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중국 화웨이, 미국 제재에도 첨단 AI칩 수율 2배 향상
- 미국의 제재에도 불구하고 중국 최대 IT기업 화웨이가 개발한 인공지능(AI) 반도체의 생산 수율이 두배로 높아진 것으로 알려졌다. 파이낸셜타임스(FT)는 25일(현지시간) 소식통을 인용해 화웨이의 최신 AI 반도체 생산 수율이 40% 가까이로 향상됐다고 보도했다. 수율은 생산품 대비 정상품 비율을 말한다. 화웨이의 AI 반도체 수율은 1년 전만 해도 20%대에 머물러 있었다. 하지만 수율이 2배가량 높아지면서 이제 AI반도체 생산라인이 수익성을 확보하는 단계에 올라섰다고 업계는 평가하고 있다. 현존하는 최고 성능의 AI용 GPU(그래픽처리장치)인 엔비디아의 'H100'을 위탁 생산하는 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC의 수율은 60% 정도다. 컨설팅업체 크리에이티브 스트래티지스의 오스틴 라이언스 반도체 애널리스트는 화웨이는 40%의 수율로도 상용화될 가능성이 있다고 평가했다. 화웨이는 지난해 H100에 필적할 만한 성능을 가진 '어센드 910C'을 개발했다고 홍보해왔다. 또, 올해 어센드 910C 10만개와 이전 버전인 '어센드 910B' 30만개를 생산할 계획으로 전해졌다. 화웨이 창업자 런정페이는 지난 17일 시진핑 국가주석이 참석한 심포지엄에서 "중국 첨단 기술에 핵심과 영혼이 부족하다는 우려가 완화됐다"고 밝힌 바 있는데 이런 기술 향상에 대한 자신감이 반영된 발언으로 해석된다. FT는 중국의 첨단 반도체 기술 개발을 막기 위해 미국이 관련 제품의 대중국 수출을 통제하고 있음에도 불구하고 AI 산업 자립에 필요한 컴퓨팅 인프라를 구축하려는 중국의 목표가 한걸음 가까워졌다고 평가했다. 미국 정부는 지난 2020년 미국의 핵심 기술이 중국군에 사용되는 것을 막는다는 명분을 내세워 중국군과 밀접히 관련된 화웨이가 미국산 장비를 이용해 만들어진 반도체를 구매하지 못하도록 제재했다. 이후 어려움을 겪던 화웨이는 지난 2003년 자체 개발·생산한 7㎚(10억분의 1ｍ)급 고사양 반도체를 장착한 스마트폰 '메이트60 프로'를 출시하며 미국의 제재를 돌파한 중국 기술독립의 상징으로 떠올랐다. 한편 로이터통신은 이날 중국 AI 스타트업 딥시크의 AI모델 출시 이후 중국 빅테크들이 엔비디아가 중국 수출용으로 개발한 저사양 AI용 GPU인 H20 주문량을 크게 늘리고 있다고 보도했다. 딥시크는 미국 정부의 고사양 AI 반도체 수출 통제로 구매가 힘든 H100 대신 비교적 저사양인 H800과 H20을 AI 모델 훈련에 사용했다. 현재는 H800도 중국 수출길이 막혔으며 향후 H20도 수출 통제 대상에 포함될 가능성이 높다.
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- IT/바이오
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중국 화웨이, 미국 제재에도 첨단 AI칩 수율 2배 향상
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[증시 레이더] 코스피 2,590선 안착…삼성생명 상승, 조선주 급락
- 14일 코스피가 강세를 보이며 2,590선에서 거래를 마쳤다. 한국거래소에 따르면 코스피는 전 거래일보다 7.88포인트(0.31%) 오른 2,591.05에 마감했다. 코스닥 지수도 7.04포인트(0.94%) 상승한 756.32를 기록했다. 이날 원/달러 환율은 4.0원 내린 1,443.5원으로 마감했다. 도널드 트럼프 전 미국 대통령이 상호관세 도입을 발표했으나, 4월 적용 예정이라는 점에서 불확실성이 다소 완화된 영향으로 풀이된다. 삼성생명(7.33%)이 삼성화재(6.56%) 자회사 편입을 추진한다는 소식에 삼성물산(4.93%)을 포함한 삼성그룹 관련주가 상승했다. 반면, 최근 급등했던 HD현대중공업(-8.61%) 등 조선주들은 일제히 하락했다. 코스닥시장에서는 오름테라퓨틱이 상장 첫날 9% 상승한 2만1,800원에 거래를 마쳤다. [미니해설] 코스피, 강세 유지하며 2,590선 마감⋯삼성그룹株 상승, 조선주 급락 14일 코스피가 강세 흐름을 보이며 2,590선을 기록했다. 한국거래소에 따르면 이날 코스피는 전장 대비 7.88포인트(0.31%) 오른 2,591.05에 마감했다. 장중 2,600선을 돌파하기도 했지만, 이후 상승 폭을 일부 반납했다. 코스닥 지수는 전 거래일 대비 7.04포인트(0.94%) 상승한 756.32로 장을 마쳤다. 환율 하락·트럼프 관세 정책 완화 기대감 반영 이날 원/달러 환율은 4.0원 내린 1,443.5원으로 마감했다. 도널드 트럼프 전 미국 대통령이 상호관세 정책을 발표했으나 4월부터 적용하겠다고 밝히면서 시장의 불확실성이 다소 완화됐다는 분석이다. 이에 따라 투자심리가 개선되면서 국내 증시에도 긍정적인 영향을 미쳤다. 삼성생명·삼성화재 편입 기대감⋯금융·방산주 상승 삼성생명(7.33%)은 금융위원회에 삼성화재(6.56%)를 자회사로 편입하는 신청을 했다는 소식이 전해지면서 강세를 보였다. 이에 따라 삼성물산(4.93%)을 포함한 삼성그룹 관련주도 동반 상승했다. 시장에서는 오버행(잠재적 매도 물량) 리스크 해소 기대감이 반영됐다는 분석이 나왔다. 이 외에도 삼성전자(0.36%), 삼성바이오로직스(0.08%), 한화에어로스페이스(3.29%), 현대모비스(2.67%), 메리츠금융지주(3.16%) 등이 상승 마감했다. SK하이닉스(0.72%), 한미반도체(0.80%), KB금융(0.38%), 한화오션(0.52%) 등은 상승했지만, 서울반도체(-0.68%), LG에너지솔루션(-1.40%), 현대차(-1.20%), 신한지주(-0.21%) 등은 하락했다. 조선주, 차익실현 매물에 급락 최근 급등세를 보였던 조선주들은 이날 급락했다. HD현대중공업(-8.61%), HD한국조선해양(-4.65%), HD현대미포(-3.69%), 삼성중공업(-5.22%) 등이 일제히 하락했다. 전문가들은 최근 주가가 단기간 급등하면서 차익실현 매물이 출회된 것으로 분석했다. LIG넥스원, 실적 호조에도 하락⋯방산주 조정 LIG넥스원은 전 거래일 대비 1.74% 하락한 283,000원에 거래를 마쳤다. 이날 회사는 지난해 연결 기준 영업이익이 2,308억 원으로 전년 대비 23.8% 증가했다고 공시했다. 매출은 3조2,771억 원으로 42.0% 늘었고, 순이익은 2,176억 원으로 24.4% 증가했다. 특히 작년 4분기 영업이익은 627억 원으로 전년 동기 대비 69.9% 증가했고, 매출과 순이익도 각각 1조1,686억 원(71.8%↑), 707억 원(41.9%↑)으로 호실적을 기록했다. LIG넥스원은 대함유도탄 방어 유도탄 ‘해궁’, 중어뢰-II ‘범상어’, 차세대 디지털 무전기 ‘TMMR’ 등 방산 제품의 양산 확대가 실적 개선의 주요 요인이라고 설명했다. 그러나 주가는 차익실현 매물 출회와 시장 전반적인 방산주 조정 흐름 속에 하락 마감했다. 오름테라퓨틱, 코스닥 상장 첫날 9% 상승⋯공모가 대비 강세 제약사 오름테라퓨틱이 코스닥 상장 첫날 9% 상승한 21,800원에 마감했다. 장 초반 오름테라퓨틱은 공모가(2만 원) 대비 49.75% 급등한 29,950원까지 올랐으나, 이후 상승 폭을 반납하며 마무리됐다. 오름테라퓨틱은 차세대 항암제를 개발 중인 바이오 기업으로, 지난해 11월 한 차례 상장 절차를 자진 철회한 바 있다. 이후 공모가를 낮춘 후 다시 상장 절차를 밟아 이번에 코스닥 시장에 입성했다. 시장에서는 바이오 업종 전반에 대한 투자 심리가 개선되고 있음에도 불구하고, 최근 미국의 금리 정책과 글로벌 증시 변동성이 바이오 종목의 주가 흐름에 영향을 미치고 있다는 평가가 나온다.
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- 금융/증권
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[증시 레이더] 코스피 2,590선 안착…삼성생명 상승, 조선주 급락
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TSMC, 트럼프 정부의 반도체 정책 발맞춰 미국 투자 확대
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업 TSMC가 도널드 트럼프 미국 대통령의 자국 내 반도체 생산 장려 정책에 적극적으로 호응하여 미국 투자 확대를 추진할 계획이라고 복수의 대만 언론이 소식통을 인용해 10일(현지시간) 보도했다. 10일부터 11일까지 양일간 미국 애리조나주 공장 부지에서 열리는 TSMC 이사회에서는 트럼프 대통령의 반도체 정책에 대한 투자 대응 방안이 핵심 의제로 논의될 예정이다. 특히, 이사회에서는 애리조나주 피닉스의 21팹(fab·반도체 생산공장)에 1.6㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 신규 건설 안건과 관련한 투자 결정이 이루어질 것으로 전망된다. TSMC는 이미 애리조나주 1공장(P1)에서 4나노 제품 양산을 개시했으며, 2공장(P2)은 올해 상량식 등을 마치고 2027년 3분기부터 3나노 제품 양산에 돌입할 계획이다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 향상된다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노로 알려져 있다. TSMC는 2나노 이상의 최첨단 분야에서 상당한 우위를 점하고 있다는 것이 전문가들의 평가다. 또한, 3공장(P3)은 올해 기공식에 들어가 2027년 연말에 반도체 생산 설비를 구축할 예정이다. 대만 언론에 따르면, 애리조나 TSMC 공장 부지는 향후 6공장(P6)까지 확장이 가능한 445㏊(헥타르·1㏊는 1만㎡)에 달한다. 이사회에서는 이와 더불어 미국 내 첫 번째 첨단 패키징 공장 건설 계획에 대한 검토도 이루어질 것으로 전해졌다. 지난달 취임한 트럼프 대통령은 최첨단 반도체의 미국 내 생산과 반도체 관련 관세 추가 부과 등에 대한 입장을 여러 차례 표명하며 TSMC의 미국 내 생산 확대를 압박하고 있는 것으로 알려졌다. 한편, TSMC는 지난달 21일 대만 남부 타이난 지역에서 발생한 규모 6.4 지진으로 인해 53억 대만달러(약 2천300억원)의 손실이 발생한 것으로 잠정 평가된다고 이날 밝혔다. 당시 대만 남부과학산업단지(난커·南科) 내 TSMC 공장의 웨이퍼(반도체 제조용 실리콘판) 손상이 예상보다 심각하여 폐기 물량이 수만 장에 달할 것으로 파악되었다. 보험 정산을 거친 최종 순손실액은 1분기 실적에 반영될 예정이다. TSMC는 생산량 회복에 만전을 기하고 있으며, 영업이익률 등 연간 전망에는 변동이 없을 것이라고 밝혔다. TSMC는 2023년 4월에도 규모 7.2 지진의 여파로 그해 2분기 총이익률이 약 0.5%포인트 감소한 바 있다. 한편, 지난 1월 매출은 2932억8800만 대만달러(약 12조9600억원)로, 지난해 동기 대비 35.9% 증가한 것으로 나타났다.
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- IT/바이오
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TSMC, 트럼프 정부의 반도체 정책 발맞춰 미국 투자 확대
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TSMC, 대만 남부에 1나노 반도체 공장 건설 계획
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁 생산) 업체인 대만 TSMC가 대만 남부 지역에 최첨단 1㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 생산 공장 건립에 나선다. 연합보 등 대만 현지 매체들은 3일(현지시간) 복수의 소식통을 인용해 TSMC가 남부 타이난 사룬 지역에 12인치(305㎜) 웨이퍼(반도체 제조용 실리콘판) 제품을 생산하는 25팹(fab·반도체 생산 공장) 건설을 결정했다고 보도했다. 소식통에 따르면 해당 팹은 공장 6개가 들어설 수 있는 초대형 규모로 남부과학단지 관리국에 25팹 P1∼P3 공장에 1.4나노, P4∼P6 공장에 1나노 공정을 구축하는 계획을 제출한 상태다. 업계 관계자는 TSMC의 이 같은 행보가 남부과학단지 내 자사의 첨단 3·5나노 생산 공장과의 시너지 확대 및 인근 자이·가오슝·핑둥 등의 과학단지와 연계 등을 고려한 것으로 보인다고 설명했다. 중부과학단지 타이중 지구 확장 건설 상황에 따라 TSMC가 해당 지역에 1.4나노 공장을 건설하고 25팹 P1∼P3 공장에 1나노, P4∼P6 공장에 0.7나노 공정 건설로 계획을 수정할 가능성도 있는 것으로 전해진다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비 전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. TSMC는 조 바이든 행정부에서 반도체지원법(칩스법)에 따라 66억 달러(약 9조6700억 원)의 보조금을 받아 애리조나 피닉스 등 미국 내 반도체 공장을 확대하는 등 해외 생산 거점을 늘려왔다. TSMC는 이를 통해 TSMC 공장의 외국 이전과 관련한 자국 내 우려를 불식시킬 계획인 것으로 알려졌다. 이에 대해 TSMC 측은 “공장 건설 장소 선정에 고려 사항이 많다”며 “대만은 주요 거점이며 공장 추가 건설과 관련해 어떠한 가능성도 배제하지 않고 있다”고 전했다. 인공지능(AI) 반도체 수요가 급증하면서 파운드리 업계 나노 경쟁은 격화하고 있는 추세다. 지난해까지는 3나노 공정 반도체가 첨단 칩 시장을 주도했고, 올해는 TSMC와 삼성전자 모두 2나노 칩을 양산할 계획이다. TSMC는 1나노대 초미세 공정 경쟁에서도 우위를 계속 가져가겠다는 전략인 것으로 분석된다. 당초 2027년 1.4나노 공정 도입을 계획했다. 하지만 지난해 이 계획을 1년 앞당겨 내년에 1.6나노 공정으로 반도체를 생산하겠다고 발표했다. 추격자인 삼성전자와 인텔은 2027년 1.4나노 공정을 도입한다는 계획이다.
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TSMC, 대만 남부에 1나노 반도체 공장 건설 계획
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삼성전자, HBM3E 개선 제품 1분기 말 공급…HBM4는 하반기 양산 목표
- 삼성전자는 31일 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 개선 제품을 1분기 말부터 주요 고객사에 공급할 예정이라고 밝혔다. 6세대 HBM4는 올해 하반기 양산을 목표로 한다. 다만 미국의 첨단반도체 수출 통제 등의 영향으로 1분기 HBM 제품의 일시적 판매 제약이 예상된다. 삼성전자는 4분기 HBM3E 공급을 확대하며 HBM3 매출을 넘어섰다고 밝혔다. 또한, 2분기 이후 고객 수요가 8단에서 12단으로 빠르게 전환될 것으로 전망하며, HBM 비트 공급량을 전년 대비 2배 확대할 계획이다. 박순철 신임 CFO는 이날 실적 콘퍼런스콜에서 "삼성전자는 위기 속에서도 기술력을 바탕으로 성장해왔다"며 "단기적 어려움을 극복하고 투자자 신뢰를 강화하겠다"고 강조했다. [미니해설] 삼성전자, HBM3E 개선 제품 공급 임박⋯HBM4는 하반기 양산 삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 경쟁력을 강화하고 있다. 31일 삼성전자는 HBM3E 개선 제품을 올해 1분기 말부터 주요 고객사에 공급할 계획이며, HBM4는 2025년 하반기 양산을 목표로 개발 중이라고 밝혔다. HBM3E 개선 제품, 1분기 말 공급⋯HBM4 양산 준비 삼성전자는 4분기 실적 콘퍼런스콜에서 "지난해 3분기부터 HBM3E 8단과 12단 제품을 양산했으며, 4분기에는 다수의 GPU 공급사 및 데이터센터 고객에게 공급을 확대했다"고 밝혔다. 이로 인해 HBM3E 매출이 HBM3 매출을 넘어선 성과를 기록했다. HBM3E 개선 제품도 계획대로 준비 중이다. 앞서 삼성전자는 지난해 10월 실적 콘퍼런스콜에서 "주요 고객사의 차세대 GPU 과제에 맞춰 HBM3E 개선 제품을 준비 중"이라며 "기존 제품은 기존 과제용으로 공급을 확대하고 개선 제품은 신규 과제용으로 추가 판매할 것"이라고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 2분기부터 HBM3E 개선 제품의 가시적인 공급 증가가 본격화될 것으로 전망했다. 미국 수출 규제와 HBM 수요 변화 삼성전자는 최근 미국 정부의 첨단 반도체 수출 통제 조치로 인해 1분기에는 HBM 제품의 일시적 판매 제약이 있을 것으로 내다봤다. 또한, 개선 제품 발표 이후 주요 고객사들의 기존 수요가 개선 제품으로 이동하면서 일시적인 수요 공백이 발생할 것으로 예상했다. 그러나 삼성전자는 "2분기 이후 고객 수요는 8단에서 12단으로 예상보다 빠르게 전환될 것"이라며, 이에 따라 HBM3E 개선 제품을 고객 수요에 맞춰 생산량을 확대하고, 2025년 전체 HBM 비트 공급량을 전년 대비 2배 수준으로 늘릴 계획"이라고 설명했다. HBM3E 16단 제품은 고객 상용화 수요가 없을 것으로 전망되지만, 16단 스택 기술 검증을 위해 이미 샘플을 제작해 주요 고객사에 제공했다. HBM4는 1c 나노 기반으로 개발 중이며, 2025년 하반기 양산을 목표로 한다. 또한, HBM4E 기반의 맞춤형 제품 개발을 위해 고객사와 기술 협의를 진행 중이다. 메모리 시장 전망과 전략 삼성전자는 메모리 시장이 단기적으로 약세를 이어갈 것으로 예상했다. 모바일과 PC 고객사의 재고 조정이 1분기까지 지속될 것으로 보이며, GPU 공급 제약으로 인해 일부 데이터센터 고객의 과제가 지연되면서 메모리 수요가 이연될 가능성이 크다는 분석이다. 이에 따라 삼성전자는 하이엔드 시장에 집중하고, DDR4와 LPDDR4의 비중을 줄이는 대신 HBM, DDR5, LPDDR5, GDDR7 등 고부가가치 제품의 비중을 확대하는 전략을 추진하고 있다. 특히 DDR4와 LPDDR4 매출 비중을 올해 한 자릿수 수준까지 급격히 축소할 계획이며, 공급 과잉 이슈가 삼성전자에 미칠 영향은 제한적일 것으로 전망된다. 트럼프 2기 출범 대비 전략 삼성전자는 미국 대선 결과에 따른 불확실성에도 대비하고 있다. 삼성전자는 "미국 대선뿐만 아니라 지정학적 환경 변화에 따라 다양한 시나리오를 기반으로 리스크와 기회를 분석하고 있다"며 "향후 정책 변화를 면밀히 주시하면서 사업 영향 분석과 대응 방안을 마련할 것"이라고 밝혔다. 이어 "미국을 포함한 전 세계 생산 역량, 글로벌 공급망 관리 능력, AI 기반 기술 경쟁력을 활용해 트럼프 행정부 출범에 따른 변화와 리스크에 적극 대응할 것"이라고 강조했다. 삼성전자 CFO, 투자자 신뢰 확보 강조 한편, 이날 실적 콘퍼런스콜에서 박순철 삼성전자 최고재무책임자(CFO)가 공식적으로 모습을 드러냈다. 박 CFO는 지난해 말 인사에서 새로 임명됐으며, 이번 콘퍼런스콜이 공식적인 첫 데뷔 무대였다. 박 CFO는 "삼성전자는 다양한 사업 포트폴리오를 보유하고 있으며, 비즈니스 사이클에 따른 변동성이 존재한다"며 "그러나 삼성전자는 항상 근본적인 기술력과 경쟁력을 바탕으로 위기를 극복해왔다"고 말했다. 이어 "현재 이슈는 반드시 짧은 시간 내 해결할 수 있으며, 이를 새로운 성장 기회로 만들 것"이라고 강조했다. 삼성전자는 주주 가치 제고를 위해 지난해 11월 10조 원 규모의 자사주 매입을 발표했고, 이후 3조 원 규모의 자사주를 취득 및 소각했다. 박 CFO는 "추가 7조 원에 대한 실행 시기와 방법은 차후 구체화해 공유할 것"이라고 설명했다. 그는 "2025년에도 불확실한 업황이 지속될 가능성이 크지만, 성장 전략과 수익성 제고 방안을 포함한 밸류업(기업 가치 상승) 계획을 조속히 발표할 수 있도록 노력하겠다"고 밝혔다. 마지막으로 박 CFO는 "투자자들이 삼성전자의 노력을 신뢰하고 지지해 주길 바란다"며 "CFO로서 투자자들과 적극적으로 소통하며 회사에 대한 신뢰를 강화하겠다"고 말했다. 변화하는 반도체 시장과 삼성전자의 대응 최근 중국 AI 스타트업 딥시크VLLM(DeepSeekVLLM)의 부상으로 인해 업계가 긴장하고 있다. 삼성전자는 "GPU에 들어가는 HBM을 여러 고객사에 공급하고 있는 만큼, 다양한 시나리오를 검토하며 업계 동향을 살피고 있다"고 밝혔다. 이어 "신기술 도입에 따른 시장 변화 가능성이 항상 존재하며, 현재의 제한된 정보로 판단하기에는 이르다"면서도 "시장의 장기적인 기회와 단기적 위험 요인이 공존하는 만큼, 급변하는 시장에 적기 대응할 것"이라고 강조했다.
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삼성전자, HBM3E 개선 제품 1분기 말 공급…HBM4는 하반기 양산 목표
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테슬라, 6월 '무인 택시' 시대 연다…저가 모델 출시로 수익성 확보 총력
- 테슬라가 오는 6월 미국 텍사스 오스틴에서 완전 무인 자율주행 택시(로보택시) 서비스를 출시한다. 4분기 실적이 월가 예상에 미치지 못했지만, 저가 모델과 자율주행 차량으로 미래 수익성을 확보하겠다는 전략이다. 일론 머스크 테슬라 CEO는 29일(현지시간) 4분기 실적 발표 후 컨퍼런스콜에서 "운전자 감독 없이 완전 자율주행(FSD) 서비스를 유료로 제공할 것"이라며 "올해 말까지 몇몇 도시로 확대 운영하고, 내년에는 미국 전역에서 서비스할 계획"이라고 밝혔다. 로이터 통신에 따르면 머스크는 6월에 자율주행 택시 서비스 테스트를 시작하며, 로보택시는 텍사스주 오스틴에서 운행을 시작해 올해 말 캘리포니아를 포함한 다른 주로 확대될 예정이다. 머스크는 로보택시 운영 방식에 대해 "올해까지는 테슬라 내부 차량으로 운영하고, 내년부터는 개인이 자신의 차량을 호출 서비스에 추가할 수 있도록 하겠다"고 설명했다. 테슬라는 로보택시 전용 차량인 '사이버캡(Cybercab)'을 2026년 양산할 계획이다. 테슬라 주가는 이날 뉴욕증시 정규장에서 하락했으나, 로보택시 발표 이후 시간 외 거래에서 4% 넘게 상승했다. [미니해설] 로보택시로 실적 만회 노리는 테슬라…'무인 택시 시대' 앞당긴다 테슬라가 오는 6월 미국 텍사스 오스틴에서 완전 무인 자율주행 택시(로보택시) 서비스를 시작하며 실적 부진 만회에 나선다. 일론 머스크 테슬라 CEO는 29일(현지시간) 4분기 실적 발표 후 컨퍼런스콜에서 "운전자 없이 작동하는 완전 자율주행(FSD) 서비스가 6월부터 오스틴에서 유료로 제공될 것"이라고 밝혔다. 로이터 통신에 따르면 테슬라의 4분기 영업이익률은 13.6%에 못 미쳐 예상치를 하회했고, 매출은 257억 달러로 예상치인 273억 달러에 미치지 못했다. 머스크는 "6월에 아무도 타지 않은 테슬라 차량이 도로를 달리게 될 것"이라며 "이는 먼 미래의 신화적 상황이 아니라, 불과 5개월 후의 현실"이라고 강조했다. '에어비앤비' 방식 차량 공유 모델 도입 머스크는 로보택시 서비스 초기 운영 방식에 대해 "올해까지는 테슬라 내부 차량으로 운영할 계획"이라며 "내년부터는 개인이 자신의 차량을 호출 서비스에 추가하거나 제외할 수 있도록 하겠다"고 밝혔다. 그는 "이 방식은 숙박 공유 서비스인 에어비앤비와 유사하다"며 "사용자가 원할 때 자신의 차량을 테슬라의 로보택시 네트워크에 등록하거나 삭제할 수 있도록 할 것"이라고 설명했다. 테슬라는 로보택시 전용 차량인 '사이버캡(Cybercab)'을 개발 중이며, 2026년 양산을 목표로 한다. 머스크 "진짜 자율주행 시대 온다"…기술 자신감 내비쳐 머스크는 자율주행 기술에 대한 회의론을 일축하며 "그동안 나를 '양치기 소년'이라고 부르는 사람들이 많았지만, 이번에는 진짜 '자율주행 늑대'가 온 것"이라고 자신감을 드러냈다. 그는 "완전자율주행(FSD) 버전 13을 통해 성능 개선이 이뤄졌고, 곧 출시될 버전 14는 더욱 획기적인 변화를 가져올 것"이라고 덧붙였다. 자율주행 기술 상용화 및 저가 모델 출시, '투 트랙' 전략 테슬라는 로보택시 서비스와 더불어 자율주행 기술 상용화에 박차를 가하는 동시에 저가 모델 출시를 통해 수익성을 제고한다는 계획이다. 머스크는 "올해 말까지 미국 내 몇몇 도시에서 로보택시 서비스를 추가로 출시하고, 내년에는 미국 전역으로 확대할 계획"이라고 말했다. 로이터 통신에 따르면 테슬라는 2025년 상반기에 더 저렴한 차량을 출시하기 위해 노력하고 있다. 테슬라는 지난해 4월 대량 판매를 위한 저가 차량 생산 계획을 철회했지만, 중국 BYD와 유럽의 BMW, 폭스바겐 등 경쟁업체들이 저가 모델을 출시하며 시장 점유율을 확대하고 있는 상황을 고려해 다시 저가 모델 출시에 나선 것으로 보인다. 현재 테슬라는 자율주행 소프트웨어 'FSD(Full Self Driving)'를 지속적으로 개선하고 있으며, 감독이 필요한 버전에서 점진적으로 완전 자율주행으로 전환하는 과정을 밟고 있다. 테슬라 주가, 로보택시 기대감에 반등 테슬라의 4분기 실적은 시장 기대에 미치지 못했지만, 머스크의 로보택시 발표 이후 테슬라 주가는 시간 외 거래에서 상승세로 전환됐다. 정규장에서 2.26% 하락한 389.10달러에 마감한 뒤, 시간 외 거래에서 4.15% 오른 405.25달러에 거래됐다. 테슬라의 자율주행 기술 상용화에 대한 기대감이 반영된 결과다.
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테슬라, 6월 '무인 택시' 시대 연다…저가 모델 출시로 수익성 확보 총력
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SK하이닉스, HBM 매출 100% 이상 성장 전망…HBM4 양산 준비
- SK하이닉스는 23일 올해 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 전년 대비 100% 이상 성장할 것이라며, HBM4 제품을 올해 하반기 중 개발과 양산 준비를 마치고 공급을 시작할 계획이라고 밝혔다. 지난해 HBM 매출은 전년 대비 4.5배 증가했으며, HBM3E 12단 제품은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지하며 공급 중이다. HBM4는 12단 제품으로 시작해 16단 제품은 내년 하반기 공급을 목표로 한다. SK하이닉스는 HBM 투자와 인프라 확대에 주력하고, AI 메모리 수요 성장에 따라 수익성 중심의 전략을 강화할 방침이다. [미니해설] SK하이닉스, HBM 기술로 메모리 반도체 시장 선도 SK하이닉스가 HBM4 기술로 올해 메모리 반도체 시장을 선도하겠다고 밝혔다. 올해 투자 대부분도 HBM과 인프라 투자에 집중할 방침이다. SK하이닉스는 23일 "올해 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 전년 대비 100% 이상 성장할 것"이라며, HBM4 제품의 하반기 양산 준비를 마치고 공급에 돌입할 계획이라고 말했다. 이번 발표는 지난해 4분기 및 연간 실적 발표 콘퍼런스콜에서 이루어졌으며, 회사는 HBM 기술력을 기반으로 한 안정적 이익 창출 구조를 강조했다. HBM 시장에서의 성과와 전략 지난해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 4.5배 증가했으며, 4분기에는 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지하며 사상 최대 실적을 기록했다. 특히, 세계 최초로 양산에 성공한 HBM3E 12단 제품은 올해 상반기 내 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. SK하이닉스는 6세대인 HBM4 개발에 있어 1b 나노 기술을 적용해 기술 안정성과 양산성을 확보하고 있다. 12단 제품으로 시작한 후, 고객의 요구에 따라 16단 제품은 내년 하반기부터 공급할 예정이다. 어드밴스드 MR-MUF 기술의 선제적 적용 경험을 바탕으로 HBM4 양산에도 동일한 기술을 도입할 계획이다. HBM4 개발에서는 최초로 베이스 다이에 로직 파운드리를 활용해 성능과 전력 효율을 강화하며, 이를 위해 TSMC와 협업 체계를 구축해 기술 경쟁력을 더욱 강화했다. AI 수요와 메모리 시장 변화 AI 기술의 확산과 고성능 메모리 수요 증가로 메모리 시장은 고품질, 고성능 제품 중심으로 전환되고 있다. SK하이닉스는 고객 맞춤형 제품을 적기에 제공하는 전략을 통해 D램 평균판매단가(ASP)를 10% 상승시키며 수익성을 확보했다. 특히, 주문형 반도체(ASIC) 기반 고객 수요가 증가하며 HBM 제품의 장기 계약 체결이 활발히 이루어지고 있다. SK하이닉스는 내년 HBM 공급 물량 대부분에 대한 가시성을 올해 상반기 중 확보할 것으로 전망하며, HBM의 높은 투자 비용을 고려해 안정적인 계약 구조를 유지할 계획이다. 미래 투자와 생산 인프라 확대 HBM과 인프라 투자에 집중하는 SK하이닉스는 청주의 M15X를 올해 4분기 중 오픈하고, 용인 클러스터 1기 팹은 2027년 2분기 가동을 목표로 올해부터 공사를 시작한다. 올해 투자 규모는 HBM과 미래 성장 인프라 확보에 중점을 두며, 지난해 대비 증가할 것으로 예상된다. 낸드 사업은 기존 수익성 중심 운영 기조를 유지하며, 시장 상황에 따라 생산을 탄력적으로 조정하고 재고 정상화에 집중할 방침이다. HBM 중심 성장 전략의 의미 SK하이닉스는 HBM 기술력을 기반으로 메모리 반도체 시장의 변화를 주도하고 있다. 인공지능(AI) 시장의 성장과 맞물려 HBM 수요가 지속적으로 증가할 것으로 예상되며, 회사는 고객 맞춤형 제품을 적시에 공급함으로써 안정적인 이익 창출 구조를 확보하고 있다. 앞으로도 SK하이닉스는 HBM 시장에서의 선도적 위치를 공고히 하며, 고성능 메모리 기술로 글로벌 메모리 반도체 시장의 핵심 플레이어로 자리매김할 것으로 기대된다.
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- IT/바이오
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SK하이닉스, HBM 매출 100% 이상 성장 전망…HBM4 양산 준비
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바이든, 첨단반도체 중국 유입 차단 위해 규제 강화⋯삼성·TSMC 영향
- 조 바이든 미국 행정부가 15일(현지시간) 삼성전자와 대만 TSMC가 생산한 첨단 반도체의 중국 유입을 막기 위해 추가 규제를 발표했다. 로이터통신 등 외신들에 따르면 바이든 행정부는 이날 삼성전자, TSMC, 인텔 등의 반도체 제조업체들이 고객에 대해 철저한 검토와 강화된 실사를 진행하도록 하는 규정을 내놓았다. 이번 규제 대상은 16개의 중국 및 싱가포르 기업이다. 이번 제재 대상에는 미국의 블랙리스트에 오른 화웨이테크놀로지스가 TSMC의 반도체를 확보하는 데 관여했다는 혐의를 받는 소프고테크놀로지도 포함됐다. 미국 상무부는 중국의 반도체 산업을 구축하기 위해 '중국 정부의 요청에 따라 행동하고 있는 기업'에 제재를 가하는 것이라고 밝혔다. 상무부는 파운드리(반도체 위탁생산)와 패키징 기업의 반도체 수출에 대한 라이선스와 관련된 의무사항도 강화했다. 다만 성능이 특정 수준 이하고 "신뢰할 수 있는 고객사"에서 생산됐다는 점이 입증된 프로세서거나 기술적 역량이 확인됐고 미국 정부의 허가를 받은 업체가 패키징한 칩에는 적용되지 않는다. 지나 러먼도 미 상무부 장관은 성명에서 "이 규정은 우리의 통제 조치를 더욱 강화하고 목표를 정교화해서 미국의 법을 우회하고 국가안보를 약화시키려는 중국과 다른 국가들의 시도를 막는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 그는 "첨단 반도체에 대한 접근을 제한하고 규정을 강력히 집행하며 새롭게 부상하는 위협에 선제적으로 대응해서 국가안보를 계속해서 지켜나갈 것"이라고 강조했다. 로이터통신은 "AI 애플리케이션에 사용될 수 있는 14나노미터(㎚) 또는 16㎚ 노드 이하의 칩을 대상으로 하는 새 규제는 TSMC 외에도 다른 기업에도 영향을 미칠 것"이라며 "삼성의 매출도 타격을 입을 가능성이 있다"고 전했다. 19일 임기를 마치는 바이든은 막바지까지 중국에 대한 첨단 반도체 규제를 강화하고 있다. 지난 13일에는 미 상무부는 더욱 강화된 AI 반도체 수출 통제 조치를 공개했다. 이 규제는 엔비디아 등이 만든 첨단 AI 반도체가 중국으로 유입되는 것을 차단하기 위해 한국을 포함한 동맹국을 제외한 대부분의 국가에 AI 반도체 수출 한도를 설정했다. 미국 AI 칩, 해당 국가 AI 시스템 훈련 금지 또 중국을 포함한 20여개의 우려국에 대해서는 기존 수출 통제가 유지돼서 미국의 AI 칩이 해당 국가의 AI 시스템을 훈련하는 것이 금지된다. 지난해 10월 화웨이가 TSMC가 만든 칩을 비밀리에 입수해 활용한 것으로 확인됐다. 이후 미국 상무부는 TSMC에 중국 고객사를 위해 7㎚ 이하의 칩을 생산하지 않을 것을 요청한 것으로 알려졌다. 또 미 정부는 화웨이와 같은 중국 업체가 첨단 반도체를 확보할 수 있는 우회로를 차단하는 데 주력하고 있다. 블룸버그통신은 "이번 규제는 첨단 반도체가 여전히 중국과 러시아로 유입되고 있다는 것을 인정하는 것"이라고 분석했다. "국내 반도체 영향 제한적" 전망 국내 반도체 업계는 국내 기업이 받는 영향은 제한적일 것으로 예상하고 있다. 업계 관계자는 "이번 조치는 미국 블랙리스트에 오른 중국 화웨이의 기기에서 첨단 칩이 발견된 TSMC를 겨냥한 것으로 보인다"며 "삼성전자가 중국 수출 물량을 공개하진 않지만 전체 반도체 수출에서 파운드리 비중이 낮은데다 이미 2023년 중국 SMIC가 7나노 반도체 양산에 성공해 (이번 조치로 인한) 타격은 크지 않을 것"이라고 말했다. 정부 관계자 역시 "우리 기업에 미칠 영향이 제한적일 거라고 보지만 추가 세부 조항을 면밀히 살피겠다"고 밝혔다.
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바이든, 첨단반도체 중국 유입 차단 위해 규제 강화⋯삼성·TSMC 영향
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TSMC, 미국서도 첨단 반도체 양산 체제 갖춰-4나노 생산 돌입
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC가 미국 애리조나 공장에서 최첨단 4나노(1나노는 10억분의 1) 칩 양산을 시작했다고 지나 러몬도 미 상무장관이 밝혔다. 12일(현지시간) 로이터통신에 따르면 러몬도 상무장관이 인터뷰에서 "미국 역사상 처음으로 미국 땅에서 4나노 칩을 생산하고 있다"며 TSMC의 4나노 칩 양산 소식을 전했다. 러몬도 장관은 이어 "미국 노동자들이 대만과 동일한 수준의 수율과 품질로 첨단 4나노미터 칩을 생산하고 있다"며 "최근 몇 주간 생산이 시작됐다"고 설명했다. 러몬도 장관은 "이것은 큰 성과이자, 이전에는 한 번도 이뤄진 적이 없었고 많은 사람이 불가능하다고 생각했던 일"이라며 "이는 바이든 행정부의 반도체 노력에 이정표가 될 것"이라고 강조했다. 현재 가장 앞선 파운드리 상용 기술은 3나노 공정으로 TSMC와 삼성전자는 대만과 한국에서 각각 3나노 제품을 양산 중이다. 바이든 행정부는 막대한 보조금을 제공하며 글로벌 반도체 업체의 미국 내 공장 건설을 독려해 왔으며 지난해 11월 TSMC에 지급할 반도체 지원금 66억 달러를 확정했다. TSMC는 앞서 지난 4월 미국 내 투자 규모를 650억달러로 확대하고, 2030년까지 애리조나주에 2나노 공정이 활용될 세 번째 팹(fab·반도체 생산공장)을 건설한다는 계획을 발표하기도 했다. 러몬도 장관은 이는 상무부가 TSMC를 설득해 미국 내 계획을 확장하도록 했다고 말했다. 그는 "이 일은 저절로 이뤄진 것이 아니다"라며 "TSMC가 확장을 원하도록 우리가 설득해야 했다"고 밝혔다.
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TSMC, 미국서도 첨단 반도체 양산 체제 갖춰-4나노 생산 돌입
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[CES 2025] "SK하이닉스 HBM 개발 속도, 엔비디아 요구 초과 "⋯최태원 회장 발언
- 최태원 SK그룹 회장은 8일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 'CES 2025'에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 SK하이닉스의 고대역폭 메모리(HBM) 개발 속도가 엔비디아의 요구를 넘어섰다고 밝혔다. 최 회장은 SK 전시관에서 열린 기자간담회에서 "오늘 젠슨 황 CEO와 만나 SK하이닉스의 개발 속도가 최근 엔비디아의 기대를 앞지르고 있다는 이야기를 나눴다"고 말했다. 이번 발언은 황 CEO가 전날 기자간담회에서 최 회장과의 만남을 언급하며 기대감을 드러낸 데 대한 답변으로, 두 사람의 회동에 업계의 관심이 집중됐다. 최 회장은 "그동안 SK하이닉스의 개발 속도가 엔비디아에 비해 다소 늦었지만 최근에는 엔비디아의 개발 속도를 추월하고 있는 상황"이라며 "서로 개발 속도를 높이는 경쟁이 본격화됐다"고 설명했다. 이어 "이제는 약간의 역전 현상이 일어나고 있으며 앞으로도 이러한 경쟁 구도가 지속될 것"이라고 덧붙였다. SK하이닉스는 지난해 3월 업계 최초로 HBM3E 8단 제품을 납품한 데 이어, 10월에는 12단 제품 양산에 돌입하며 HBM 시장에서 선도적 위치를 확보하고 있다. 최 회장은 HBM 공급 관련 진행 상황에 대해 "올해 공급량 등은 이미 실무진에서 결정됐으며, 이번 만남에서는 이를 재확인하는 정도였다"고 말했다. 또한 황 CEO가 CES 기조연설에서 언급한 '피지컬 AI'에 대해서도 논의했다고 밝혔다. 최 회장은 "황 CEO와 피지컬 AI 및 디지털 트윈 분야에서 협력 가능성에 대해 논의했으며, 향후 심도 있게 협력 방안을 모색하기로 했다"고 전했다. 삼성전자와 SK하이닉스의 그래픽 메모리 생산을 언급한 황 CEO의 발언에 대해 일각에서 경쟁사 견제 해석이 나왔지만, 최 회장은 "크게 의미를 둘 사안은 아니다"라고 일축했다. 최 회장은 "엔비디아는 GPU를 만드는 기업이지만, 컴퓨팅 설루션을 효율적으로 개발하는 데 중점을 두고 있다"며 "세부적인 부품 설루션에 대해 모든 것을 파악하기는 어렵다"고 설명했다. AI 사업에 대한 입장도 밝혔다. 최 회장은 "AI는 선택이 아닌 필수이며 모든 산업에 변화를 가져오고 있다"며 "변화의 흐름을 주도하는 기업이 될 것인지, 뒤따를 것인지는 기업의 미래를 좌우할 것"이라고 강조했다. SK그룹은 CES 2025에서 'AI 기술을 통한 지속 가능한 미래'를 주제로 부스를 마련하고, SK하이닉스의 HBM3E 16단 제품, SKC의 유리 기판 기술 등을 선보였다. 최 회장은 SKC의 유리 기판 기술에 대해 "방금 팔고 왔다"고 농담하며 현장 분위기를 전했다. 개인 AI 에이전트 '에스터' 시연 과정에서는 AI 파운데이션 모델에 대한 질문을 여러 차례 던지며 기술에 대한 높은 관심을 드러냈다. 젠슨 황, "우리 GPU에 삼성전자 메모리칩 사용" 발언 정정 한편, 젠슨 황 엔비디아 CEO는 자사의 게임용 새 그래픽처리장치(GPU)에 삼성전자의 메모리칩이 사용되지 않는다는 기존 발언을 정정했다. 황 CEO는 8일(현지시간) 성명을 통해 "지포스 RTX 50 시리즈에는 삼성전자를 포함한 다양한 파트너사의 GDDR7 제품이 탑재된다"고 밝혔다. 황 CEO는 "삼성을 시작으로"라는 표현을 사용해 삼성전자가 지포스 RTX 50 시리즈의 메모리 공급 파트너 중 하나임을 언급했다. 이 같은 발언은 전날 CES 2025가 열리고 있는 미국 라스베이거스에서 열린 글로벌 기자 간담회에서 했던 자신의 발언을 수정한 것이다. 황 CEO는 지난 6일 CES 2025 기조연설에서 새로운 GPU인 지포스 'RTX 50' 시리즈를 공개하며, 해당 제품에 마이크론의 GDDR7 메모리가 탑재된다고 밝혔다. 당시 삼성전자는 언급되지 않아, 마이크론 메모리만 사용되는 것으로 해석됐다. 7일 열린 글로벌 기자 간담회에서 황 CEO는 삼성과 SK하이닉스의 메모리칩이 탑재되지 않은 이유에 대해 "삼성과 SK는 그래픽 메모리가 없는 것으로 알고 있다. 그들도 생산합니까?"라고 되물었다. 이어 "내가 그렇게 말했다고 하지 말라"며 "왜 그런지는 모르겠지만 큰 의미는 없다"고 발언을 수습했다. 이 발언은 삼성전자와 SK하이닉스가 실제로 그래픽 메모리를 생산하고 있음에도 불구하고 이를 잘못 알고 한 것으로 해석돼 논란이 일었다.
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[CES 2025] "SK하이닉스 HBM 개발 속도, 엔비디아 요구 초과 "⋯최태원 회장 발언
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일본 라피더스, 브로드컴과 협력 6월까지 2나노 시제품 공급
- 일본 반도체 기업 라피더스가 미국 반도체 기업 브로드컴에 6월까지 최첨단 2나노(㎚·10억분의 1m) 반도체 시제품을 공급한다고 닛케이(日本經濟新聞)가 8일(현지시간) 보도했다. 2022년 설립된 라피더스는 고객사가 설계한 반도체를 수탁 생산하는 업체로 오는 4월 2나노 제품의 시험 생산에 나서며 2027년부터 양산 공장을 가동한다는 목표를 세워둔 상태다. 공장을 안정적으로 가동하기 위해서는 고객을 우선 확보해야 하는데 세계 5위 반도체 업체인 브로드컴과 손을 잡게 되는 것이다. 브로드컴은 라피더스의 2나노 반도체 성능을 확인한 후 데이터 센터용 반도체 등의 생산을 라피더스에 위탁할 계획이다. 닛케이는 "유력 고객을 위한 시제품 생산이 성공하면 본격적인 사업화를 위해 한 걸음 더 나아가게 된다"고 평가했다. 팹리스(반도체 설계전문) 업체인 브로드컴은 인공지능(AI) 칩 선두 주자인 엔비디아처럼 자체 AI 칩을 개발하지는 않는다. 그러나 거대 정보통신기업과 맞춤형 칩 개발을 통해 AI칩 시장의 80% 이상을 장악한 엔비디아를 위협할 수 있다는 전망이 나오고 있다. 이에 따라 지난달 브로드컴의 시가총액은 처음으로 1조 달러(약 1460조 원)를 넘어섰다. 브로드컴은 데이터 센터용 반도체 설계에 강점을 갖고 있으며 구글이나 메타 등을 고객으로 두고 있다. 라피더스는 브로드컴과 협력함으로써 브로드컴 고객사에 반도체를 공급할 수 있게 된다. 라피더스는 브로드컴 이외에도 일본 스타트업 프리퍼드 네크웍스로부터 2나노 제품을 수탁생산 할 예정이다. 아울러 대만 팹리스 업체인 알칩(Alchip·世芯), 유니칩(GUC·創意)과도 협업을 추진하고 있다. 라피더스는 고객 확보를 위해 신흥 기업을 중심으로 30∼40개 업체와 반도체 수탁 생산 협상을 진행 중이다. 라피더스는 도요타, 키옥시아, 소니, NTT, 소프트뱅크, NEC, 덴소, 미쓰비시UFJ은행 등 일본 대표 대기업 8곳이 첨단 반도체 국산화를 위해 2022년 설립한 회사다.
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일본 라피더스, 브로드컴과 협력 6월까지 2나노 시제품 공급
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삼성전자, 작년 4분기 영업이익 6조5천억원⋯시장 전망치 하회
- 삼성전자가 지난해 4분기 6조5000억원의 영업이익을 기록해 시장 전망치를 크게 밑돌았다. 글로벌 경기 침체로 IT 수요가 부진했던 영향이 컸다. 8일 삼성전자는 연결 기준 작년 4분기 영업이익이 전년 동기 대비 130.5% 증가했지만, 직전 분기보다는 29.19% 감소했다고 공시했다. 이는 시장 전망치(7조7096억원)보다 15.7% 낮은 수준이다. 작년 4분기 매출은 75조원으로 전년 동기 대비 10.65% 증가했으나, 전 분기 대비 5.18% 감소했다. 삼성전자는 IT 수요 침체로 반도체 사업부 실적이 하락했다고 설명했다. 메모리 수요가 부진했지만 고용량 제품 판매 확대로 이를 만회하려 했으나, 연구개발비 증가와 생산 비용 상승으로 실적이 감소했다. 비메모리 부문 역시 주요 시장의 수요 둔화와 가동률 하락으로 부진을 면치 못했다. 디스플레이와 모바일 부문도 경쟁 심화로 수익성이 둔화된 것으로 보인다. 한편 삼성전자는 오는 31일 사업부별 구체적인 실적을 발표할 예정이다. [미니해설] 삼성전자, 4분기 '어닝 쇼크'⋯글로벌 경기 침체 직격탄" 삼성전자가 지난해 4분기 영업이익 6조5000억원을 기록하며 시장 기대를 밑돌았다. IT 수요 부진과 글로벌 경기 침체 장기화가 주요 원인으로 분석된다. 삼성전자는 이날 공시에서 작년 4분기 영업이익이 전년 대비 130.5% 증가했으나, 직전 분기 대비 29.19% 감소했다고 발표했다. 시장 전망치인 7조7000억원을 15.7% 하회하는 수준으로, 이미 하향 조정된 기대에도 미치지 못했다. 매출은 75조원으로 전년 동기 대비 10.65% 증가했지만, 전 분기보다 5.18% 감소했다. 삼성전자는 글로벌 경기 둔화에 따른 스마트폰과 PC 등 IT 기기의 수요 둔화가 범용 메모리 수익성 악화로 이어졌다고 설명했다. 반도체 사업 부진⋯메모리 수요 약세와 비용 증가가 원인 삼성전자의 반도체 사업부는 IT 수요 둔화에 따라 실적이 악화됐다. 메모리 사업은 고용량 제품 판매가 확대되었으나, 연구개발 비용 증가와 선단 공정 생산능력 확대에 따른 초기 비용 상승으로 인해 수익성이 저하됐다. 비메모리 부문 역시 주요 응용처 수요가 감소하면서 가동률 하락과 연구개발 비용 증가로 실적이 부진했다. 특히 HBM(고대역폭 메모리) 수요는 꾸준하지만, 삼성전자의 양산 일정이 지연돼 실적 기여도가 제한적이었다. 모바일·디스플레이 부문, 경쟁 심화와 수요 둔화로 수익성 악화 디스플레이와 모바일 부문 역시 부진했다. 디스플레이 부문은 경쟁 심화로 수익성이 악화됐고, 모바일 부문은 신제품 출시 효과가 사라지고 비수기에 접어들면서 판매 둔화가 발생했다. TV와 가전 부문도 연말 경쟁 심화로 수익성이 저하됐다. 증권업계에서는 삼성전자의 반도체 사업부가 약 3조원의 영업이익을 기록한 것으로 추정하며, 모바일 사업부는 약 2조원, 디스플레이 사업부는 1조원, TV와 가전 부문은 3000억원 정도의 영업이익을 낸 것으로 보고 있다. 연간 매출 300조원대 회복 삼성전자의 연간 영업이익은 32조7300억원으로 전년 대비 398.17% 증가했다. 연간 매출은 300조800억원으로 전년 대비 15.89% 증가하며 300조원대를 회복했다. 삼성전자는 오는 31일 작년 4분기와 연간 확정 실적을 발표하며, 부문별 구체적인 실적을 공개할 예정이다. 업계는 2024년에도 글로벌 경기 회복 여부와 IT 수요 변화에 따라 삼성전자의 실적이 크게 좌우될 것으로 전망하고 있다.
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삼성전자, 작년 4분기 영업이익 6조5천억원⋯시장 전망치 하회
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TSMC, 계획대로 일본 구마모토 1공장 양산 돌입
- 세계 최대 파운드리(반도체 위탁 생산) 업체인 대만 TSMC가 일본 구마모토(熊本)에 건설한 1공장이 이달 반도체 양산을 시작했다. 27일(현지시간) 닛케이(니혼게이자이신문) 등에 따르면 TSMC는 “(구마모토) 1공장이 모든 프로세스 인증을 완료하고 이달 계획대로 양산에 들어갔다”며 “일본의 안정된 첨단 반도체 생산 거점으로 성장해 글로벌 반도체 생태계에 기여할 것”이라고 밝혔다. 기무라 다카시(木村敬) 구마모토현 지사 역시 이날 기자회견을 열고 “1공장이 예정대로 이달 양산 단계에 들어갔다는 보고를 받았다”며 “양산 개시에 대해 기쁘게 생각한다”고 말했다. TSMC의 구마모토 1공장은 2021년 가을 공장 건설이 결정된 후 이달 양산까지 모든 과정이 약 3년 만에 ‘초스피드’로 진행됐다는 평가를 받는다. 2022년 4월 착공된 1공장은 지난해 하반기 시설을 거의 완공했다. 올 2월 개소한 후로는 시험생산을 계속 진행해왔다. 1공장은 스마트폰과 자동차, 산업 기기 등에 폭넓게 탑재되는 12~16㎚(나노미터·10억분의 1m) 및 22~28나노 반도체를 월간 5만 5000장(300㎜ 실리콘 웨이퍼 기준) 생산할 수 있는 설비를 갖춘 것으로 알려졌다. TSMC는 내년 초 구마모토 1공장 동쪽 인근에 2공장을 건설하기 위한 작업에 본격 착수할 예정이다. 일본 정부는 2공장 건설에 최대 7320억 엔을 지원한다. 2공장에서는 인공지능(AI), 자율주행 등 최첨단 기술에 쓰이는 6~7나노 반도체를 생산할 계획이며 2027년 말 양산을 목표로 하고 있다. 닛케이에 따르면 TSMC가 구마모토 1·2공장에 투입한 총투자액은 200억 달러(약 29조550억 원)에 달한다. 두 공장 모두 양산을 개시할 경우 월 평균 생산능력은 10만 장 이상으로 확대될 것으로 전망된다. TSMC 1·2공장을 중심으로 일본 현지 업체들 역시 구마모토를 생산 거점화하고 있다. 소니그룹의 경우 TSMC 1공장 인근에 반도체 신공장을 짓고 있다. 도쿄일렉트론의 생산 자회사인 도쿄일렉트론규슈 역시 내년 여름께 연구개발(R&D) 시설을 열 예정이다.
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TSMC, 계획대로 일본 구마모토 1공장 양산 돌입
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삼성전자, 美 텍사스 공장 2026년 조기 가동⋯상무부 보조금 6.9조 확정
- 삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 건설 중인 최첨단 반도체 공장 가동에 속도를 낸다. 미국 상무부가 20일(현지시간) 삼성전자에 47억 4500만 달러(약 6조 9000억 원) 규모의 반도체 보조금 지원을 최종 확정했기 때문이다. 이는 당초 예상보다 줄어든 규모지만, 삼성전자는 2026년 테일러 공장 가동 목표를 앞당기고 첨단 로직 반도체 생산 및 R&D 허브로 육성할 계획이다. 지나 라이몬도 미 상무부 장관은 "삼성전자의 투자로 미국은 세계에서 유일하게 5대 첨단 반도체 제조업체를 모두 보유한 국가가 됐다"며 "미국 내 반도체 생태계 강화와 공급망 안정화에 크게 기여할 것"이라고 평가했다. [미니해설] 美 반도체 보조금 확보⋯삼성, 테일러 공장으로 글로벌 경쟁 '정조준' 삼성전자가 미국 반도체법에 따른 보조금 지원을 확정받으며 텍사스주 테일러시에 건설 중인 차세대 반도체 공장 가동 준비에 박차를 가하고 있다. 이는 미국이 반도체 제조 경쟁력 강화를 위해 2022년 제정한 칩스법(CHIPS Act)의 일환으로, 미·중 기술 패권 경쟁 속에서 자국 내 반도체 생산 기반을 강화하려는 미국의 전략적 행보로 풀이된다. 47억 달러 지원⋯삼성, "첨단 미세공정 개발 가속화" 삼성전자는 미국 상무부와의 협상 끝에 47억 4500만 달러(약 6조 9000억 원)의 보조금을 확보했다. 당초 발표된 64억 달러보다 감소했지만, 삼성전자는 이를 통해 2026년 테일러 공장 가동을 앞당기고 첨단 로직 반도체 생산 및 연구개발(R&D) 허브로 육성할 계획이다. 2030년까지 총 370억 달러 이상을 투자하여 최첨단 3나노, 2나노급 반도체 생산 라인을 구축하고, 파운드리(반도체 위탁생산) 사업 경쟁력 강화에 나선다는 전략이다. 삼성전자 관계자는 "중장기 투자 계획을 수정해 전반적인 투자 효율성을 최적화했다"며 "이번 지원을 통해 첨단 미세공정 개발에 박차를 가하고, 미국 내 고객사와의 협력을 강화할 것"이라고 밝혔다. 이번 보조금 지원은 미국 정부가 글로벌 반도체 제조 공급망 주도권을 확보하기 위한 핵심 전략으로 풀이된다. 지나 라이몬도 미 상무부 장관은 "삼성전자에 대한 이번 투자로 미국은 세계에서 유일하게 5대 첨단 반도체 제조업체(삼성전자, TSMC, 인텔, 마이크론, 글로벌파운드리)를 모두 보유한 국가가 됐다"고 강조했다. 미국은 칩스법을 통해 자국 내 반도체 생산 시설 유치에 총력을 기울이고 있다. 텍사스인스트루먼트(TI)는 텍사스주와 유타주에 총 180억 달러를 투자하며 16억 1000만 달러의 보조금을 지원받았고, 앰코는 애리조나주에 첨단 반도체 패키징 시설을 구축하기 위해 4억 700만 달러를 지원받는 등 반도체 기업들의 미국 내 투자가 활발히 이뤄지고 있다. 격화되는 미·중 반도체 전쟁…삼성, '기술 초격차'로 승부수 글로벌 반도체 시장은 미·중 기술 패권 경쟁 심화 속에 치열한 경쟁 국면에 접어들었다. 대만 TSMC는 내년부터 2나노미터(㎚) 공정 제품 양산에 돌입할 예정이며, 미국 인텔도 78억 달러 규모의 보조금을 확보하며 공격적인 투자에 나서고 있다. 중국은 미국산 칩의 안정성에 대한 의혹을 제기하며 견제에 나서는 등 반도체를 둘러싼 갈등이 고조되고 있다. 이러한 상황에서 삼성전자는 이번 보조금을 기반으로 2나노 공정 생산량 확대와 테일러 공장 가동에 전력을 다할 것으로 보인다. 한진만 삼성전자 파운드리사업부장은 "내년에 가시적인 턴어라운드를 기대할 수 있을 것"이라며 첨단 공정 기술 개발에 대한 강한 의지를 드러냈다. 삼성전자는 '기술 초격차' 전략을 통해 글로벌 파운드리 시장 1위인 TSMC를 추격하고, 인텔 등 경쟁사를 따돌리겠다는 목표다. 테일러 공장, '글로벌 반도체 허브' 도약…삼성, 미래 성장 동력 확보 테일러 공장은 삼성전자의 미래 성장 동력 확보를 위한 핵심 거점으로 부상할 전망이다. 삼성전자는 이곳에 최첨단 로직 반도체 생산 라인과 연구개발 시설을 구축하여 미국 내 주요 고객사와의 협력을 강화하고, 안정적인 공급망을 구축하여 글로벌 반도체 시장에서의 영향력을 확대할 계획이다. 업계 전문가들은 "삼성전자의 테일러 공장은 단순한 생산 기지를 넘어 글로벌 반도체 기술 경쟁력 확보와 안정적인 공급망 구축에 중추적인 역할을 담당할 것"이라며 "미·중 기술 패권 경쟁 속에서 삼성전자가 어떤 전략으로 글로벌 리더십을 강화해나갈지 주목된다"고 분석했다.
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삼성전자, 美 텍사스 공장 2026년 조기 가동⋯상무부 보조금 6.9조 확정
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美정부, SK하이닉스에 6600억원 보조금 지급 확정
- 미국 정부가 반도체법(Chips Act)에 따라 SK하이닉스에 6600억 원대의 직접 보조금을 지급하기 위한 계약을 최종적으로 체결했다. 미국 상무부는 19일(현지시간) 성명을 통해 반도체법에 따른 자금 조달 프로그램에 근거, SK하이닉스에 최대 4억 5800만 달러(약 6639억 원)의 직접 보조금을 지급한다고 밝혔다. 그러면서 이 자금은 인디애나주 웨스트라피엣에 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하는 SK하이닉스의 38억 7000만 달러(약 5조 6000억 원) 규모 사업을 지원하게 될 것이라고 설명했다. 이와 함께 최대 5억달러(약 7248억원)의 정부 대출도 지원한다고 밝혔다. 블룸버그통신은 바이든 행정부가 SK하이닉스에 지급하는 보조금과 관련한 "최종 계약을 체결했다"고 전했다. 지나 러몬도 미 상무부 장관은 "초당적 칩스법은 SK하이닉스와 같은 기업과 웨스트라피엣과 같은 지역사회에 투자함으로써 미국의 글로벌 기술 리더십을 계속해서 강화하고 있다"며 이러한 지원을 통해 "우리는 세계 그 어떤 나라도 따라올 수 없는 방식으로 미국의 AI 하드웨어 공급망을 공고히 하고 있다"고 말했다. 블룸버그는 이번에 발표된 보조금 규모는 지난 8월에 체결한 예비 계약보다 소폭 증가한 액수라고 설명했다. 당초 SK하이닉스에 지급될 것으로 알려진 직접 보조금 규모는 4억 5000만 달러(약 6500억 원)였다. 앞서 SK하이닉스는 지난 4월 인디애나주에 반도체 패키징 생산 기지를 짓고 퍼듀대 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력한다는 계획을 밝힌 바 있다. 인디애나 공장에서는 오는 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정이다. 이번 보조금 지급 확정에 SK하이닉스는 "미 정부, 인디애나주, 퍼듀대를 비롯한 미국 내 파트너들과 협력해 AI 반도체 공급망 활성화에 기여할 수 있을 것으로 기대한다"고 입장을 밝혔다. 이날 발표는 도널드 트럼프 미국 대통령 당선인이 반도체법에 따른 보조금 지급에 부정적인 입장을 피력하는 가운데 나온 것이다. 바이든 행정부는 다음 달로 다가온 트럼프 당선인의 취임을 앞두고 반도체법에 따른 보조금 지급 규모를 잇따라 확정하고 있다. 지금까지 삼성전자, SK하이닉스, TSMC, 인텔, 마이크론 등 5대 반도체 제조업체가 미국 내 설비투자 계획을 발표했으며 삼성전자를 제외한 4개사의 보조금 지급 규모가 최종 확정됐다. 앞서 바이든 행정부는 인텔에 78억6500만달러(약 11조원), TSMC에 66억달러(약 9조 2000억 원), 마이크론에 61억6500만 달러(약 8조8000억 원)의 보조금을 주기로 각각 확정했다. 삼성전자는 2030년까지 미국에 총 450억달러를 투자하기로 하고 64억달러(약 9조 2000억 원)의 보조금을 받는 예비거래각서를 맺고 미국 정부와 협상 중이다.
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美정부, SK하이닉스에 6600억원 보조금 지급 확정
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중국 반도체업체, 첨단D램 'DDR5' 온라인 출시 잇달아
- 중국의 저장장치 제조사들이 중국산 첨단 D램 'DDR5' 제품을 잇달아 출시했다. 18일(현지시간) 중국 정보통신매체 IT홈 등에 따르면 중국의 킹뱅크와 글로웨이 두 업체는 전날 전자상거래 플랫폼을 통해 32G 용량의 DDR5 D램을 내놨다. 16G 용량 2개가 한 세트인 이 제품의 예약 구매 가격은 499위안(약 9만8000원)이다. 두 제조사 모두 공급업체와 제작 공정 등을 공개하지는 않았지만 상품 설명에 '국산DDR5칩'이라고 기재했다. 이에 업계에서는 중국 최초로 고성능 모바일 D램인 LPDDR5 생산을 시작한 중국 최대 메모리 제조업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 DDR5 양산 성공 가능성이 점쳐지고 있다. CXMT의 공식홈페이지에는 DDR5의 양산에 성공했다는 소식은 없었으며 중국 관영 언론에서도 첨단 D램 출시와 관련해 보도하지는 않았다. IT홈 등의 매체는 중국에서 DDR5 메모리가 출시된 것은 단순히 기술적인 돌파구를 마련한 것을 넘어 중국 기술의 핵심 경쟁력이 또 한 번 향상됐다는 것을 보여준다고 강조했다. 또 아직 제품들이 강력한 성능을 보이지는 않더라도, 중국산 첨단 D램의 등장 자체가 중국의 메모리칩 제조 기술이 역사적인 전진을 이뤘다는 의미를 갖는다고 덧붙였다. 중국에서 예상보다 훨씬 빠른 속도로 독자적인 첨단 D램 양산에 성공한 것으로 확인된다면 최근 중국을 대상으로 반도체 제재를 가해온 미국의 대응 또한 주목을 끌 것으로 보인다. 또 삼성전자나 SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 업계도 영향받게 된다.
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중국 반도체업체, 첨단D램 'DDR5' 온라인 출시 잇달아
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화웨이, 새 AI칩 내년 1분기 양산 계획⋯낮은 수율 걸림돌
- 중국 최대 통신장비업체 화웨이가 미국 엔비디아에 대항할 새로운 인공지능(AI) 칩을 내년 1분기부터 양산할 예정이다. 로이터통신은 21일(현지시간) 정통한 소식통들을 인용해 "화웨이가 '어센드(Ascend) 910C'(중국명 성텅 910C) 샘플을 일부 IT기업에 보내 주문받기 시작했다"면서 이같이 보도했다. 화웨이는 일부 기술기업들에 샘플을 출하하고 있으며 수주를 개시했다. 미국 반도체기업 엔비디아에 대항하는 것이 목적이다. 앞서 화웨이는 잠재 고객사에 "910C 성능이 (현재까지 상용화된 AI 칩으로는 가장 최신 제품인) 엔비디아 H100 칩에 비견될 만하다"고 설명했다. 다만 중국 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 SMIC(중신궈지)가 생산하는 910C는 수율이 걸림돌인 것으로 전해졌다. 상업성을 갖추기 위해서는 70% 이상의 수율이 필요하지만 미국의 제재로 최첨단 리소그래피(Lithography·노광·빛으로 웨이퍼에 회로를 새기는 공정) 장비가 부족해 약 20%에 머물러 있다는 것이다. 중국은 현재 미국 주도의 제재로 인해 지난 2020년이후 세계 최고의 반도체 장비 제조업체 ASML의 최첨단 극자외선(EUV) 리소그래피 장비에 대한 수입이 막혀있다. 910C 이전 버전 910B도 수율이 약 50%에 그쳐 화웨이가 생산 목표를 낮췄고 제품 인도도 지연되고 있다고 소식통들은 전했다. 한 소식통은 "화웨이는 EUV 리소그래피 부족으로 단기적 해결책이 없다는 것을 알기 때문에 중요한 정부와 기업 주문을 우선시할 것"이라고 내다봤다. 중국 SMIC제 반도체는 대만 TSMC제 반도체보다 성능이 떨어져 화웨이는 SMIC반도체를 TSMC제 반도체로 보완하고 있다. 이에 앞서 TSMC는 자사 반도체가 화웨이 910B에서 발견됐다고 미국 상무부에 통지했다. 미국 상무부는 TSMC에 대해 AI에 사용되는 첨단반도체의 중국고객용 출하를 중단할 것을 명령했다.
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화웨이, 새 AI칩 내년 1분기 양산 계획⋯낮은 수율 걸림돌
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삼성전자, 기흥에 차세대 반도체 연구단지 'NRD-K' 구축⋯"100년 미래 향한 도약"
- 삼성전자가 반도체 사업의 발원지인 기흥캠퍼스에 차세대 연구개발(R&D) 단지 'NRD-K(New Research & Development - K)'를 조성, 미래 반도체 기술 패권 장악을 위한 힘찬 도약을 선언했다. 18일 경기도 용인 기흥캠퍼스에서 개최된 NRD-K 설비 반입식에는 전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 부회장을 비롯한 경영진과 협력사 대표, 연구소 임직원 등 100여 명이 참석, 반도체 기술 혁신의 새로운 장을 열겠다는 의지를 다졌다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 2030년까지 총 20조원을 투자하는 10만9000㎡(약 3만3000평) 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지다. 메모리, 시스템, 파운드리(반도체 위탁) 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로서, 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 일원화된 프로세스를 구축하여 개발 속도를 획기적으로 향상시킬 것으로 기대된다. 특히, 고해상도 극자외선(EUV) 노광 설비, 신물질 증착 설비 등 최첨단 생산 설비와 웨이퍼 본딩 인프라를 도입하여 차세대 메모리 반도체 개발에 박차를 가할 계획이다. KRD-K는 최첨단 R&D 설비를 갖추고 있으며 동시에 첨단 기술 개발의 결과가 제품 양산으로 빠르게 이전더ㅣㄹ 수 있는 장점이 있다. 삼성전자는 기흥캠퍼스를 혁신의 요람으로 삼아 1992년 세계 최초 64Mb D램 개발, 1993년 메모리 반도체 시장 1위 달성 등 눈부신 성과를 이룩해 왔다. 이번 NRD-K 구축을 통해 기술력과 조직 간 시너지를 극대화하고, 첨단 반도체 산업 생태계를 강화하여 '초격차' 전략을 더욱 공고히 한다는 방침이다. 전영현 부회장은 기념사에서 "NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계를 확립하고, 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것"이라며 "삼성전자 반도체 50년 역사의 시발점인 기흥에서 재도약의 발판을 마련, 새로운 100년의 미래를 향해 나아가겠다"는 포부를 밝혔다. 이재용 삼성전자 회장 역시 2022년 8월 NRD-K 기공식에 참석하고, 작년 10월에는 단지 건설 현장을 직접 점검하는 등 미래 반도체 기술 경쟁력 강화에 대한 강력한 의지를 표명한 바 있다. 한편, 삼성전자는 NRD-K 조성을 통해 기흥을 첨단 반도체 산업 생태계의 중심지로 육성하고, 협력회사와의 R&D 협력을 더욱 확대해 나갈 계획이다. 삼성전자 자사주 10조원 매입으로 주가 반등 삼성전자는 지난주 주주가치 제고 등을 위해 10조원의 자사주 매입을 결정한 뒤 주가가 오름세를 나타내고 있다. 삼성전자는 지난 15일 이사회를 열어 향후 1년간 총 10조원 규모의 자사주를 분할 매입하기로 의결했다. 이중 3조원어치는 18일부터 내년 2월 17일까지 3개월 이내에 장내 매수해 소각할 계획이다. 이는 지난 2017년 9조3000억 규모의 자사주 매입이후 7년 만이다. 이종욱 삼성증권 연구원 이번 결정에 대해 "주가 안정을 위해 자사주를 매입했던 2014년의 사례와 유사하다"고 분석했다. 이 연구원은 "당시 3개월 주가가 15.5% 하락하며 52주 신저가를 기록하고 있었으나 자사주 매입 발표 이후 3개월간 주가가 14.5% 상승했다"며 "무엇보다 자사주 매입 결정으로 액면 분할전 주가 기준 110만원(현 주가 2만2000원 수준)에서는 기업의 주주가치 제고 정책이 나타날 수 있다는 믿음으로 주가의 하방 지지선이 형성됐다"고 말했다. 그러나 주가 상승 전망에 대한 신중한 반응과 함께 자사주 매입 규모가 너무 작고 시기도 늦었다는 비판도 나왔다. 한국기업거버넌스포럼은 최근 발표한 논평에서 "최근 주가 급락과 시장 가치를 고려했을 때, 삼성전자의 자금력과 수익 창출력에 비해 자사주 매입 규모가 지나치게 작다"며 삼성전자가 올해 안으로 10조원 규모의 자사주를 매입하여 소각할 것을 권고했다. 포럼은 "애플처럼 매년 배당 외에 기업 가치의 3~4%에 해당하는 자사주를 매입하고 없애는 등 지속적인 주주환원 계획을 발표해야 한다"면서 "3조원은 최근 몇 년간 주주들이 입은 막대한 투자 손실을 고려하면 턱없이 부족하다"고 지적했다. 삼성전자 주가는 18일 오후 3시 8분 현재재 전거래일 대비 4.86% 급등해 5만6100원에 거래되고 있다.
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삼성전자, 기흥에 차세대 반도체 연구단지 'NRD-K' 구축⋯"100년 미래 향한 도약"
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AMD, 2세대 버설 프리미엄 시스템온칩 공개⋯2026년 상용화
- 미국 반도체기업 AMD가 12일(현지시간) 데이터 센터와 통신, 항공우주, 방산 등 분야를 겨냥한 FPGA(프로그래머블반도체) 신제품인 2세대 버설 프리미엄을 공개했다. 2세대 버설 프리미엄은 전작인 1세대의 주요 반도체 IP(지적재산권)를 기반으로 새로운 전송 규격인 PCI 익스프레스 6.0과 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 3.1 등 최신 입출력 규격을 적용했다. PCI 익스프레스 6.0과 CXL 3.1은 하드 IP 형태로 적용해 호스트와 가속기 간의 데이터 전송 속도와 대역폭을 높였다. 여러 메모리 모듈을 풀 하나로 묶어 각종 프로세서나 시스템온칩(SoC)에 동적으로 배치할 수 있는 메모리 풀링 기능도 지원한다. 마이크 라더(Mike Rather) AMD 제품 마케팅 시니어 매니저는 "AI의 확산으로 대역폭과 데이터 전송 효율, 보안 요구가 증가하고 있다"고 설명했다. 이어 "2세대 버설 프리미엄은 LPDDR5X-8533 메모리와 DDR5-6400 등 고속 메모리, CXL 3.1 표준을 이용한 메모리 확장과 인라인 ECC 암호화 등을 지원해 이런 요구사항에 부합하는 제품"이라고 설명했다. 마누엘 엄(Manuel Uhm) AMD 버설 제품 마케팅 디렉터는 "2세대 버설 프리미엄은 AMD 서버용 에픽(EPYC) 프로세서 뿐만 아니라 PCI 익스프레스 6.0과 CXL 3.1 표준을 따르는 타사 제품, 혹은 RISC-V나 Arm 등 x86 이외 다른 명령어를 쓰는 서버용 프로세서와 통합도 가능할 것"이라고 전망했다. AMD는 2세대 버설 프리미엄이 정보감시정찰(ISR), 전자전(EW), 레이더 등 고도의 처리 능력과 보안이 요구되는 항공우주·방산 분야와 함께 GPU를 다수 연결하는 AI 클러스터에 활용될 수 있다고 전망했다. 마이크 라더 디렉터는 "AMD AECG 제품군은 최소 15년간 지원되며 무기체계나 항공기 수명 주기에 따라 수십 년 유지되는 항공우주·방산 분야의 특성에 맞게 이를 지원할 것"이라고 설명했다. 2세대 버설 프리미엄은 로직셀 150만 개, DSP 3천300개에서 로직셀 330만 개, DSP 7천600개 등 총 4개 제품이 시장에 공급된다. 실시간 처리는 Arm 코어텍스 A72 듀얼코어 CPU와 코어텍스 R5 기반 듀얼코어 CPU가 담당한다. AMD는 개발자들에게 2025년 중반에 비바도 툴을, 2026년 초에는 반도체 샘플과 개발자 키트를 제공할 예정이며, 2026년 하반기부터 2세대 버설 프리미엄 양산에 들어갈 예정이다.
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AMD, 2세대 버설 프리미엄 시스템온칩 공개⋯2026년 상용화
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대만 TSMC, 내달 미국 공장서 4나노 공정 제품 첫 정식 생산 예정
- 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC가 오는 12월 미국 애리조나 공장에서 첨단 4㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 기술을 채택한 웨이퍼를 정식 생산할 예정이다. 연합보 등 대만언론들은 4일(현지시간) 소식통을 인용해 TSMC가 내달 초 애리조나 피닉스의 21팹(fab·반도체 생산공장)의 1공장 완공식을 거행한 후 TSMC 4나노 기술을 채택한 12인치(305㎜) 웨이퍼의 정식 생산에 들어가고 양산 시점은 내년 1분기 예정이라고 보도했다. 애리조나 공장은 TSMC가 처음 해외에 설립하는 12인치(300㎜) 웨이퍼 공장으로 클린룸 면적이 일반 로직(시스템) 반도체 공장의 2배에 달하는 메가 팹(Mega Fab) 설계를 채택한 것으로 알려졌다. TSMC는 2020년부터 미국 애리조나주 피닉스에 400억달러를 투자해 두 곳의 생산공장을 짓기 시작했다.TSMC의 애리조나 1공장(Fab 21 P1)은 지난 9월부터 4나노 공정 가동에 들어갔으며 첫 고객사는 애플로 알려졌다. 2공장(Fab 21 P2)은 3나노 공정으로 예정돼 있었으나 4나노 주문이 폭증하자 일단 4나노 공정으로 운영하다가 3나노 공정으로 전환할 계획이다. TSMC에 따르면 애리조나 공장 면적은 약 445㏊(헥타르·1㏊는 1만㎡)로 1기 공정(1공장)은 올해 하반기 4나노 양산 예정이었으나 내년 1분기로 일정이 미뤄졌다. 2기 공정은 2026년부터 3나노 생산 예정이었으나 2028년으로 연기됐다. 3기 공정은 2나노 또는 A16(1.6나노급) 공정을 도입할 예정이며 2030년 양산 계획이 잡혀 있다. 한편 지난 25일 트럼프 전 대통령은 TSMC, 삼성전자 등 미국에 공장을 짓는 반도체 기업에 보조금을 지급하는 반도체법을 정면 비판하며 관세 부과 압박으로 글로벌 기업이 미국에 공장을 짓도록 만들어야 한다고 주장했다. TSMC는 미국에 650억달러를 투자하고 66억달러의 보조금을, 삼성전자는 440억달러를 투자하고 64억달러의 보조금을 받기로 돼 있다. 트럼프 전 대통령이 미국 제조업 육성을 위해 기업의 법인세를 현행 21%에서 15%로 낮추겠다고 했기 때문에 TSMC가 여전히 미국에 공장을 지을 긍정적 유인이 있다는 평가도 나온다. 경제일보는 이와 함께 트럼프의 대선 승리시 TSMC가 미국 애리조나주에 4공장, 심지어 5공장, 6공장 건설계획을 한꺼번에 발표함으로써 차기 대통령의 체면을 세워줄 수 있다고 보도했다. 신문은 정통한 소식통을 인용해 미국 애리조나주에 있는 TSMC 1공장 로비에는 전체 부지 내 6개 생산라인의 모형도가 전시돼 있으며 이는 이미 발표한 1~3공장 외에 4~6공장의 확장 계획까지 준비 중임을 의미한다고 전했다.
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대만 TSMC, 내달 미국 공장서 4나노 공정 제품 첫 정식 생산 예정
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