫이슈] TSMC, 애리조나 2팹 3나노 양산 속도⋯미국 생산 칩 가격 최대 30% 올린다
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC가 미국 애리조나 2팹의 가동 일정을 서두르고 있다. 이르면 2026년 3분기 3나노(nm) 공정 장비 반입을 시작으로 2027년 양산에 돌입할 계획이다. 하지만 공사 기간 단축과 비용 상승으로, 미국에서 생산하는 웨이퍼 가격은 최대 30%까지 대폭 오를 전망이다. '탈대만' 비용 청구서…미국산 웨이퍼 몸값 급등 지난달 30일(현지시각) 공상시보(工商時報), 로이터통신 등 외신에 따르면, TSMC는 고객 수요를 맞추고 미국 관세 정책에 대응하기 위해 당초 계획보다 공사 일정을 앞당기고 있다. 그러나 여러 업계 소식통은 TSMC가 2025년에서 2026년 사이 애리조나 공장 생산분에 대해 최소 10%에서 최대 30%의 가격 인상을 검토한다고 전했다. 이 같은 인상률은 세계 4나노 칩 가격 인상률(약 10%)을 크게 웃도는 수준이다. 이 밖에도 3나노와 5나노 웨이퍼 가격은 3~5%, CoWoS 등 첨단 패키징 비용은 5~10% 추가로 오를 전망이다. 미국 내 높은 생산비 부담과 공급망 재편, 인공지능(AI)과 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 급증이 주된 원인으로 꼽힌다. 앞서 2024년 말 4나노 생산을 시작한 애리조나 1팹은 최근 애플, 엔비디아, AMD 등 주요 고객사용 첫 웨이퍼를 성공적으로 출하했다. 다만 이 칩들은 첨단 패키징을 위해 다시 대만으로 운송됐다. 주요 고객사들이 비용 일부를 떠안겠지만, 최종적으로 소비자 제품 가격 인상으로 이어질 수 있다는 분석이다. TSMC의 웨이저자 회장은 앞으로의 로드맵에 대해 "1팹은 4나노, 2팹은 3나노 공정에 집중할 것"이라며 "이후 건설할 3, 4팹에서는 N2(2나노급)와 A16(1.6나노급) 같은 최첨단 공정을 도입해 기술 격차를 벌려나갈 것"이라고 밝혔다. 반도체 자립의 그림자…핵심인 첨단 패키징은 '대만 의존' 여전 그러나 미국 내 반도체 공급망 완성까지는 상당한 시간이 걸릴 전망이다. 핵심 공정인 첨단 패키징 시설 건설이 지연되는 탓이다. TSMC가 애리조나에 계획 중인 첫 첨단 패키징 공장(AP1)은 2026년 3분기에 착공하며, 본격적인 가동은 2029년쯤으로 예상된다. SoIC(시스템온인티그레이티드칩) 기술에 중점을 둘 이 공장이 완공되기 전까지, CoWoS 등 고성능 칩에 필수적인 첨단 패키징은 전적으로 대만에 의존해야 한다. 한편, TSMC는 미국 총 투자액을 1650억 달러(약 222조 원)로 확대한다. 여기에는 6개의 팹과 2개의 첨단 패키징 공장, R&D 센터 설립이 포함되며, 이를 통해 4만여 개의 건설 일자리와 수만 개의 고급 기술 일자리 창출이 기대된다. 실제로 엔비디아는 지난 1월 자사 4나노 칩이 TSMC 애리조나 1팹에서 생산에 들어갔다고 확인했지만, 로이터 통신은 이 칩들을 패키징을 위해 다시 대만으로 보내야 한다고 보도하며 미국 내 '칩 생산 완결'의 한계를 지적했다.
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[글로벌 핫이슈] TSMC, 애리조나 2팹 3나노 양산 속도⋯미국 생산 칩 가격 최대 30% 올린다
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삼성 파운드리, 2나노 집중위해 1.4나노 시험라인 투자 연기
- 삼성전자 파운드리 사업부가 올해 진행하기로 했던 1.4㎚(나노미터·10억분의 1m) 시험 라인 구축을 연기하기로 했다. 24일 업계에 따르면 삼성전자는 2분기부터 평택 2공장 일부에 1.4나노 파운드리 시험 라인을 구축하려던 계획을 잠정 연기했다. 1.4나노 시설 투자는 이르면 연말 또는 내년 상반기로 미뤄졌다. 삼성전자는 당초 내년부터 1.4나노 공정 서비스를 시작한다는 로드맵을 공개했다. 그러나 시험 라인 구축이 연기돼 내년 첫 양산 여부는 불투명해졌고 2028년쯤 생산을 개시할 것이라는 전망에 무게가 실리고 있다. 삼성전자는 당장 올해 말 양산을 앞둔 2나노 공정에 인력과 투자를 집중하면서 '내실 강화'에 주력하겠다는 방침이다. 삼성전자가 1.4나노 투자를 미룬 것은 파운드리 업황 부진 때문으로 분석된다. 삼성 파운드리는 현재 고객사 수주 부진과 매출 악화로 어려운 시간을 보내고 있다. 올 1분기만 해도 삼성 파운드리 사업부는 2조 원 안팎의 적자를 기록한 것으로 알려졌다. 이에 따라 파운드리 사업부는 10조 원대 초반의 연간 시설 투자 규모를 올해에는 5조 원 수준으로 줄이는 등 보수적 투자 및 경영에 매진하고 있다. 실제로 올해 거의 유일한 최선단 공정 투자였던 1.4나노 시험 라인 구축을 계획했다 잠정 연기할 만큼 첨단 공정에 대한 수주 실적이 여의치 않다. 삼성전자는 공격적인 선단 기술 투자 대신 당장 직면한 공정 고도화에 역량을 집중하는 쪽으로 방향을 잡았다. 특히 연말 양산을 개시할 2나노 공정의 수율을 올리면서 생산 능력을 높이는 것에 전력투구할 것으로 예상된다. 삼성 파운드리는 시스템LSI 사업부가 올해 말 출시 예정인 애플리케이션 프로세서(AP) '엑시노스 2600'을 2나노로 생산한다. 이 프로젝트를 성공적으로 이끌기 위해 남석우 삼성 파운드리사업부 최고기술책임자(CTO)는 2나노 태스크포스(TF)팀을 꾸려 운영 중이다. 엑시노스 2600을 '갤럭시 S26' 스마트폰에 탑재하기 위해 삼성전자 모바일 사업부가 요구하는 조건을 충족시키면서 양산 가능성은 높아진 상태다. 다만 파운드리 사업부의 2나노 수율이 20~30% 수준에 머물러 생산성을 높일 기술 고도화가 요구된다. 아울러 북미 빅테크에서 수주 물량을 늘리려면 2나노 양산 기술이 탄탄하게 뒷받침해야 한다. 삼성 파운드리는 테슬라·퀄컴 등의 물량 수주에 힘을 쏟고 있다. 업계 관계자는 "신규 건설 중인 미국 테일러 공장도 2나노 공정 배치를 고려하는 만큼 관련 공정 고도화가 빠르게 뒤따라야 한다"고 말했다. 삼성 파운드리는 수주량에 따라 연말까지 화성캠퍼스(S3)의 3나노 라인 일부도 2나노 라인으로 전환하는 계획을 검토 중이다.
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삼성 파운드리, 2나노 집중위해 1.4나노 시험라인 투자 연기
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TSMC, 트럼프 정부의 반도체 정책 발맞춰 미국 투자 확대
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업 TSMC가 도널드 트럼프 미국 대통령의 자국 내 반도체 생산 장려 정책에 적극적으로 호응하여 미국 투자 확대를 추진할 계획이라고 복수의 대만 언론이 소식통을 인용해 10일(현지시간) 보도했다. 10일부터 11일까지 양일간 미국 애리조나주 공장 부지에서 열리는 TSMC 이사회에서는 트럼프 대통령의 반도체 정책에 대한 투자 대응 방안이 핵심 의제로 논의될 예정이다. 특히, 이사회에서는 애리조나주 피닉스의 21팹(fab·반도체 생산공장)에 1.6㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 신규 건설 안건과 관련한 투자 결정이 이루어질 것으로 전망된다. TSMC는 이미 애리조나주 1공장(P1)에서 4나노 제품 양산을 개시했으며, 2공장(P2)은 올해 상량식 등을 마치고 2027년 3분기부터 3나노 제품 양산에 돌입할 계획이다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 향상된다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노로 알려져 있다. TSMC는 2나노 이상의 최첨단 분야에서 상당한 우위를 점하고 있다는 것이 전문가들의 평가다. 또한, 3공장(P3)은 올해 기공식에 들어가 2027년 연말에 반도체 생산 설비를 구축할 예정이다. 대만 언론에 따르면, 애리조나 TSMC 공장 부지는 향후 6공장(P6)까지 확장이 가능한 445㏊(헥타르·1㏊는 1만㎡)에 달한다. 이사회에서는 이와 더불어 미국 내 첫 번째 첨단 패키징 공장 건설 계획에 대한 검토도 이루어질 것으로 전해졌다. 지난달 취임한 트럼프 대통령은 최첨단 반도체의 미국 내 생산과 반도체 관련 관세 추가 부과 등에 대한 입장을 여러 차례 표명하며 TSMC의 미국 내 생산 확대를 압박하고 있는 것으로 알려졌다. 한편, TSMC는 지난달 21일 대만 남부 타이난 지역에서 발생한 규모 6.4 지진으로 인해 53억 대만달러(약 2천300억원)의 손실이 발생한 것으로 잠정 평가된다고 이날 밝혔다. 당시 대만 남부과학산업단지(난커·南科) 내 TSMC 공장의 웨이퍼(반도체 제조용 실리콘판) 손상이 예상보다 심각하여 폐기 물량이 수만 장에 달할 것으로 파악되었다. 보험 정산을 거친 최종 순손실액은 1분기 실적에 반영될 예정이다. TSMC는 생산량 회복에 만전을 기하고 있으며, 영업이익률 등 연간 전망에는 변동이 없을 것이라고 밝혔다. TSMC는 2023년 4월에도 규모 7.2 지진의 여파로 그해 2분기 총이익률이 약 0.5%포인트 감소한 바 있다. 한편, 지난 1월 매출은 2932억8800만 대만달러(약 12조9600억원)로, 지난해 동기 대비 35.9% 증가한 것으로 나타났다.
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- IT/바이오
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TSMC, 트럼프 정부의 반도체 정책 발맞춰 미국 투자 확대
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TSMC, 대만 남부에 1나노 반도체 공장 건설 계획
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁 생산) 업체인 대만 TSMC가 대만 남부 지역에 최첨단 1㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 생산 공장 건립에 나선다. 연합보 등 대만 현지 매체들은 3일(현지시간) 복수의 소식통을 인용해 TSMC가 남부 타이난 사룬 지역에 12인치(305㎜) 웨이퍼(반도체 제조용 실리콘판) 제품을 생산하는 25팹(fab·반도체 생산 공장) 건설을 결정했다고 보도했다. 소식통에 따르면 해당 팹은 공장 6개가 들어설 수 있는 초대형 규모로 남부과학단지 관리국에 25팹 P1∼P3 공장에 1.4나노, P4∼P6 공장에 1나노 공정을 구축하는 계획을 제출한 상태다. 업계 관계자는 TSMC의 이 같은 행보가 남부과학단지 내 자사의 첨단 3·5나노 생산 공장과의 시너지 확대 및 인근 자이·가오슝·핑둥 등의 과학단지와 연계 등을 고려한 것으로 보인다고 설명했다. 중부과학단지 타이중 지구 확장 건설 상황에 따라 TSMC가 해당 지역에 1.4나노 공장을 건설하고 25팹 P1∼P3 공장에 1나노, P4∼P6 공장에 0.7나노 공정 건설로 계획을 수정할 가능성도 있는 것으로 전해진다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비 전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. TSMC는 조 바이든 행정부에서 반도체지원법(칩스법)에 따라 66억 달러(약 9조6700억 원)의 보조금을 받아 애리조나 피닉스 등 미국 내 반도체 공장을 확대하는 등 해외 생산 거점을 늘려왔다. TSMC는 이를 통해 TSMC 공장의 외국 이전과 관련한 자국 내 우려를 불식시킬 계획인 것으로 알려졌다. 이에 대해 TSMC 측은 “공장 건설 장소 선정에 고려 사항이 많다”며 “대만은 주요 거점이며 공장 추가 건설과 관련해 어떠한 가능성도 배제하지 않고 있다”고 전했다. 인공지능(AI) 반도체 수요가 급증하면서 파운드리 업계 나노 경쟁은 격화하고 있는 추세다. 지난해까지는 3나노 공정 반도체가 첨단 칩 시장을 주도했고, 올해는 TSMC와 삼성전자 모두 2나노 칩을 양산할 계획이다. TSMC는 1나노대 초미세 공정 경쟁에서도 우위를 계속 가져가겠다는 전략인 것으로 분석된다. 당초 2027년 1.4나노 공정 도입을 계획했다. 하지만 지난해 이 계획을 1년 앞당겨 내년에 1.6나노 공정으로 반도체를 생산하겠다고 발표했다. 추격자인 삼성전자와 인텔은 2027년 1.4나노 공정을 도입한다는 계획이다.
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- IT/바이오
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TSMC, 대만 남부에 1나노 반도체 공장 건설 계획
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바이든, 첨단반도체 중국 유입 차단 위해 규제 강화⋯삼성·TSMC 영향
- 조 바이든 미국 행정부가 15일(현지시간) 삼성전자와 대만 TSMC가 생산한 첨단 반도체의 중국 유입을 막기 위해 추가 규제를 발표했다. 로이터통신 등 외신들에 따르면 바이든 행정부는 이날 삼성전자, TSMC, 인텔 등의 반도체 제조업체들이 고객에 대해 철저한 검토와 강화된 실사를 진행하도록 하는 규정을 내놓았다. 이번 규제 대상은 16개의 중국 및 싱가포르 기업이다. 이번 제재 대상에는 미국의 블랙리스트에 오른 화웨이테크놀로지스가 TSMC의 반도체를 확보하는 데 관여했다는 혐의를 받는 소프고테크놀로지도 포함됐다. 미국 상무부는 중국의 반도체 산업을 구축하기 위해 '중국 정부의 요청에 따라 행동하고 있는 기업'에 제재를 가하는 것이라고 밝혔다. 상무부는 파운드리(반도체 위탁생산)와 패키징 기업의 반도체 수출에 대한 라이선스와 관련된 의무사항도 강화했다. 다만 성능이 특정 수준 이하고 "신뢰할 수 있는 고객사"에서 생산됐다는 점이 입증된 프로세서거나 기술적 역량이 확인됐고 미국 정부의 허가를 받은 업체가 패키징한 칩에는 적용되지 않는다. 지나 러먼도 미 상무부 장관은 성명에서 "이 규정은 우리의 통제 조치를 더욱 강화하고 목표를 정교화해서 미국의 법을 우회하고 국가안보를 약화시키려는 중국과 다른 국가들의 시도를 막는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 그는 "첨단 반도체에 대한 접근을 제한하고 규정을 강력히 집행하며 새롭게 부상하는 위협에 선제적으로 대응해서 국가안보를 계속해서 지켜나갈 것"이라고 강조했다. 로이터통신은 "AI 애플리케이션에 사용될 수 있는 14나노미터(㎚) 또는 16㎚ 노드 이하의 칩을 대상으로 하는 새 규제는 TSMC 외에도 다른 기업에도 영향을 미칠 것"이라며 "삼성의 매출도 타격을 입을 가능성이 있다"고 전했다. 19일 임기를 마치는 바이든은 막바지까지 중국에 대한 첨단 반도체 규제를 강화하고 있다. 지난 13일에는 미 상무부는 더욱 강화된 AI 반도체 수출 통제 조치를 공개했다. 이 규제는 엔비디아 등이 만든 첨단 AI 반도체가 중국으로 유입되는 것을 차단하기 위해 한국을 포함한 동맹국을 제외한 대부분의 국가에 AI 반도체 수출 한도를 설정했다. 미국 AI 칩, 해당 국가 AI 시스템 훈련 금지 또 중국을 포함한 20여개의 우려국에 대해서는 기존 수출 통제가 유지돼서 미국의 AI 칩이 해당 국가의 AI 시스템을 훈련하는 것이 금지된다. 지난해 10월 화웨이가 TSMC가 만든 칩을 비밀리에 입수해 활용한 것으로 확인됐다. 이후 미국 상무부는 TSMC에 중국 고객사를 위해 7㎚ 이하의 칩을 생산하지 않을 것을 요청한 것으로 알려졌다. 또 미 정부는 화웨이와 같은 중국 업체가 첨단 반도체를 확보할 수 있는 우회로를 차단하는 데 주력하고 있다. 블룸버그통신은 "이번 규제는 첨단 반도체가 여전히 중국과 러시아로 유입되고 있다는 것을 인정하는 것"이라고 분석했다. "국내 반도체 영향 제한적" 전망 국내 반도체 업계는 국내 기업이 받는 영향은 제한적일 것으로 예상하고 있다. 업계 관계자는 "이번 조치는 미국 블랙리스트에 오른 중국 화웨이의 기기에서 첨단 칩이 발견된 TSMC를 겨냥한 것으로 보인다"며 "삼성전자가 중국 수출 물량을 공개하진 않지만 전체 반도체 수출에서 파운드리 비중이 낮은데다 이미 2023년 중국 SMIC가 7나노 반도체 양산에 성공해 (이번 조치로 인한) 타격은 크지 않을 것"이라고 말했다. 정부 관계자 역시 "우리 기업에 미칠 영향이 제한적일 거라고 보지만 추가 세부 조항을 면밀히 살피겠다"고 밝혔다.
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- 포커스온
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바이든, 첨단반도체 중국 유입 차단 위해 규제 강화⋯삼성·TSMC 영향
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TSMC, 미국서도 첨단 반도체 양산 체제 갖춰-4나노 생산 돌입
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC가 미국 애리조나 공장에서 최첨단 4나노(1나노는 10억분의 1) 칩 양산을 시작했다고 지나 러몬도 미 상무장관이 밝혔다. 12일(현지시간) 로이터통신에 따르면 러몬도 상무장관이 인터뷰에서 "미국 역사상 처음으로 미국 땅에서 4나노 칩을 생산하고 있다"며 TSMC의 4나노 칩 양산 소식을 전했다. 러몬도 장관은 이어 "미국 노동자들이 대만과 동일한 수준의 수율과 품질로 첨단 4나노미터 칩을 생산하고 있다"며 "최근 몇 주간 생산이 시작됐다"고 설명했다. 러몬도 장관은 "이것은 큰 성과이자, 이전에는 한 번도 이뤄진 적이 없었고 많은 사람이 불가능하다고 생각했던 일"이라며 "이는 바이든 행정부의 반도체 노력에 이정표가 될 것"이라고 강조했다. 현재 가장 앞선 파운드리 상용 기술은 3나노 공정으로 TSMC와 삼성전자는 대만과 한국에서 각각 3나노 제품을 양산 중이다. 바이든 행정부는 막대한 보조금을 제공하며 글로벌 반도체 업체의 미국 내 공장 건설을 독려해 왔으며 지난해 11월 TSMC에 지급할 반도체 지원금 66억 달러를 확정했다. TSMC는 앞서 지난 4월 미국 내 투자 규모를 650억달러로 확대하고, 2030년까지 애리조나주에 2나노 공정이 활용될 세 번째 팹(fab·반도체 생산공장)을 건설한다는 계획을 발표하기도 했다. 러몬도 장관은 이는 상무부가 TSMC를 설득해 미국 내 계획을 확장하도록 했다고 말했다. 그는 "이 일은 저절로 이뤄진 것이 아니다"라며 "TSMC가 확장을 원하도록 우리가 설득해야 했다"고 밝혔다.
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- IT/바이오
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TSMC, 미국서도 첨단 반도체 양산 체제 갖춰-4나노 생산 돌입
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대만 TSMC, 내달 미국 공장서 4나노 공정 제품 첫 정식 생산 예정
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC가 오는 12월 미국 애리조나 공장에서 첨단 4㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 기술을 채택한 웨이퍼를 정식 생산할 예정이다. 연합보 등 대만언론들은 4일(현지시간) 소식통을 인용해 TSMC가 내달 초 애리조나 피닉스의 21팹(fab·반도체 생산공장)의 1공장 완공식을 거행한 후 TSMC 4나노 기술을 채택한 12인치(305㎜) 웨이퍼의 정식 생산에 들어가고 양산 시점은 내년 1분기 예정이라고 보도했다. 애리조나 공장은 TSMC가 처음 해외에 설립하는 12인치(300㎜) 웨이퍼 공장으로 클린룸 면적이 일반 로직(시스템) 반도체 공장의 2배에 달하는 메가 팹(Mega Fab) 설계를 채택한 것으로 알려졌다. TSMC는 2020년부터 미국 애리조나주 피닉스에 400억달러를 투자해 두 곳의 생산공장을 짓기 시작했다.TSMC의 애리조나 1공장(Fab 21 P1)은 지난 9월부터 4나노 공정 가동에 들어갔으며 첫 고객사는 애플로 알려졌다. 2공장(Fab 21 P2)은 3나노 공정으로 예정돼 있었으나 4나노 주문이 폭증하자 일단 4나노 공정으로 운영하다가 3나노 공정으로 전환할 계획이다. TSMC에 따르면 애리조나 공장 면적은 약 445㏊(헥타르·1㏊는 1만㎡)로 1기 공정(1공장)은 올해 하반기 4나노 양산 예정이었으나 내년 1분기로 일정이 미뤄졌다. 2기 공정은 2026년부터 3나노 생산 예정이었으나 2028년으로 연기됐다. 3기 공정은 2나노 또는 A16(1.6나노급) 공정을 도입할 예정이며 2030년 양산 계획이 잡혀 있다. 한편 지난 25일 트럼프 전 대통령은 TSMC, 삼성전자 등 미국에 공장을 짓는 반도체 기업에 보조금을 지급하는 반도체법을 정면 비판하며 관세 부과 압박으로 글로벌 기업이 미국에 공장을 짓도록 만들어야 한다고 주장했다. TSMC는 미국에 650억달러를 투자하고 66억달러의 보조금을, 삼성전자는 440억달러를 투자하고 64억달러의 보조금을 받기로 돼 있다. 트럼프 전 대통령이 미국 제조업 육성을 위해 기업의 법인세를 현행 21%에서 15%로 낮추겠다고 했기 때문에 TSMC가 여전히 미국에 공장을 지을 긍정적 유인이 있다는 평가도 나온다. 경제일보는 이와 함께 트럼프의 대선 승리시 TSMC가 미국 애리조나주에 4공장, 심지어 5공장, 6공장 건설계획을 한꺼번에 발표함으로써 차기 대통령의 체면을 세워줄 수 있다고 보도했다. 신문은 정통한 소식통을 인용해 미국 애리조나주에 있는 TSMC 1공장 로비에는 전체 부지 내 6개 생산라인의 모형도가 전시돼 있으며 이는 이미 발표한 1~3공장 외에 4~6공장의 확장 계획까지 준비 중임을 의미한다고 전했다.
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대만 TSMC, 내달 미국 공장서 4나노 공정 제품 첫 정식 생산 예정
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엔비디아, 인도 최대 재벌에 차세대 AI 반도체 '블랙웰' 공급
- 미국 엔비디아는 24일(현지시간) 인도 최대재벌 릴라이언스 인더스트리에 차세대 인공지능(AI) 반도체 '블랙웰'을 공급할 방침이라고 밝혔다. 이날 로이터통신 등 외신들에 따르면 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 이날 뭄바이에서 개최된 'AI서미트'에서 릴라이언스의 무케시 암바니 회장과 대담을 갖고 이같은 방침을 밝혔다. 엔비디아의 이같은 방침은 성장중인 인도시장에서 기반을 굳히기 위해 릴라이언스 등 인도기업과의 제휴관계를 강화하는 대응의 일환으로 분석된다. 블랙웰은 릴라이언스가 서부 구자라트 주에 건설중인 소비전력이 1기가와트(GW)의 대형 데이터센터에 탑재된다. 1기가와트 규모의 데이터 센터는 원자력 발전소 1기의 용량과 맞먹는 엄청난 크기다. 1기가와트 규모의 데이터센터는 축구장 140개를 합친 면적인 약 100만㎡에 달하며, 여의도 면적 3븐의 1에 달하는 엄청난 규모다. 양사는 지난해 9월 인도에서 AI 슈퍼컴퓨터를 개발해 인도의 언어로 훈련된 '대규모언어모델(LMM)'을 구축하는 협력계약을 체결했다. 인도에서는 요타 데이터서비시스와 타타 커뮤니케이션스 등 데이터센터 프로파이터가 확장계획을 이끌고 있다. 엔비디아는 이날 이같은 기업들이 건설하는 대형 데이터센터용으로 AI반도체 '호퍼'를 수만개 공급하는 것을 검토하고 있는 사실도 공개했다. 이와 함께 엔비디아는 이날 새로운 힌디어 AI 기반을 발표했다. 인도 IT서비스업체 테크 마힌드라가 처음으로 활용하는 기업이 됐으며 힌디어와 인도 국내에서 사용되고 있는 수십개의 언어를 대상으로 한 '인더스 2.0'으로 불리는 엔비디아제 AI기반을 구축할 계획이다. 엔비디아는 테크 마힌드라 이외에도 인포시스와 위프로 등 IT서비스대기업과 제휴하고 있으며 모두 50만명의 개발자에 대해 엔비디아의 소프트웨어를 사용해 AI가 자율적 판단으로 정보수집과 작업계획 등을 하는 'AI에이전트'의 설계와 실용화 훈련을 벌이고 있다. 황 CEO는 "인도는 앞으로 AI수출국이 될 것이다. 인도에는 AI와 데이터, AI인프라라는 구체적 요소가 있으며 유저 인구도 대규모다"라고 말했다. 게다가 "현재는 엔비디아의 매출액에서 차지하는 인도의 비율이 적지만 우리의 기대는 크다"고 포부를 말했다. 한편, 엔비디아는 20년 전 인도 방갈로르에 첫 사무실을 개설한 이후 꾸준히 투자를 확대해왔다. 현재 인도 내 4개 도시에 개발 센터를 운영하며 4000여 명의 엔지니어를 고용하고 있으며, 이는 미국 본사 다음으로 큰 규모다. 인도 정부 역시 AI 인프라 구축에 12억 달러의 예산을 투입하는 등 적극적인 지원 정책을 펼치고 있어, 인도는 글로벌 AI 시장의 새로운 중심지로 떠오르고 있다. 블랙웰 칩이란? 블랙웰은 엔비디아의 차세대 AI 슈퍼칩으로, 2022년에 발표된 호퍼 아키텍처의 후속작이다. 엄청난 성능 향상과 함께 전력 효율을 높인 것이 가장 큰 특징이다. 2080억 개의 트랜지스터를 탑재하여 이전 세대인 H100보다 데이터 연산 속도가 2.5배 빠르다. H100 36개로 구성된 시스템과 비교했을 때 거대 언어 모델(LLM) 처리 속도가 최대 30배 향상되었다. 10TB/s의 칩 간 상호 연결을 통해 GPU 다이 2개의 성능을 단일 GPU 슈퍼칩에서 제공한다. 또한 향상된 전력 효율로 H100보다 성능이 30배 높으면서도 비용과 에너지 소비는 최대 25배 낮췄다. 대만 TSMC의 4나노미터(nm) 공정으로 제조됐다. 첨단 패키징 기술인 CoWoS를 사용하여 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높였다. HBM3E(5세대 고대역폭 메모리) 8단 제품이 탑재되어 메모리 대역폭을 획기적으로 늘렸다. 블랙웰은 이러한 뛰어난 특징을 바탕으로 AI 학습 및 추론, 고성능 컴퓨팅, 데이터 분석 등 다양한 분야에서 혁신을 가져올 것으로 기대된다.
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- IT/바이오
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엔비디아, 인도 최대 재벌에 차세대 AI 반도체 '블랙웰' 공급
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샤오미, 중국 최초 3나노 모바일 AP 자체 개발…내년 양산 전망
- 중국 스마트폰 제조사 샤오미(小米)가 중국 기업 최초로 3나노 공정의 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)를 자체 개발하여 내년부터 양산할 것으로 예상된다. 23일 업계에 따르면 샤오미는 최근 3나노 공정의 모바일 AP 개발을 완료하고 곧 양산 단계에 진입할 것으로 알려졌다. 모바일 AP는 스마트폰의 성능을 좌우하는 핵심 부품으로, 샤오미는 중국 기업 최초로 3나노 공정 AP의 시제품 양산 단계인 '테이프아웃'을 마친 것으로 전해졌다. 테이프아웃은 칩 설계 등을 마친 뒤 대량 양산으로 넘어가기 전 단계를 말한다. 당초 샤오미는 내년 상반기 4나노 공정 AP를 생산할 계획이었으나, 기술 수준을 높여 3나노 공정 제품에 집중하는 것으로 보인다. 샤오미가 3나노 AP 양산에 성공하면 화웨이 등 중국 스마트폰 제조사에 공급할 가능성이 높다. 하지만 3나노 공정이 가능한 파운드리(반도체 위탁생산) 업체는 TSMC와 삼성전자뿐이어서, 샤오미가 어느 업체에 생산을 맡길지는 아직 결정되지 않았다. 미디어텍·퀄컴 주도 모바일 AP 시장, 중국발 변수 등장 현재 미디어텍과 퀄컴이 주도하는 글로벌 모바일 AP 시장에 중국 업체들이 빠르게 진입하면서, 내년부터 시장 판도 변화가 예상된다. 특히 화웨이의 자회사 하이실리콘은 미국의 제재에도 불구하고 7나노 AP '기린9000s'를 출시하며 시장 점유율을 확대하고 있다. 이 업체의 점유율은 지난해 2분기 0%에서 올해 4%로 증가했다. 삼성전자, 엑시노스 경쟁력 확보 어려움…고객사 확보 차질 우려 현재 글로벌 모바일 AP 시장 점유율은 미디어텍 31%, 퀄컴 29%, 애플 19%, 삼성전자 6% 순이다. 아직 중국 업체들의 영향력이 크지 않지만 자국 스마트폰 제조사들의 대량 주문을 기반으로 AP 성능 수준을 빠르게 높일 것으로 예상된다. 삼성전자는 3나노 공정의 '엑시노스 2500'을 양산할 예정이지만, 수율(양품 비율) 문제 등으로 어려움을 겪고 있다. 이러한 상황에서 중국 업체들이 가격 경쟁력을 앞세워 시장에 진출하면 삼성전자의 엑시노스 고객사 확보는 더욱 어려워질 수 있다는 전망이다. 업계 관계자는 "중국 업체들의 기술 추격이 예상보다 빠르다"며 "삼성전자는 3나노 수율을 높이지 못하면 AP 시장에서 입지가 더욱 좁아질 수 있다"고 우려했다.
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샤오미, 중국 최초 3나노 모바일 AP 자체 개발…내년 양산 전망
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TSMC, 2나노 웨이퍼 가격 3만 달러⋯4·5나노의 2배 "초격차 전략"
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁 기업) 기업인 대만 TSMC가 차세대 2나노미터(nm) 공정 웨이퍼 가격을 장당 3만 달러(약 4039만 원)로 책정하며 반도체 업계에 파란을 일으켰다. 8일 공상시보 등 대만 언론은 소식통을 인용하여 TSMC가 2025년 양산 예정인 2나노 공정 제품에 대해 이와 같은 가격 정책을 확정했다고 보도했다. 이는 기존 4나노 및 5나노 웨이퍼 가격(약 1만5000달러)의 두 배에 달하는 수준으로, TSMC의 압도적인 기술력에 대한 자신감을 여실히 드러낸 것으로 풀이된다. 업계 전문가들은 TSMC의 이러한 가격 책정이 첨단 웨이퍼 시장에서의 독점적 지위를 공고히 하고, 기술 리더십을 더욱 강화하려는 전략의 일환으로 분석하고 있다. 실제로 TSMC는 2나노 공정 개발에서 경쟁사들을 압도하며 기술적 우위를 확보한 것으로 평가받고 있다. 이에 앞서 TSMC는 지난 8월, 전 세계적인 인공지능(AI) 열풍에 힘입어 주력 제품인 3나노 및 5나노 공정 제품 가격을 8% 인상했다. 이번 2나노 웨이퍼 가격 책정은 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야의 폭발적인 성장과 맞물려 TSMC의 매출 증대에 크게 기여할 것으로 전망된다. 대만 언론은 AI와 HPC가 첨단 공정 및 패키징 기술 수요를 견인하며 향후 5년간 파운드리 산업 성장의 핵심 동력이 될 것으로 내다봤다. 올해 전 세계 파운드리 시장 규모는 전년 대비 14% 증가한 1591억 달러(약 214조2000억원)에 이를 것으로 예상되며, 2025년에는 1840억 달러(약 247조7000억원), 2029년에는 2700억 달러(약 363조 5000억 원)까지 성장할 것으로 전망했다. nm(나노미터)는 반도체 회로 선폭을 나타내는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비 전력이 감소하고 처리 속도는 향상된다. 현재 양산 기술의 최첨단은 3나노 공정이며, TSMC는 2나노 공정에서도 선두 자리를 굳건히 지키며 반도체 업계의 '초격차'를 이어갈 것으로 기대된다.
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TSMC, 2나노 웨이퍼 가격 3만 달러⋯4·5나노의 2배 "초격차 전략"
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TSMC, '2나노' 가오슝 공장 내년 가동⋯차세대 노광장비도 곧 도입
- 세계 최대 파운드리 기업인 대만 TSMC가 남부 가오슝(高雄)에 건설하고 있는 첨단 2나노 1·2 공장이 내년 가동될 예정인 것으로 알려졌다. 자유시보 등 대만언론들은 18일(현지시간) 소식통을 인용해 이같이 보도했다. 보도에 따르면 TSMC는 오슝 난쯔 과학단지에 2나노 공장 3곳을 건설할 계획으로, 해당 1·2공장(PI, P2)이 각각 2025년 1분기와 3분기에 운영을 시작할 예정인 것으로 전해졌다. 아울러 해당 단지에 4공장과 5공장 증설 여부를 평가 중이고, 해당 공장에서 1.4나노 공정이 배치될 가능성이 높다고 덧붙였다. 또 내년 상반기 4나노 공정 제품을 양산할 예정인 미국 애리조나주 피닉스 1공장의 수율이 지난달 말까지 70%를 넘어서면서 남부 타이난의 남부과학단지 내 18 팹(fab·반도체 생산공장)과 비슷한 수준에 도달한 것으로도 전해졌다. TSMC는 글로벌 파운드리 시장 1위 자리를 굳건히 하고 있는 상황에서 최선단공정 제조에 필요한 '하이 NA EUV' 노광장비도 이달 말 도입하기로 했다. 당초 예정했던 시기보다 1분기 이상 빠르게 앞당기면서 초미세공정 두고 주도권을 다투는 삼성전자보다 한 발 빠른 행보를 보이고 있다. 인텔이 파운드리 사업에서 극심한 부진을 겪으면서 TSMC가 경쟁에서 발 빠르게 치고 나갈 수 있는 환경도 갖춰진다. 반면 삼성전자는 3년 뒤에나 해당 장비를 확보할 것으로 전해져 설치부터 가동까지 최적화 작업에 상당한 시간이 소요된다는 점에서 도입 시기를 앞당기는데 주력할 것으로 보인다.
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- IT/바이오
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TSMC, '2나노' 가오슝 공장 내년 가동⋯차세대 노광장비도 곧 도입
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[기후의 역습(57)] 과학자들, 기후 변화 대응에 기여할 새로운 목재 유형 발견
- 올 여름 역대급 폭염이 이어진 가운데 튤립나무가 기후 변화에 직접적인 영향을 미치는 탄소 포집 효과가 탁월하다는 연구 결과가 나왔다. 한국 기상청에 따르면 지난 8월 폭염일수는 16일로, 2016년 16.6일에 이어 관련 통계를 집계한 1973년 이래 두 번째로 많았다. 또한 지난달 열대야 수는 11.3일로 통계 집계 이후 처음으로 두자릿수를 기록했다. 오래된 나무와 숲이 이산화탄소를 더 많이 흡수하고, 저장한다는 것은 이전의 여러 연구에서 확인됐다. 튤립나무에 대한 연구에서 탄소포집 잠재력이 큰 새로운 목재 구조가 확인됐다고 사이테크데일리가 11일(현지시간) 보도했다. 폴란드 야기에우워 대학교(Jagiellonian University)와 영국 케임브리지 대학교 연구진은 세계적으로 유명한 나무와 관목들의 목재 미세 구조를 진화적으로 조사하던 중 튤립나무에 대한 연구에서 탄소 포집 잠재력이 큰 새로운 목재 구조가 확인됐다고 사이테크데일리가 11일(현지시간) 보도했다. 연구팀은 목련과의 친척이자 30미터 이상 자라는 튤립나무가 활엽수와 침엽수 어느 쪽에도 속하지 않는 독특한 목재를 가지고 있음을 확인한 것이다. 이 획기적인 발견은 빠르게 성장하는 튤립나무를 조림지에 심어 탄소 격리 효율을 높이는 새로운 가능성을 제시한다. 목재 구조의 새로운 발견 최근 국제학술지 '신식물학자(New Phytologist)'에 발표된 연구에서 연구진은 저온 주사 전자 현미경(cryo-SEM)을 사용하여 수분이 함유된 상태의 목재 세포벽 나노 구조를 이미지화했다. 그 결과, 튤립나무(Liriodendron tulipifera)와 중국 튤립나무(Liriodendron chinense) 두 종의 고대 리리오덴드론(Liriodendron) 속 나무들이 활엽수 친척들보다 훨씬 더 큰 마크로피브릴을 가지고 있음을 발견했다. 마크로피브릴은 2차 세포벽 내 층에 정렬된 긴 섬유를 말한다. 탄소 포집에 대한 함의 연구 책임자인 야기에우워 대학교의 얀 우이차코프스키(Jan Łyczakowski) 박사는 "튤립나무는 침엽수나 할엽수와는 구별되는 중간적인 마크로피브릴 구조를 가지고 있다"며 "튤립나무는 약 300만~5000만년 전 목련나무에서 분기되었는데, 이 시기는 대기 중 이산화탄소 농도가 급격히 감소하던 시기와 일치한다. 이는 튤립나무가 탄소 저장에 매우 효율적인 이유를 설명하는 데 더움이 될 수 있다"고 말했다. 연구팀은 이 '중간 목재' 또는 '축적 목재'의 더 큰 마크로피브릴이 튤립나무의 빠른 성장 뒤에 있는 원인이라고 추측한다. 우이차코프스키는 " 두 종의 툴립나무는 탄소를 매우 효율적으로 포집하는 것으로 알려져 있으며, 확대된 마크로피브릴 구조는 대기 중 탄소 이용 가능성이 감소했을 때 더 많은 양의 탄소를 쉽게 포집하고 저장하도록 돕는 적응일 수 있다"며 "튤립나무는 탄소 포집 조림에 유용하게 활용될 수 있을 것이다. 일부 동남아 국가에서는 이미 튤립나무 조림을 통해 효율적으로 탄소를 포집하고 있으며, 이제 우리는 이것이 튤립나무의 새로운 목재 구조와 관련이 있을 수 있다고 생각한다"고 덧붙였다. 케임브리지 대학교 식물원에서 얻은 진화적 통찰 이 발견은 케임브리지 대학교 식물원의 살아있는 컬렉션에서 33종의 나무를 조사하여 침엽수(소나무, 침엽수 등 겉씨식물)와 활엽수(참나무, 물푸레나무, 자작나무, 유칼립투스 등 속씨식물)에서 목재 초미세구조가 어떻게 진화했는지 탐구하는 과정에서 이루어졌다. 우이차코프스키는 "목재 구조가 어떻게 진화하고 외부 환경에 적응하는지에 대해서는 알려진 바가 거의 없다"며 "이번 조사에서 우리는 이전에 관찰된 적이 없는 완전히 새로운 목재 초미세구조외 전형적인 겉씨식물 침엽수 대신 속씨식물과 유사한 활엽수를 가진 겉씨식물 계통을 발견하는 등 몇 가지 중요한 새로운 발견을 했다"고 말했다. 그는 이어 "목재의 주요 구성 요소는 2차 세포벽이, 건축에 의존하는 목재의 밀도와 강도를 부여하는 것은 바로 이 세포벽의 구조다. 2차 세포벽은 또한 샐물권에서 가장 큰 탄소 저장소이므로, 기후 변화 완화를 돕는 탄소 포집 프로그램을 발전시키기 위해서는 2차 세포벽의 다양성을 이해하는 것이 중요하다"고 덧붙였다. 목재 초미세 구조 목재 초미세구조는 목재의 미세한 구조, 즉 재료 구성 요소의 배열과 조직을 의미한다. 저온 주사 현미경을 사용한 이번 목재 조사는 2차 세포벽, 마크로피브릴 등에 초점을 맞췄다. 2차 세포벽은 주로 셀룰로오스와 기타 복합 당으로 구성되며, 리그닌이 함침되어 전체 구조를 단단하게 만든다. 이러한 구성 요소들은 마크로피브릴을 형성하며. 2차 세포벽 내에 뚜렷한 층으로 배열된 긴 정렬 섬유를 만든다. 마크로피브릴은 현재 저온 주사 현미경으로 측정할 수 있는 가장 작은 구조이며, 두께는 약 10~40나노미터이다. 셀룰로오스 마크로피브릴(3~4나노미터)과 기타 구성 요소로 이루어져 있다. 목재 초미세 구조 연구는 목재 가공, 재료 과학, 나무의 생태 및 진화적 측면 이해 등 다양한 분야에 중요하다. 나무 성장과 목재 침착 뒤에 숨은 생물학적 메커니즘을 이해하는 것은 탄소 포집량 계산에도 유용한 정보를 제공한다. 목재 샘플은 케임브리지 대학교 식물원 컬렉션 코디네이터 마르고 애플(Margeaux Apple)과 협력하여 식물원 내 나무에서 채취했다. 겉씨식물과 속씨식물 개체군이 분기하고 진화함에 따라 그 진화 역사를 반영하기 위해 선별된 나무에서 지난 봄 성장기에 침착된 신선한 목재 샘플을 수집했다. 저온 전자 현미경 사용한 역대 최대 목본 식물 조사 케임브리지 대학교 세인즈버리 연구소 현미경 핵심 시설 관리자인 레이먼드 와이트먼(Raymond Wightman) 박사는 "우리는 자이언트 세쿼이아, 울레미 소나무, 그리고 모든 꽃 피는 식물과 분리되어 진화한 가장 오래된 현존 식물군의 유일한 생존 종인 암보렐라 트리코포다(Amborella trichopoda)와 같은 '살아있는 화석'을 비롯하여 세계에서 가장 상징적인 나무들을 분석했다"고 말했다. 와이트만 박사는 "우리의 조사 데이터는 목재 나노 구조와 세포벽 구성 사이의 진화적 관계에 대한 새로운 통찰력을 제공했으며, 이는 속씨식물과 겉씨식물 계통에 따라 다르다. 속씨식물 세포벽은 겉씨식물에 비해 마크로피브릴이라고 불리는 더 좁은 기본 단위를 가지고 있으며, 이 작은 마크로피브릴은 암보렐라 트리코포다 조상에서 분기된 후 등장했다"고 덧붙였다. 우이차코프스키와 와이트먼은 또한 마황류(Gnetophytes) 계통의 두 겉씨식물인 그네툼속(Gnetum gnemon, 그네툼 그네몬)과 그네툼 에둘레(Gnetum edule)의 세포벽 마크로피브릴을 분석하여 둘 다 속씨식물의 활엽수 세포벽 구조와 동일한 2차 세포벽 초미세 구조를 가지고 있음을 확인했다. 이는 마황류가 일반적으로 속씨식물에서만 볼 수 있는 활엽수 유형 구조를 독립적으로 진화시킨 수렴 진화의 한 예이다. 이 조사는 2022년 영국에서 네 번째로 더운 여름으로 기록된 기간 동안 진행됐다. 와이트먼은 "저온 전자 현미경을 사용한 목본 식물 조사 중 역대 최대 규모일 것"이라며, "세인즈버리 연구소가 케임브리지 대학교 식물원 부지 내에 위치하고 있기 때문에 이처럼 많은 신선한 수화된 목재에 대해 대규모 조사를 할 수 있었다. 우리는 2022년에 모든 샘플을 수집했다. 이른 아침에 샘플을 수집하고, 샘플을 초저온 슬러시 질소에 동결시킨 다음 자정까지 샘플을 이미징했다"고 설명했다. 그는 "이 연구는 식물원이 현대 연구에 기여하는 데 지속적인 가치와 영향을 보여준다. 이 연구는 케임브리지 대학교 식물원 컬렉션에서 같은 장소에서 함께 자라는 진화적 시간을 통해 표현된 다양한 식물이 없었다면 불가능했을 것이다"라고 말했다. 참고문헌: Jan J. Lyczakowski와 Raymond Wightman의 「수렴 및 적응 진화가 종자 식물의 현존 계통에서 2차 세포벽 미세 구조의 변화를 주도했다」, New Phytologist .DOI: 10.1111/nph.19983
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[기후의 역습(57)] 과학자들, 기후 변화 대응에 기여할 새로운 목재 유형 발견
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삼성전자, AI칩 '원스톱' 솔루션 제공…2027년 첨단 파운드리 기술 도입
- 삼성전자가 2027년 첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 기술을 도입해 인공지능(AI) 칩 개발에서부터 위탁생산, 조립에 이르기까지 AI 칩 생산을 위한 원스톱 서비스를 강화한다고 12일(현지시간) 발표했다. 삼성전자는 이날 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'를 개최, AI 시대를 주도할 반도체 부문의 기술 전략을 공개했다. 종합 반도체 기업으로서의 장점을 극대화해 AI 열풍에 따른 AI 칩 수요에 적극적으로 대응하고, 세계 최대 파운드리 업체인 대만의 TSMC를 추격할 계획이다. 삼성전자는 현재 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지(첨단 조립)를 '원팀'으로 제공하고 있는 AI 칩 생산을 위한 원스톱 턴키(일괄) 서비스를 2027년 더욱 강화할 계획이라고 밝혔다. 삼성전자는 현재 파운드리의 시스템 반도체와 메모리의 고대역폭(HBM), 이를 패키징하는 통합 'AI 솔루션'을 통해 고성능 저전력 AI 칩 제품을 출시 해오고 있다. 이를 통해 기존 공정 대비 칩 개발에서부터 생산에 걸리는 시간을 약 20% 단축하고 있다고 삼성전자는 설명했다. 2027년에는 새로운 파운드리 기술을 도입해 이를 더욱 강화한다는 방침이다. 먼저 2027년까지 2나노(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 공정에 '후면전력공급(BSPDN)' 기술을 도입(SF2Z)하기로 했다. 삼성전자는 이미 내년부터 2나노 공정을 시작한다고 밝혔다. 여기에 '후면전력공급' 기술을 탑재한다는 것이다. '후면전력공급'은 전력선을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 고난도 기술로, 전세계적으로 아직 상용화 사례가 없다. 그동안 반도체 전력선은 웨이퍼 앞면에 회로를 그렸지만, 후면전력공급에 의해 후면에도 회로를 그리게 되면 초미세화 공정을 구현할 수 있는 '게임 체인저'로 평가됐다. 대만 TSMC는 2026년 말 2나노 이하 1.6공정에 '후면전력공급' 기술을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 후면전력공급 기술을 통해 기존 2나노 공정 대비 소비전력·성능·면적의 개선 효과와 함께 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 전압 강하 현상을 대폭 줄여 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상할 것으로 기대하고 있다. 또한 삼성전자는 2027년에는 AI 솔루션에 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한, 빛을 이용한 광학 소자 기술까지 통합할 계획이다. 게다가 2025년에는 기존 4나노 공정에 칩을 더 작게 만들면서 성능을 높이는 '광학적 축소' 기술을 도입(SF4U)해 양산할 예정이라고 말했다. 지난 4월 TSMC가 2026년부터 1.6나노 공정 양산 계획을 발표하자, 업계에서는 삼성전자도 1.4나노 양산 시점을 앞당길 수 있을 것이라고 전망했다. 삼성전자는 그러나 이날 2027년 1.4나노 공정 양산 계획을 재확인하며 "목표한 성능과 수율을 확보하고 있다"고 밝혔다. 수율은 웨이퍼 1장에 설계된 최대 칩 개수 대비 실제로 생산된 정상 칩의 개수를 백분율로 나타낸 수치이다. 수율이 높을 수록 생산성이 좋아지고, 수율이 낮으면 불량품이 많아져 손실이 커지고, 생산 비용도 증가하게 된다. 삼성전자 파운드리 사업부 최시영 사장은 이날 기조연설에서 "AI 시대 가장 중요한 건 AI 구현을 가능케 하는 고성능·저전력 반도체"라며 "AI 반도체에 최적화된 게이트올어라운드(GAA) 공정 기술과 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다. 이날 행사에는 영국 반도체 설계 기업인 암(Arm) 르네 하스 최고경영자(CEO)와 캐나다 AI 반도체 기업 그로크의 조나단 로스 CEO 등이 각각 협력사가 참여했다. 이들은 고객사 자격으로 무대에 올라 'AI 시대에 가속화되는 컴퓨트 플랫폼'과 '생성형 AI를 위한 그로크의 전환'을 주제로 연설했다. 한편, 올해 1분기 파운드리(반도체 위탁생산) 세계 1위 업체인 대만 TSMC와 삼성전자의 시장 점유율 격차가 더 커진 것으로 나타났다. 12일 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 글로벌 10대 파운드리 업체의 올해 1분기 합산 매출은 291억7200만달러로, 전 분기 대비 4.3% 감소했다. TSMC의 1분기 매출은 188억4700만달러로 전 분기 대비 4.1% 감소했다. AI 관련 고성능컴퓨터(HPC) 수요 강세에도 스마트폰 등 소비재 재고 비수기에 따른 것으로 해석된다. 다만 다른 경쟁사들의 부진으로 TSMC의 시장 점유율은 61.7%로 전 분기(61.2%)보다 0.5%포인트 증가했다. 업계 2위인 삼성전자의 1분기 매출은 33억5700만달러로, 7.2% 감소했다. 시장 점유율은 11.0%로 전 분기(11.3%)보다 0.3%포인트 감소했다. 이에 따라 TSMC와 삼성전자 간 점유율 격차는 2023년 4분기 49.9%포인트에서 2024년 1분기에 50.7%포인트로 확대됐다.
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삼성전자, AI칩 '원스톱' 솔루션 제공…2027년 첨단 파운드리 기술 도입
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인텔, 대만TSMC와 손잡고 엔비디아 대대적 반격
- 인텔이 대만 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC와 협력해 차세대 AI(인공지능) 프로세서 생산에 나섰다. 인텔은 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)보다 3분의 1 수준의 낮은 가격에 AI 가속기를 공급하겠다는 구상도 밝히며 엔비디아에 대해 대대적인 반격을 선언했다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 4일(현지시간) 대만 타이베이 난강 전시장에서 열린 ‘컴퓨텍스 2024’ 전시회 기조연설에서 올해 하반기 출시할 AI 프로세서 '루나 레이크'를 처음으로 소개했다. 제품은 인텔 내부가 아닌 TSMC의 3㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 공정에서 생산될 예정이다. 루나 레이크는 시스템온칩(SoC) 전력을 전작 대비 최대 40% 줄이고 AI 컴퓨팅 성능은 3배 이상 높인 프로세서다. 겔싱어 CEO는 올해 '루나 레이크'와 '애로우 레이크'를 출시한 데 이어 내년에는 '팬더 레이크'를 내놓겠다고 설명했다. 인텔의 서버용 CPU '제온 6' 칩도 선보였다. 6세대 프로세서 제온 6는 전작 대비 최대 4.2배 성능이 향상됐다. 이날 겔싱어 CEO는 AI칩 선두 기업인 엔비디아에 대응하기 위한 전략도 밝혔다. 뛰어난 가성비를 앞세워 엔비디아의 유일한 대항마로 자리매김한다는 전략이다. 인텔은 AI 시장에서 엔비디아와 AMD에게 빼앗긴 시장점유율을 되찾기 위한 분투하고 있다. 갤싱어 CEO는 "인텔의 AI 가속기 '가우디 2'는 경쟁사 AI용 GPU 가격의 3분의 1, '가우디 3'는 경쟁사 GPU 가격의 3분의 2 수준”이라고 말했다. 그는 "가우디 3는 동급 규모의 엔비디아 H100 GPU에 비해 학습 시간이 최대 40% 빠르다"며 "거대 언어모델(LLM)을 실행할 때 엔비디아 H100 대비 평균 최대 2배 빠른 추론을 제공할 것으로 예상된다"고 밝혔다 겔싱어 CEO는 삼성과의 협업도 언급했다. 그는 "삼성메디슨과 AI를 활용한 초음파 솔루션 관련해 협업하고 있다"며 “의사들은 AI를 활용해 쉽고 빠르게 초음파 이미지를 캡처할 수 있게 됐다"고 설명했다. 인텔은 연내 18A(1.8나노) 공정 양산에 들어가겠다고 한 기존 발표도 계획대로 진행되고 있다고 밝혔다. 겔싱어 CEO는 “다음 주에 18A 웨이퍼에서 나온 첫번째 칩을 구동시킬 예정”이라고 말했다. 이에 앞서 인텔은 18A 공정은 올해 말, 14A(1.4나노)공정은 2027년부터 도입해 TSMC와 삼성전자를 빠르게 따라잡겠다는 포부를 밝혔다. 2030년까지 세계 2위 파운드리가 돼 업계 리더십을 회복하겠다는 구상이다.
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인텔, 대만TSMC와 손잡고 엔비디아 대대적 반격
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미국, 삼성전자에 64억 달러 반도체 보조금 지급⋯역대 3번째 규모
- 미국 정부가 15일(현지시간) 삼성전자의 미국내 반도체 생산시설 투자에 64억 달러(약 8조8800억 원)의 보조금을 지급한고 발표했다. 로이터통신 등 외신들에 따르면 미국 상무부는 이날 보도자료를 통해 삼성전자와 미국 반도체법에 따라 최대 64억달러의 직접 자금을 지원한다는 내용의 구속력 없는 예비거래각서(PMT)를 체결했다고 밝혔다. 미국 정부 보조금은 삼성전자가 미국 내 반도체 생산 시설 투자를 촉진하기 위한 조치다. 조 바이든 대통령은 미국의 첨단 반도체 생산 능력 확보를 위해 2022년 반도체법에 서명했다. 삼성전자에 대한 지원금 규모는 현재까지 미국 정부가 발표한 자금 가운데 인텔(85억달러)·TSMC(66억달러)에 이어 세번째로 많다. 사업 투자금(450억 달러) 대비 비율은 TSMC나 인텔보다 높은 것으로 전해졌다. 상무부는 삼성전자를 "첨단 메모리와 첨단 로직 기술 모두를 선도하는 유일한 첨단반도체 기업"이라고 표현하며, 향후 400억달러(약 55조 5200억원) 이상을 미국에 투자할 예정이라고 설명했다. 구체적으로 삼성전자는 텍사스주에 있는 기존 사업장을 미국 내 첨단반도체 개발 및 생산을 위한 종합적인 단지로 전환하겠다고 상무부에 제안했다고 알려졌다. 테일러 지역에 4나노미터와 2나노미터 반도체 공장을 만들고, 연구개발(R&D)과 첨단 패키징 시설을 구축하며 오스틴 지역 기존 시설은 확장한다는 계획이다. 테일러의 첫 공장은 2026년 생산을 시작하고, 두 번째 공장은 2027년 생산을 시작할 예정이다. 지나 러몬도 상무장관은 "제안된 계획은 텍사스를 최첨단 반도체 생태계로 이끌 것이다. 미국은 이를 통해 10년 안에 세계 최첨단 칩의 20%를 생산한다는 목표를 달성할 것으로 전망된다"고 말했다. 아울러 삼성전자의 이번 투자로 1만7000개의 건설 일자리와 4500개 이상의 제조업 일자리가 만들어질 것으로 보고있다. 경계현 삼성전자 대표이사 사장(DS부문장)은 "단순히 생산시설을 확장하는 것이 아니라, 현지 반도체 생태계를 강화하고 미국을 글로벌 반도체 생산 거점으로 자리매김시키는 것"이라며 "AI 반도체와 같은 미래 제품에 대한 고객 수요 급증에 대응하기 위해 최첨단 공정 기술을 갖춘 공장을 갖추고 미국 반도체 공급망 안보 강화를 도울 것"이라고 전했다. 미국은 중국 등과 경쟁하는 상황에서 첨단기술에 대한 접근성이 국가안보에 직결된다고 보고있다. 레이얼 브레이너드 백악관 국가경제위원회(NEC) 위원장은 직접 관련 브리핑에 나서 "결과적으로 삼성전자가 오스틴에서 국방부를 위해 직접 반도체를 제조할 수 있게 될 것"이라고 말했다. 한편 TSMC의 경우 보조금에 더해 50억달러(약 6조9475억원) 규모의 대출지원을 받기로 했지만 삼성전자는 별도의 저리 대출 없이 순수 보조금만 받을 예정이다. 다만 보조금과 별도로 미 재무부에 투자세액 공제를 신청할 예정이며, 투자액의 최대 25%에 대한 세금을 감면받을 수 있다고 상무부는 설명했다. 삼성전자는 이날 미 텍사스주 테일러에서 관련 투자 발표 행사를 열었고, 해당 행사는 경 사장과 러몬도 장관이 직접 참석했다.
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미국, 삼성전자에 64억 달러 반도체 보조금 지급⋯역대 3번째 규모
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미국 인텔, 1.8나노 연말 양산⋯3년 뒤 1.4나노 공정 도입
- 미국 반도체 기업 인텔이 올 연말부터 1.8나노(㎚·10억분의 1m) 공정(18A)의 양산에 들어간다. 인텔은 이와함께 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획이다. 인텔은 또한 마이크로소프트(MS)가 자체 개발한 AI칩을 생산키로 했다. 인텔은 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 맥에너리 컨벤션센터에서 'IFS(인텔 파운드리 서비스) 다이렉트 커넥트' 행사를 열고 파운드리(반도체 수탁생산) 사업을 본격 출범한다고 밝혔다. 이날 행사는 인텔이 2021년 3월 파운드리 사업 진출을 선언한 이후 개최한 첫 협력사 행사다. 인텔은 당시 '향후 4년간 5개 공정을 개발하겠다'며 인텔 7나노부터 1.8나노까지 로드맵을 제시했다. 인텔은 이날 1.8나노 공정(18A)을 올 연말부터 양산에 들어간다고 밝혔다. 당초 양산 시작시점은 2025년부터라고 계획을 밝혔는데, 앞당겨진 것이다. 특히 5나노 이하 파운드리 양산은 TSMC와 삼성전자만 가능한데 이들 두 회사가 내년 2나노급 공정의 양산을 목표로 하고 있다. 인텔의 계획대로라면 삼성전자와 TSMC를 앞지르는 것이다. 인텔은 파운드리 후발 주자이지만, 지난해 9월 1.8나노급인 18A 공정 반도체 웨이퍼 시제품을 깜짝 공개하며 삼성전자와 TSMC를 긴장시켰다. 인텔은 1.8나노 공정에서는 MS의 칩을 생산한다고 밝혔다. 구체적인 칩 종류는 밝히지 않았지만 MS가 지난해 발표한 '마이아'라는 AI 칩으로 추정된다. 사티아 나델라 MS 최고경영자(CEO)는 이날 "가장 진보되고 고성능이며 고품질 반도체의 안정적인 공급이 필요하다"며 "그것이 우리가 인텔과 함께 일하는 것에 매우 흥분하는 이유"라고 말했다. 팻 겔싱어 인텔 CEO도 "전 세계에서 이것을 할 수 있는 기업은 단 몇 개뿐"이라며 "인텔의 18A 칩은 TSMC의 처리 속도를 능가할 것"이라고 강조했다. 인텔은 이날 이에 더해 2027년에는 1.4 나노 공정을 도입하겠다는 계획을 밝혔다. 1.4 나노 공정은 최첨단 반도체 공정으로, 삼성전자도 2027년부터 1.4 나노 공정을 통해 양산에 들어갈 것이라고 2022년 10월 발표했다. 세계 최대 파운드리 업체 대만 TSMC도 2027년 1.4나노 공정 상용화를 목표로 하고 있어 경쟁이 치열해질 전망이다. 겔싱어 CEO는 "인텔은 2030년까지 세계에서 두 번째로 큰 반도체 파운드리 기업을 목표로 하고 있다"고 재확인했다. 인텔은 앞서 2나노 이하 공정 양산을 기반으로 현재 파운드리 2위 기업인 삼성전자를 따라잡겠다는 목표를 밝혔다. 인텔은 또 영국 반도체 설계 기업 Arm(암) 기반 시스템-온-칩(SoC)을 위한 최첨단 파운드리 서비스를 제공하기 위해 Arm과 파트너십을 체결했다. Arm·시놉시스·케이던스·지멘스·엔시스 등 반도체 설계 자산(IP) 설계 자동화(EDA) 기업과 협력을 통해 AI 시대에 맞는 맞춤형 시스템즈 파운드리가 되겠다는 계획도 밝혔다. 겔싱어 CEO는 "AI는 세계를 변화시키고 있다"며 "이는 혁신적인 칩 디자이너들과 우리 파운드리에 전례 없는 기회가 될 것"이라고 지적했다.
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