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2025-06-17 (화)

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"미국, 다음 주 삼성전자 반도체 보조금 발표"…60억~70억 달러 추정

미국 정부가 반도체지원법에 따라 대만 TSMC에 보조금 66억달러(약 8조9000억원)를 지원한다고 발표한 가운데 삼성전자에 대한 미국 정부의 보조금 규모가 TSMC 다음이 될 것이라고 연합뉴스가 8일(현지시간) 로이터통신을 인용해 9일 보도했다. 한 소식통은 이 매체에 삼성전자의 보조금 규모가 미국 반도체업체 인텔과 대만의 TSMC에 이어 세번째로 큰 규모가 될 것이라고 전했다. 다른 2명의 소식통은 미국 정부가 다음 주에 삼성전자에 대한 60억(약 8조1234억원)~70억달러(약 9조4773억원) 사이의 반도체법 보조금을 발표할 것이라고 말했다고 로이터통신은 보도했다. 소식통에 따르면, 지나 러먼도 상무부 장관이 공개할 보조금은 삼성이 지난 2021년 발표한 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 170억 달러(약23조 163억원) 규모의 칩 제조 공장 한 곳과 또 다른 공장 한 곳, 첨단 패키징 시설, 연구개발센터 등 테일러에 4개 시설을 건설하는 데 사용될 예정이다. 대만의 TSMC는 8일 보조금으로 66억 달러(약 8조 9357억원)를 지급받았다. 투자 규모는 250억 달러(약 33조 8475억원)에서 650억 달러(약 88조 35억원)로 확대하고 2030년까지 세 번째 애리조나 공장을 추가하기로 미 정부와 합의했다. 미 상무부는 이날 TSMC에 반도체법 보조금 66억달러를 지원할 예정이라고 발표했다. 반도체 보조금과 관련한 TSMC의 투자 금액도 기존 400억 달러(약 54조1640억원)에서 650억달러로 늘어났다. 투자 금액 대비 보조금 비율은 10.1% 정도이다. TSMC는 반도체법상 보조금과 별도로 투자금에 대한 일부 세액 공제 혜택도 받을 것으로 알려졌다. 월스트리트저널(WSJ)은 지난 5일 삼성전자는 텍사스주 테일러에 170억달러를 투자해 반도체 공장을 건설 중이며 15일에 추가 투자 계획을 발표할 예정이라고 보도했다. 추가 투자 규모까지 포함해 삼성전자의 텍사스주 공장 관련 전체 투자 금액은 440억달러(약 59조 5584억원)가 될 전망이다. 외신은 여기에는 텍사스주 테일러의 새 반도체 공장, 패키징 시설, 연구개발(R&D) 센터에 더해 알려지지 않은 장소에 대한 투자도 포함된다고 전했다. 미국 의회는 지난 2022년 자국내 반도체 생산을 증가시키기 위해 연구 및 제조 분야에 527억 달러(약 71조 3600억원)의 보조금을 제공하는 '반도체 및 과학 법안'을 통과시켰다. 더불어, 의회는 이 보조금 외에도 정부 대출에 750억 달러(약 101조 5575억원)의 권한을 추가로 승인했다. 하지만 삼성은 별도의 대출 지원을 받지 않을 예정이라는 소식이 전해졌다. 미국 반도체산업협회(SIA)에 따르면, 반도체 법안의 주된 목적은 글로벌 시장 내에서 미국의 반도체 제조 분야 점유율이 1990년의 37%에서 2020년에는 12%로 하락한 상태를 개선해 자국내 제조 비율을 증가시키고, 이로 인해 중국 및 대만에 대한 의존도를 감소시키는 것이다. 이날 연합뉴스는 블룸버그통신을 인용해 삼성전자에 이어 미국 반도체 업체인 마이크론도 수주 내 수십억달러의 지원을 받을 것으로 전망된다고 전했다. 한편, 디지타임스는 8일(현지시간) 삼성전자의 첨단 패키징 사업부인 AVP가 엔비디아의 주문을 받았다고 보도했다. 외신에 따르면 AVP는 엔비디아의 차세대 그래픽 카드용으로 인터포저와 2.5D 패키징(I-Cube) 솔루션을 공급할 것으로 예상된다. 이번 주문 확보는 삼성이 TSMC와의 치열한 경쟁 속에서 고급 패키징 기술력을 인정받은 것으로 평가된다. 인터포저는 다수의 칩을 연결하는 다이 간 연결(Interconnect) 기판으로, 칩 사이의 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소비를 줄이는 데 도움이 된다. 2.5D 패키징은 인터포저 위에 칩을 쌓아 3D 구조를 만드는 기술로, 더욱 높은 성능과 효율성을 제공한다.
- IT/바이오
2024-04-09 10:35:00
삼성전자, 이르면 9월부터 엔비디아에 12단 HBM3E 단독 공급

삼성전자가 빠르면 9월부터 엔비디아에 12단 고대역폭 메모리(HBM) 제품을 단독 공급하게 될 것이라는 소식이 전해졌다. 디지타임스가 26일(현지시간) 삼성전자는 HBM 시장에서 빠르게 입지를 다지고 있다며 최근 12단 D램을 탑재한 HBM3E 개발에 성공했다고 발표한 이후 현재 선두주자인 SK하이닉스와 마이크론을 제치고 엔비디아의 유일한 12단 HBM3E 공급업체가 될 수 있다는 보도가 나왔다고 전했다. 업계 소식통에 따르면, 삼성은 12단 HBM3E 개발에서 경쟁사를 앞질러 이르면 2024년 9월부터 엔비디아의 독점 공급업체가 될 것으로 보인다. 이에 대해 삼성은 고객 정보를 공개할 수 없다고 밝혔다. 마이크론은 2024년 2월 말, 8단 HBM3E 양산 개시를 발표했다. 삼성도 36GB 12단 HBM3E 제품 개발에 성공했다고 공개했다. 삼성은 12단 HBM3E가 8단 HBM3E와 동일한 높이를 유지하면서 더 많은 레이어 수를 자랑한다고 강조했다. 최대 1280GB/s의 대역폭을 제공하는 12단 HBM3E는 8단 HBM3에 비해 50% 이상의 성능과 용량을 제공한다. 삼성은 2024년 후반에 12단 HBM3E의 양산을 시작할 것으로 예상된다. 한편, 인공지능(AI) 칩 선두주자인 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 최근 'GTC 2024'에서 삼성이 아직 HBM3E의 양산에 대해 발표하지 않았음에도 삼성의 HBM이 현재 검증 단계를 거치고 있다고 확인했다. 젠슨 황 CEO는 삼성의 12단 HBM3E 디스플레이 옆에 '젠슨 승인'이라고 서명까지 해 삼성의 HBM3E가 검증 과정을 통과할 가능성이 높다는 추측을 불러일으켰다. 젠슨 황 CEO는 지난 3월 19일 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 24' 둘째 날 삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM)를 테스트하고 있다고 밝혔다. 황 CEO는 '삼성의 HBM을 사용하고 있느냐'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로 고성능 컴퓨팅 시스템에 사용되는 차세대 메모리 기술이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다. 고성능 컴퓨팅 시스템에서는 대규모 시뮬레이션과 데이터 분석 과정에 HBM을 사용한다. 아울러 고성능 그래픽 카드에서는 게임, 가상현실(VR), 증강현실(AR) 등의 그래픽 데이터를 빨리 처리하기 위해 HBM이 사용된다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며, HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. HBM3 시장의 90% 이상을 점유하고 있는 SK하이닉스는 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대인 HBM3E D램을 엔비디아에 납품한다고 밝혔다. SK하이닉스는 2024년 3월부터 엔비디아에 8단 HBM3E를 공식 공급하기 시작했다. SK하이닉스는 GTC 2024에서 12단 HBM3E를 선보였으며, 이르면 2024년 2월에 엔비디아에 샘플을 제공할 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 HBM4의 성능을 향상시키기 위해 하이브리드 본딩 기술을 활용할 것이라고 밝혔다. 16단 D램을 적층해 48GB 용량을 구현할 계획이며, 데이터 처리 속도는 HBM3E 대비 40%, 전력 소비는 70% 수준에 불과할 것으로 예상된다. 삼성은 지난 2월 18일부터 21일까지 열린 '2024 국제 반도체 회로 학회(ISSCC 2024)'에서 곧 출시될 HBM4가 초당 2TB의 대역폭을 자랑하며 5세대 HBM(HBM3E) 대비 66% 대폭 증가했다고 발표했다. 또한 입출력(I/O) 수도 두 배로 증가했다.
- IT/바이오
2024-03-27 09:37:00
외신 "삼성, 칩 생산에 MUF 기술 도입 계획"…삼성, 부인

삼성전자가 SK하이닉스가 사용하는 반도체 제조 기술을 도입할 계획이라는 외신 보도를 부인했다. 연합뉴스는 로이터통신을 인용해 인공지능(AI) 붐에 따른 수요 급증에 대응해 반도체 업계의 고성능 반도체 경쟁이 가열되는 가운데, 삼성전자가 경쟁사인 SK하이닉스가 사용하는 반도체 제조 기술을 도입할 계획이라고 13일 보도했다. 로이터통신은 여러 익명 소식통을 인용해 삼성전자가 최근 '몰디드 언더필(MUF)' 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매 주문했다고 전했다. 하지만 삼성전자는 반도체 칩 생산에 '매스 리플로우(MR)-MUF' 기술을 도입할 계획이 없다며 이 보도를 부인했다. AI 시장의 확대로 고대역폭 메모리(HBM)에 대한 수요가 증가함에 따라, 삼성전자는 이 분야에서 SK하이닉스나 마이크론과는 달리 선두 업체인 엔비디아와 HBM 칩 공급 계약을 체결하지 못한 상황이다. 이에 로이터는 애널리스트들을 인용해, 삼성전자가 경쟁에서 뒤처진 이유 중 하나로 비전도성 필름(NCF) 방식을 고수하고 있음에 따른 생산상의 문제점을 지적했다. HBM(High Bandwidth Memory) 칩은 고대역폭 메모리 기술로, 특히 고성능 컴퓨팅, 서버, 그래픽 처리 장치(GPU) 등에서 데이터 처리 속도를 향상시키기 위해 설계된 반도체 메모리다. HBM은 기존의 DDR(Dual Data Rate) 메모리보다 더 많은 데이터를 빠르게 전송할 수 있는 것이 특징이며, 이를 통해 시스템의 전반적인 성능을 크게 개선할 수 있다. HBM 기술은 여러 개의 메모리 레이어를 수직으로 적층하여 3D 패키징을 구현한다. 이러한 구조는 메모리 칩 사이의 거리를 단축시켜 데이터 전송 속도를 높이고, 전력 소모를 줄이며, 공간 효율성을 개선하는 장점이 있다. HBM 메모리는 그래픽 카드나 고성능 컴퓨팅 분야에서 요구되는 고대역폭과 낮은 전력 소모 요구 사항을 충족시키기 위해 널리 사용되고 있다. 반대로, SK하이닉스는 NCF 방식의 문제점을 해결하기 위해 MR-MUF 방식으로 전환했으며, 결과적으로 엔비디아에 HBM3 칩을 공급하는 성과를 이루었다. 현재 시장에서는 삼성전자의 HBM3 칩 수율이 약 10∼20% 정도인 반면, SK하이닉스의 수율은 60∼70%에 달한다고 추산된다. 삼성전자는 MUF 재료 공급을 위해 일본의 나가세 등 관련 업체와 협상 중인 것으로 알려졌다. 한 소식통에 따르면, 삼성전자가 추가적인 테스트를 진행해야 하기 때문에 MUF를 사용한 고성능 칩의 대량 생산이 내년까지는 어려울 것으로 예상했다. 또 다른 소식통은 삼성전자의 HBM3 칩이 엔비디아에 공급되기 위한 과정을 아직 통과하지 못했다고 밝혔다. 소식통에 따르면 삼성전자가 HBM 칩 생산에 기존 NCF 기술과 MUF 기술을 모두 사용할 계획이라고 전하기도 했다. 한편, MUF(Molded Underfill) 기술은 반도체 칩과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 사용되는 고급 패키징 기술이다. 이 기술은 반도체 칩을 기판에 장착한 후, 칩과 기판 사이의 미세한 공간에 특정 물질을 주입하여 경화시키는 과정을 포함한다. MUF 기술은 칩의 열 관리를 개선하고, 기계적 강도를 증가시키며, 전기적 성능을 향상시키는 데 도움을 준다. 또한, 이 기술은 칩의 신뢰성을 높이고, 고밀도 패키징이 요구되는 반도체 제품에서 특히 유용하게 사용된다. NCF(Non-Conductive Film) 기술은 반도체 칩과 기판 사이의 연결 공정에서 사용되는 비전도성 필름을 말한다. 이 기술은 반도체 칩의 미세한 배선 패턴과 기판 사이를 연결할 때 사용되는데, 특히 고밀도 패키징 어셈블리에서 중요한 역할을 한다. NCF는 전기적으로는 비전도성이면서 열적, 기계적 성질을 개선해주어 칩의 신뢰성과 성능을 높이는 데 기여한다. 플립 칩(Flip-chip) 기술과 같은 패키징 공정에서 사용되며, 칩과 기판 사이의 미세한 불균일을 채우고, 열 확산을 도와주며, 기계적인 스트레스를 줄여주는 역할을 한다.
- IT/바이오
2024-03-13 12:22:00
2023년 4분기 글로벌 낸드 매출, 전분기 대비 24% 급증

글로벌 낸드플래시 매출이 지난해 4분기에 전 분기 대비 24% 이상 대폭 증가한 것으로 나타났다. 낸드플래시(NAND Flash)는 비휘발성 플래시 메모리의 한 유형으로, 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있는 저장 매체다. 낸드플래시는 빠른 읽기와 쓰기 속도, 높은 밀도, 낮은 전력 소비 등의 특성으로 인해 다양한 전자기기에 널리 사용된다. 예를 들어, 스마트폰, 태블릿, USB 메모리 스틱, SSD(Solid State Drive)와 같은 저장 장치, 디지털 카메라 등에서 데이터 저장용으로 활용된다. 낸드플래시는 여러 개의 메모리 셀을 포함하며, 이 셀들이 전기적으로 데이터를 저장한다. 각 메모리 셀은 1비트에서부터 멀티 레벨 셀(MLC), 트리플 레벨 셀(TLC), 심지어 쿼드 레벨 셀(QLC)과 같이 여러 비트를 저장할 수 있도록 진화해왔다. 이러한 기술의 발달은 저장 용량을 크게 향상시키는 동시에 생산 비용을 줄이는 데 기여했다. 시장조사업체 트렌드포스는 6일 작년 4분기 전 세계 낸드 매출은 직전 3분기보다 24.5% 증가한 114억8580만달러를 기록했다고 발표했다. 트렌드포스는 "연말 프로모션에 따른 최종 수요 안정화와 부품 시장의 주문 확대로 전년 동기 대비 출하량이 호조를 보였다"며 "2024년 수요에 대한 기업 부문의 긍정적인 전망과 전력적 비축도 출하량 증가를 촉진했다"고 설명했다. 업체별로 보면 삼성전자의 작년 4분기 낸드 매출은 42억달러로 전 분기보다 44.8% 증가했다. 서버, 노트북, 스마트폰 전반에 걸쳐 수요가 급증한 영향이다. 삼성전자의 낸드 시장 점유율도 전 분기 31.4%에서 36.6%로 오르며 1위를 유지했다. SK하이닉스와 자회사 솔리다임의 작년 4분기 매출은 24억8040만달러로 전 분기보다 33.1% 상승했다. 시장 점유율도 20.2%에서 21.6%로 소폭 올라 2위를 유지했다. 3위 웨스턴디지털(WD)의 지난해 4분기 매출은 7.0% 증가한 16억6500만달러, 4위 키옥시아의 매출은 8.0% 증가한 14억4300만달러로 각각 집계됐다. 5위 마이크론은 수익성 개선을 위해 공급량을 대폭 줄여 비트 출하량은 전분기 대비 10% 이상 감소했고 매출은 1.1% 감소한 11억3750만 달러를 기록했다. 트렌드포스는 "공급망 재고 수준의 개선과 잠재적인 공급 부족을 피하려는 고객들의 주문 확대로 전통적인 비수기임에도 불구하고 2024년 1분기는 낸드 매출이 추가로 20% 더 증가할 것"이라고 전망했다. 아울러 지속적인 주문 규모 확대로 낸드 플래시 고정 가격은 평균 25% 상승할 것으로 예상했다.
- IT/바이오
2024-03-06 17:12:00
교통 스모그, 알츠하이머 발병 증가의 원인? 새로운 연구 결과 발표

교통 관련 대기 오염이 뇌에 알츠하이머 질환을 유발하는 아밀로이드 플라크의 축적과 연관될 수 있다는 연구 결과가 발표됐다. 22일(현지시간) 학술 전문매체 스터디 파인즈(StudyFinds)에 따르면 미국 신경학회(American Academy of Neurology)에서 수행한 연구에서, 교통으로 인한 대기 오염에 자주 노출된 사람들이 뇌에서 아밀로이드 플라크의 높은 수준을 경험할 가능성이 더 크다는 사실이 밝혀졌다. 아밀로이드 플라크는 알츠하이머병의 주요 병리학적 특징 중 하나로 알려져 있다. 연구팀은 직경이 2.5마이크론 이하인 미세먼지(PM2.5) 농도를 평가했다. 이어서, 치매 연구를 위해 사후에 뇌를 기증한 224명의 개인의 뇌 조직을 분석했다. 연구 결과, 사망하기 1년 및 3년 전에 더 높은 수준의 스모그에 노출된 개인들은 뇌에서 아밀로이드 플라크가 더 많이 발견됐다. 특히, 사망 전 1년 동안 PM2.5에 1 µg/m3 추가로 노출된 사람들은 더 높은 플라크 수준을 보일 가능성이 거의 두 배였으며, 사망 전 3년 동안 높은 노출을 경험한 사람들은 더 높은 플라크 수준을 가질 확률이 87% 더 높았다. 주목할 만한 사실은 알츠하이머병과 연관된 주요 유전적 변이(APOE e4)를 지니지 않는 개인들 사이에서 대기 오염과 알츠하이머병 징후 간의 가장 강력한 연관성이 관찰되었다는 점이다. 이는 환경적 요소가 유전적 요소와 별개로 알츠하이머병의 발생에 중요한 역할을 할 수 있음을 나타낸다. 이 연구는 대기 오염이 직접적으로 뇌에 플라크를 형성한다는 직접적 증거를 제공하는 것은 아니다. 그러나 교통량이 많은 지역에서 스모그에 노출되는 것이 뇌 건강에 해로울 수 있음을 우리에게 상기시킨다. 현재 연구는 주로 교육 수준이 높은 백인 개인에 초점을 맞추어 진행되었기 때문에, 이 결과가 다양한 인구 집단에도 동일하게 적용될 수 있을지는 확실하지 않다. 그럼에도 불구하고, 우리 주변 환경의 대기 오염이 뇌 건강에 미치는 영향을 탐구하는 연구는 앞으로 더 많이 이루어질 것으로 예상된다.
- 생활경제
2024-02-23 15:19:00
일본 키옥시아, 7천억엔 투자로 최첨단 반도체 양산 본격화

일본의 낸드플래시 메모리반도체 생산업체인 키옥시아(옛 도시바메모리)가 이르면 내년 가을 미에(三重)현과 이와테(岩手)현 공장에서 최첨단 반도체 양산에 나선다. 닛케이(日本經濟新聞) 등 일본 언론에 따르면 일본경제산업성은 6일(현지시간) 키옥시아 홀딩스와 웨스턴디지털(WD)의 최첨단반도체 메모리의 양산을 위해 2400억엔(약 2조1507억원)을 지원한다고 발표했다. 키옥시아는 일본정부의 자금지원과 자체 자금 등 모두 7000억엔을 투입해 미에현의 욧카이치(四日市) 공장과 이와테현의 기타카미(北上)공장에서 각각 '8세대', '9세대'로 불리는 최첨단 낸드 메모리를 예정보다 앞당긴 내년 9월 생산할 계획이다. 키옥시아는 두 공장에서 각각 월간 6만장, 2만5000장을 생산하는 것을 목표로 한다. 키옥시아는 낸드 플래시 투자를 지속적으로 강화하고 있다. 이 공장과 별도로 키옥시아는 반도체 경기 불황으로 연기된 욧카이치 공장장 설비 투자도 최첨단 제품 양산을 앞당기는 방향으로 다시 검토키로했다. 당초 6세대 생산을 계획했지만 8세대로 전환해 2026년 4월 이후 월 10만5000장을 생산하겠다는 목표다. 요미우리 신문은 "데이터 처리 대용량화와 고속화에 맞춰 최첨단 제품 수요가 커지고 있는 데 따른 것"이라고 분석했다. 앞서 지난해 글로벌 낸드플래시 2, 4위 업체인 일본 키옥시아와 미국 웨스턴디지털(WD) 간의 합병은 난항을 겪다가 무산됐다. 웨스턴디지털은 반도체 메모리 사업을 분리해 키옥시아홀딩스와 지주사를 설립해 경영을 통합하는 방안을 논의했으나 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스가 동의하지 않은 것으로 알려졌다. 낸드플래시 시장은 삼성전자·SK하이닉스·미국 마이크론이 독과점하고 있는 D램과 달리 삼성(점유율 31.1%), 키옥시아(19.6%), SK하이닉스(17.8%), 웨스턴디지털(14.7%), 마이크론(13%) 등 다섯 업체가 고루 시장을 나눠 갖고 있어 경쟁이 치열하다. 키옥시아는 도시바의 낸드 플래시메모리사업 부문이 분사돼 2019년 자회사로 설립됐다. 미국 사모펀드 배인 케피탈을 필두로 미국의 애플, 델, 씨게이트, 킹스톤 테크놀로지, 한국의 SK하이닉스가 참여하는 컨소시엄이 49.9%의 지분을 보유하고 있는 일본의 호야가 9.9% 갖고 있다. 도시바는 나머지 40.2% 지분을 유지하고 있다.
- IT/바이오
2024-02-06 14:13:00
하버드대 연구팀, 고체 배터리 재충전 10분대로 단축

미국 스타트업이 가격이 저렴하면서도 충전 시간을 획기적으로 줄인 전기자동차(EV)용 전고체 배터리를 개발했다. 현대 사회에서 탄소 중립을 향한 움직임이 활발해지면서, 전세계 에너지 기업들은 화석 연료에 대한 의존도를 줄이는 데 집중하고 있다. 이러한 상황에서 전기차용 배터리의 중요성이 더욱 강조되고 있으며, 특히 환경 친화적이고 에너지 효율이 높은 전고체 배터리 개발이 업계의 중요한 과제로 부상했다. 기술 전문 매체 클린테크니카(cleantechnica)는 최근 하버드 대학의 스핀오프 기업인 아덴 에너지(Adden Energy)가 충전 시간을 10분대로 낮춘 새로운 전고체 배터리를 개발했다고 보도했다. 이 배터리는 최대 6000사이클 동안 사용 가능하며, 재충전 시간은 단 10분에 불과하다. 이는 연료 탱크를 채우는 시간과 유사하다고 한다. 비용에 대한 구체적인 언급은 없었으나, 이 회사의 배터리는 수명이 길어 전기차의 제조 비용을 줄이는 데 크게 기여할 것으로 전망된다. 새로운 고체 에너지 저장 기술은 기존 리튬 이온 배터리의 액체를 폴리머, 첨단 세라믹 또는 기타 고체 재료로 대체하는 차세대 기술이다. 리튬 이온이 고체를 통과해 이동하게 하는 것은 어려운 기술이지만, 그로 인해 더 긴 사용 범위와 더 빠른 충전 시간을 제공한다. 새로운 고체 에너지 저장 기술은 기존 리튬 이온 배터리에서 사용되는 액체 전해질을 폴리머, 첨단 세라믹, 또는 다른 고체 재료로 대체하는 혁신적인 접근법이다. 리튬 이온이 고체를 통과해 이동하는 것은 기술적으로 어려운 과제이지만, 이를 통해 배터리의 사용 가능 범위를 확장하고 충전 시간을 단축할 수 있다. 아덴 에너지는 여러 고체 배터리 혁신 기업 중 하나로, 이온 이동의 장애를 극복하는 데 중점을 두고 있다. 특히 이 회사는 리튬 이온 배터리의 양극에서 발생하는 수상돌기 문제에 대한 강력한 해결책을 제시했다. 덴드라이트(일종의 수지상의 골격을 형성한 결정)는 리튬 이온 배터리의 양극에서 발생하는 작은 양치류의 돌기처럼 생긴 현상으로, 배터리 성능을 저하시키고 화재 위험을 증가시키는 요인이다. 2018년, 아덴 에너지는 국제 학술지 네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)에 황화물 기반의 고체 전해질 연구 결과를 발표하며 고체 배터리 분야에서 중요한 발전을 이루었다. 아덴 에너지는 "우리 논문의 목표는 LGPS와 LSPS라는 두 가지 유형의 결정질 황화물 고체 전해질의 미세 구조를 조절하고 수정함으로써 전압 안정성을 향상시킬 수 있다는 점을 입증하는 것이다"라며 두 가지 유형의 결정질 황화물 고체 전해질에 대해 밝혔다. 더 나아가, 회사는 "황화물 고체 전해질의 미세 구조와 성능 간의 기본 메커니즘을 밝히는 것이 중요하다"며 "이는 미래 재료 및 배터리 셀 설계에 대한 지침이 될 수 있다"고 기대했다. 덴드라이트 현상은 과거에는 주로 액체 전해질을 사용하는 배터리에서만 관찰되었지만, 최근 연구에 따르면 고체 배터리에서도 문제가 될 수 있음이 밝혀졌다. 이 문제를 해결하기 위한 여러 방법이 연구되고 있는 가운데, 하버드 대학 SEAS(John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences)의 재료과학 부교수 신 리(Xin Li) 팀은 이 현상을 완전히 멈추는 데 성공했다. 하버드 대학의 언론 담당자 레아 버로우스(Leah Burrows)는 리 팀의 새로운 연구에 대해 "연구팀은 리튬화 반응을 제어하고 균일한 리튬 금속층의 도금을 촉진하기 위해 양극에 마이크론 크기의 실리콘 입자를 사용하여 덴드라이트 형성을 방지했다"고 설명했다. 버로우스는 "이 코팅된 입자가 전류 밀도가 균일하게 분포되는 표면을 만들어 덴드라이트의 성장을 막는다"고 설명했다. 또한, "이런 설계 덕분에 도금과 박리 과정이 평평한 표면에서 더 빠르게 일어날 수 있어 배터리를 약 10분 만에 재충전할 수 있다"고 덧붙였다. 리 부교수는 "우리의 설계에서 리튬 금속이 실리콘 입자를 감싸는 것은 초콜릿 트러플에 있는 헤이즐넛 코어를 단단한 초콜릿 껍질이 감싸는 것과 유사하다"라고 비유했다. 이 혁신적인 새 배터리는 현재 상업적 생산을 위한 확장 단계에 있다. 연구팀은 우표 크기의 파우치 셀을 사용하여 이번 실험을 진행했다. 이는 일반적인 대학 연구실에서 만들어진 배터리보다 10~20배 정도 크며, 실제 사용 환경에서의 데이터 수집에 충분한 크기라고 할 수 있다. 버로우스는 이 배터리의 내구성에 대해서도 언급했다. 그녀는 "배터리가 6000사이클을 거친 후에도 초기 용량의 80%를 유지하며, 이는 현재 시장에 나와 있는 다른 파우치 셀 배터리보다 우수한 성능을 나타낸다"고 말했다. 한편, 아덴 에너지는 2022년에 하버드 대학교의 기술개발실(Office of Technology Development)로부터 이 기술에 대한 독점 라이선스를 획득했다. 또한, 회사는 515만 달러(한화 약 68억원)의 시드 자금을 조달하는 데 성공했다. 이 자금은 창업 아이템을 구체화하고 개발하여 시제품을 생산하는 과정에 사용될 예정이다. 회사 측은 라이선스 획득과 벤처 자금 조달을 통해 하버드 대학의 실험실 프로토타입을 상업적 규모로 확장할 수 있게 되었다고 설명했다. 이를 통해 아덴 에너지는 전기자동차(EV) 시장에 빠르게 충전되고 안정적인 고체 리튬-금속 배터리를 제공할 수 있게 될 것으로 기대된다. 아덴 에너지는 2022년에 손바닥 크기의 파우치 셀을 개발하는 것을 첫 단계로 삼고, 향후 3~5년 이내에 전기자동차(EV)용 풀사이즈의 전고체 배터리 개발을 목표로 하고 있다. 이 회사는 2030년 이전에 이러한 배터리를 시장에 출시될 것으로 예상하고 있다. 리 부교수는 전기차의 중요성에 대해 강조하며, "전기차가 말 그대로 도로 위의 1%에 불과한 단순한 고급 패션 아이템으로 여겨져서는 안 된다"고 말했다. 그는 "청정에너지 미래를 향해 나아가기 위해서는 전기차가 일반 대중에게도 접근 가능해야 한다"고 강조했다. 그는 또한 "만약 전기차 배터리가 3년에서 5년만 지속된다면, 미국은 중고차 시장을 갖지 못할 것"이라고 지적했다. 이어 "기술은 모든 사람이 접근할 수 있어야 하며, 우리가 하고 있는 것처럼 배터리 수명을 연장하는 것은 그 과정에서 매우 중요한 부분이다"라고 덧붙였다.
- 산업
2024-01-18 11:28:00
SK하이닉스 3분기 낸드 점유율 2위 되찾아…삼성전자 1위 유지

SK하이닉스가 3분기 낸드 시장에서 약진하며 2위 자리를 되찾았다. 6일 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 SK하이닉스와 자회사 솔리다임의 낸드 매출은 18억6400달러로 집계됐다. 이는 전 분기 대비 11.9% 증가한 수치다. 시장점유율도 18.6%에서 20.2%로 소폭 상승하며 전체 시장에서 2위로 올라섰다. SK하이닉스는 지난해 3분기 낸드 시장에서 3위로 밀려나며 일본 키옥시아에 자리를 내줬으나 1년 만에 2위를 탈환했다. 삼성전자의 3분기 낸드 매출은 29억달러로 전 분기와 비슷한 수준을 유지했다. 시장 점유율은 전 분기 32.3%에서 3분기 31.4%로 소폭 줄어들었지만 1위 자리를 지켰다. 3위는 15억5600만달러의 매출을 올린 웨스턴디지털(WDC)이 차지했다. 매출이 전 분기 대비 13% 증가하며 시장 점유율도 15.3%에서 16.9%로 뛰었다. 반면 키옥시아는 매출이 전 분기 대비 8.6% 감소한 13억3600만달러에 그쳤다. 시장 점유율도 16.3%에서 14.5%로 하락하며 4위에 그쳤다. 마이크론도 같은 기간 매출이 5.2% 감소한 11억5000만달러로 집계돼 점유율이 12.5%를 기록했다. 전체 낸드 시장 매출은 92억2900만달러로, 전 분기 대비 2.9% 증가했다. 낸드 고정거래가격이 하락세를 멈추고 반등한 영향으로 분석됐다. 트렌드포스는 "삼성전자 같은 선두 기업이 대규모 감산을 단행한 결과 보수적이었던 구매자들이 공급 감소를 예상하고 적극적인 구매 전략으로 전환했다"며 "이로 인해 분기 말까지 낸드 계약 가격이 안정화하고 심지어 오르기도 했다"고 분석했다. 아울러 "SK그룹(SK하이닉스와 솔리다임)과 WDC 등은 소비자 가전 분야에서 새로운 물결을 탔다”며 “반면 키옥시아는 미국 스마트폰 브랜드의 주문 지연으로 인해 출하량이 감소했다"고 설명했다. 한편 KB증권이 이날 SK하이닉스에 대해 "올해 4분기부터 실적이 개선될 전망"이라며 목표주가 16만 원을 유지했다. 내년 영업이익으로는 지난 2021년 이후 최대 실적인 7조 6000억 원을 기록할 것으로 내다봤다. 김동원 KB증권 연구원은 "현시점은 고대역폭 메모리(HBM)와 DDR5 부문에서 선두 업체로서 기술과 원가 경쟁력을 기반으로 D램 미래 성장판이 열리는 시기"라고 설명했다. 그러면서 "올해 4분기부터 내년 4분기까지 우상향의 실적 개선 추세를 나타낼 전망"이라며 "1위와 D램 점유율 격차 축소, 업계 최고 수익성 시현(4분기 추정 D램 영업이익률 27.2%) 등이 예상돼 향후 실적과 주가의 상승 구간 진입이 예상된다"고 덧붙였다.
- 산업
2023-12-06 09:58:00
SK하이닉스, AI 열풍으로 D램 시장 점유율 사상 최고치

SK하이닉스가 인공지능(AI) 열풍으로 올해 3분기 기준 D램(DRAM) 시장의 35%를 점유해 사상 최고치를 기록했다고 기술 전문매체 톰스하드웨어가 26일(현지시간) 보도했다. 시장 조사업체 오미다(Omida)는 SK하이닉스는 AI 하드웨어에 대한 수요 증가에 힘입어 업계에서 큰 성장을 이루었다고 보고했다. AI 하드웨어는 상대적으로 많은 메모리를 사용하기 때문에 D램 산업 전반에 큰 성장세가 관찰되고 있다. 특히 SK하이닉스는 이러한 새로운 환경에서 특히 두각을 나타내며 시장 점유율에서 사상 최고치를 기록했다고 평가했다. 데이터 센터용 GPU는 AI 모델 학습 및 관련 작업에 사용되는데, 이러한 장치들은 이전보다 더 많은 VRAM(비디오 RAM은 그래픽 데이터를 저장하는 데 사용되는 특수한 유형의 메모리)을 탑재하고 있다. 예를 들어, AMD의 2020년 라데온 인스팅트 MI100은 32GB의 HBM2를, 2021년 MI200은 64GB의 HBM2e를 탑재했으며, 최신 MI300X는 192GB의 HBM3를 제공한다. 엔비디아(Nvidia)의 최신 플래그십 H200도 141GB의 HBM3e를 탑재하고 있다. 이러한 칩들은 모두 고대역폭 메모리(HBM)를 사용하기 때문에, HBM 부시장이 52%라는 높은 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 이는 전체 D램 시장의 21% 성장률을 크게 앞서고 있다. AI 칩에 대한 수요로 인한 빠른 성장은 시장에 변화를 가져왔다. HBM(High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리)는 그래픽 처리와 같은 고성능 컴퓨팅 작업에 사용되는 최신 메모리 기술이다. HBM은 기존 D램(Dynamic Ramdom Access Memory, 동적 랜덤 접근 메모리, 용량이 크고 바끄기 때문에 커뮤터의 주력 메모리로 사용되는 램을 의미함)과 다르게 설계되어 대역폭이 더 높고 에너지 효율성도 높다. HBM은 고해상도 비디오 게임, AI 모델 학습, 고성능컴퓨팅과 같은 메모리 대역폭이 중요한 응용프로그램에서 주로 사용된다. SK하이닉스의 최근 성장은 주로 HBM 덕분인 것으로 보인다. 현재 HBM은 D램 수익의 10%를 차지하지만, SK하이닉스는 지난 4월 이미 HBM 시장의 50%를 점유하고 있었다고 트렌드포스(Trendforce)는 밝혔다. 그 이후 HBM 시장은 계속 성장하고 있으며, SK하이닉스의 시장 점유율 역시 더 늘어났을 가능성이 있다. 오미다의 데이터에 따르면, SK하이닉스는 삼성과 마이크론과 같은 다른 주요 RAM 제조업체와 비교해 어떤 위치에 있는지는 구체적으로 밝히지 않았지만 SK하이닉스가 2위를 차지하고 있을 것으로 추정했다. 트렌드포스에 따르면, 삼성은 3월 기준 D램 시장의 45%, HBM 시장의 40%를 차지하고 있었으며, 적어도 10% 이상 뒤처지지는 않았을 것으로 보인다고 톰스하드웨어는 전했다. 업계에서는 삼성은 몇 년 동안 가장 큰 메모리 제조업체로 자리매김했지만, AI 시장의 변화로 새로운 리더가 탄생할 수 있다고 전망했다.
- IT/바이오
2023-11-27 09:21:00
이스라엘-하마스 전쟁이 세계 반도체 시장에 미치는 영향

이스라엘과 이슬람 무장 정파 하마스 간의 전쟁으로, 가자 지구의 현재 긴장 상황이 세계 반도체 시장에 중대한 영향을 미칠 수 있다고 이스라엘의 예디오스 아로노스(Yedioth Ahronoth) 신문이 보도했다. 이스라엘은 전 세계적으로 반도체와 기술 분야에서 중추적인 역할을 하는 국가 중 하나로, 이러한 충돌은 이스라엘의 기술 산업에 큰 영향을 주고 있다. 세계적인 반도체 기업 인텔(Intel)은 이스라엘 내에서 반도체 제조 시설을 운영하고 있으며, 이스라엘은 인텔의 글로벌 연구 및 생산 활동의 중심지 중 하나로 자리 잡고 있다. 인텔은 약 50년 동안 이스라엘에서 반도체를 생산해왔다. 그러나 인텔의 주요 생산 시설 중 하나가 이스라엘과 가자 지구 간의 국경에 가까운 키르야트 가트에 위치하고 있으며, 하마스의 공격 대상 기업이었다. 이로 인해 인텔과 다른 반도체 관련 기업들은 공장 시설과 생산 일정에 대해 우려를 표하고 있다. 이는 반도체 공급망에도 영향을 미칠 것으로 보인다. 인공지능(AI)과 기계 학습 칩 개발을 주도하는 엔비디아(Nvidia)도 이스라엘의 전쟁에 영향을 받고 있다. 이스라엘 요크님(Yokneam)에 있는 엔비디아의 연구 개발 센터는 현재 예비군 모집과 생산 지연 등으로 인해 기술 개발 일정이 흔들리고 있다는 보고가 나오고 있다. 또한, 구글(Google)과 아마존(Amazon) 등 글로벌 기술 기업도 이스라엘에 본사를 두고 기술과 연구 개발 활동을 진행하고 있다. 예디오스 아르노스에 따르면, 현지 직원들 중 일부가 예비군으로 소집되면서 생산 일정에 차질이 생기고 있다. 이 매체는 전쟁은 이스라엘 내 기술 제품 개발 일정에도 지연을 초래할 가능성이 크다며 제품의 개발 일정이 출시 예정일보다 몇 년 앞서 계획되어 있기 때문에, 일정이 조금만 지연돼도 기업의 전략에 큰 영향을 줄 수 있을 것이라고 전했다. 이스라엘-하마스 간의 전쟁은 한국의 반도체 산업에도 영향을 미칠 것으로 보인다. 한국은 이스라엘로부터 고급 반도체를 주로 수입하고 있다. 이스라엘의 전쟁으로 인해 첨단 반도체의 수입을 감소시키거나 가격을 상승시킬 경우, 한국의 반도체 기업은 원가 증가와 생산 과정에서 차질을 겪을 수 있다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국의 주요 반도체 기업들은 이스라엘로부터 대량의 첨단 반도체를 수입하고 있다. 예를 들어, 삼성전자는 이스라엘의 마이크론(Israel Micron)과 텔레다인(Teledyne)으로부터 NAND(낸드) 플래시 메모리와 이미지 센서 등을 수입하고 있다. 또 SK하이닉스는 히다치 글로벌 스토리 테크놀로지(Hitachi GST)로부터 하드 디스크 드라이브용 NAND 플래시 메모리를 수입하고 있다. 이스라엘의 전쟁 상황으로 이들 반도체 수입에 차질이 생길 경우, 삼성전자와 SK하이닉스 등의 생산 비용이 상승하는 등 국내 반도체 생산도 타격을 받을 것으로 예상된다. 우리나라 정부는 이스라엘과 하마스의 전쟁이 국내 반도체 산업에 미칠 영향을 줄이기 위한 대책을 세우고 있다. 정부는 다른 국가에서 반도체를 수입할 방안을 모색하며, 반도체 산업의 공급망을 안정화시키기 위한 방안을 마련하고 있다. 업계 측에서는 이스라엘과의 전쟁이 장기화되지 않길 희망하고 있다. 만약 전쟁이 오래 지속될 경우, 세계 반도체 시장에 큰 불확실성이 생겨나고, 이로 인해 한국의 반도체 산업도 심각한 타격을 입을 것으로 전망하고 있다.
- 산업
2023-10-27 09:10:00
무디스 "기후변화, 인도 '칩 드림' 변수 될 것"

전 세계가 기후변화로 몸살을 앓고 있다. 유럽은 더위와 싸워야 했으며, 미국과 아시아는 갑작스러운 폭우와 태풍으로 인해 수많은 사람이 삶의 터전을 잃었다. 이러한 기후변화는 반도체 칩 생산 계획에도 영향을 미칠 것으로 예상된다. 인도 매체 인디언 익스프레스(Indian EXPRESS)는 국제 신용평가사 무디스의 보고서를 인용하여, 인도 내 반도체 제조 생태계의 구축이 기후변화로 어려움을 겪을 수 있다고 보도했다. 무디스의 위험 관리 솔루션에 따르면 인도는 2050년까지 홍수로 인한 비용이 약 30%, 물 부족으로 인한 스트레스가 35%, 해수면 상승이 60%, 고온 스트레스가 150% 증가할 것으로 예상된다. 인도가 반도체 자급을 촉진하는 정책을 추진함에 따라 홍수로 인한 위험이 전반적으로 두 배로 증가할 가능성에 직면하게 될 것이다. 인도가 반도체 자급자족을 장려하는 정책을 시작하면서 금세기 중반까지 홍수로 인한 위험이 전반적으로 두 배로 증가할 상황에 직면했음을 지적한 것. 불규칙한 날씨 패턴 현재 인도의 기후는 변덕스럽다. 올해 2월에는 한 세기 동안 가장 덥다고 기록되었고, 3월에는 평년보다 26% 더 많은 비가 내렸다. 반면 8월에는 1901년 이후로 가장 건조한 달로 기록되었다. 반도체는 컴퓨터부터 자동차, 비행기, 철도에 이르기까지 다양한 분야에서 필수적인 원자재로 공급이 중단되면 여러 산업 분야의 생산이 멈출 수 있다. 서방 국가들이 중국과의 관계를 재조정하는 상황에서 인도는 전자 제조 분야에서 '신뢰할 수 있는' 대안으로 각광받고 있다. 뉴델리 정부는 칩 제조를 미래 경제 성장의 주요 엔진으로 보고, 마이크론 테크놀로지가 약 3조 7262억원 규모의 패키징 공장 건설을 진행 중이다. 무디스에 따르면, 10나노미터 이하의 반도체를 제조할 능력이 90% 이상 집중되어 있는 대만의 칩 제조 공장은 앞으로 20~30년 동안 기후 위험으로 인한 비용이 크게 증가할 것으로 예상된다. 기후변화로 비즈니스 위기 기후 변화는 비즈니스에 커다란 위험 요소로 다가오고 있다. 인디언 익스프레스에 따르면, 많은 인도 기업들 특히 농촌 지역의 성장에 의존하는 기업들이 기후 변화를 앞으로의 주요 비즈니스 위험으로 보고 있다. 힌두스탄 유니레버의 CFO 리테쉬 티와리는 "기후가 여전히 불안정하며, 회사는 장마와 기타 기후 관련 위험으로부터 영향을 받을 수 있다"고 언급했다. 네슬레 인디아의 회장 겸 CEO 수레쉬 나라야난은 "몬순 부족과 엘니뇨 현상이 농촌 지역의 수요에 영향을 줄 수 있다"고 지적했다. 네슬레 인디아의 농촌 지역 매출은 전체 매출의 20~25%를 차지하고 있으며 힌두스탄 유니레버의 경우 이 비율이 40%에 이른다. 또한, 인도의 주요 자동차 제조사들은 이미 불규칙한 강수량 때문에 판매에 부정적인 영향을 받았다. 일부 지역에서는 이러한 기후 변화가 판매에 직접적인 영향을 미치고 있다는 것이 확인됐다. 마하라슈트라 주가 현재 인도의 자동차 판매를 주도하고 있지만, 케랄라 주의 한 디젤 자동차 회사는 지난 몇 년 동안 잦은 홍수, 고무 가격의 하락, 그리고 걸프 지역의 경제 침체로 인해 많은 어려움을 겪고 있다. 인도 최대 자동차 제조 회사인 마루티 스즈키 인디아의 경영진도 홍수가 소비자의 구매 행동에 큰 영향을 미치는 주요 요인 중 하나라고 인정하고 있다. 한국, 산업 위축과 부가가치 감소에 영향 한편, 한국은행은 최근 발표한 'BOK 이슈노트'에서 기후 변화가 한국 산업의 축소와 부가가치 감소에 기여하고 있다고 지적했다. 이 보고서에 따르면, 온실가스 감축 노력이 부족할 경우 기후 변화로 인해 전 세계 GDP는 2100년까지 3.8~8.9% 감소할 것으로 예상된다. 특히 수출에 의존하는 한국의 주요 산업 부문은 큰 타격을 입을 것으로 보인다. 예를 들어, 자동차 산업의 수출은 11.623.9%, 정유 산업은 9.719.1%, 화학 산업은 7.615.7%, 그리고 철강 산업은 7.215.6% 감소할 것으로 예상된다. 또한, 기후 변화로 인해 전 세계 농축산물 공급이 줄어들 경우, 한국의 여러 산업 분야에서도 부가가치가 감소할 것으로 예측된다. 이에 따라 음식료품 제조업은 6.118.2%, 음식 서비스업은 10.217.9%, 그리고 자동차, 정유, 화학 산업 등에서도 각각 6.613.6%, 5.811.6%, 5.0~10.2%의 부가가치 감소할 것으로 전망된다.
- 산업
2023-10-15 07:24:00