삼성전자가 2025년 2분기 실적 발표를 통해 최신 고대역폭 메모리(HBM3E)의 판매 비중을 80%까지 확대하고, 차세대 제품인 HBM4 샘플을 고객사에 공급했다고 31일 밝혔다. 

2분기 반도체 부문 매출은 27조9000억 원, 영업이익은 4000억 원으로 집계됐으며, 메모리 부문에서 3조 원대 흑자를 기록한 반면 시스템LSI와 파운드리는 2조 원대 적자가 발생한 것으로 추정된다. 

삼성전자는 하반기부터 HBM3E 비중을 90% 이상으로 확대하고, 미국 테슬라의 차세대 자율주행칩을 2나노 공정으로 생산할 계획이다. 한미 관세협상 타결로 불확실성 해소에 대한 기대도 함께 내비쳤다.

[미니해설] HBM3E 비중 80% 돌파…HBM4 샘플 출하한 삼성전자, 차세대 메모리 패권 향해 전진

삼성전자가 31일, 2025년 2분기 실적 발표를 통해 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서의 확고한 행보를 다시 한 번 확인시켰다. 특히 최신 제품인 HBM3E의 판매 비중을 전체 HBM 출하량 중 80% 이상으로 확대했으며, 차세대 기술로 꼽히는 HBM4의 고객사 샘플 출하도 개시하면서 기술 리더십 강화에 나섰다.

2분기 메모리 판매는 전 분기 대비 비트 기준으로 약 30% 증가했다. 삼성전자는 하반기에는 HBM3E 판매 비중을 90% 후반까지 끌어올릴 계획이며, 고용량 DDR5 제품 확대와 함께 AI 데이터센터 및 고성능 컴퓨팅 수요 증가에 적극 대응하겠다는 전략을 내놨다.

메모리 영업 이익↑⋯시스템LSI·파운드리, 2조원대 적자

실적 면에서는 다소 엇갈린 결과가 나왔다. 반도체를 담당하는 DS(디바이스솔루션) 부문은 매출 27조9000억 원, 영업이익 4000억 원을 기록했지만, 지난해 동기 대비로는 6조 원 이상 줄어들었다. 이는 낸드플래시 시장 부진, 파운드리 사업 적자 누적, 재고자산 평가손실 등 일회성 요인이 크게 작용한 결과다.

증권가는 메모리 부문에서 3조 원대 영업이익을 거둔 반면, 시스템LSI 및 파운드리 사업에서는 2조 원 후반대 적자를 본 것으로 분석하고 있다. 그러나 HBM3E, DDR5 등 수익성이 높은 제품 비중이 늘면서 메모리 부문은 일정 부분 반등에 성공했다는 평가다.

한편 삼성전자는 차세대 제품인 HBM4와 관련해 "1c 나노 공정 개발을 마치고 주요 고객사에 샘플 출하를 완료했다"고 밝혔다. 하이브리드 카파 본딩(HCB) 등 차세대 적층 기술 적용 논의도 고객사와 진행 중이다. 하지만 HBM 경쟁 심화로 공급 증가 속도가 수요를 앞지르면서 단기 가격 하락 압력도 동시에 언급됐다.

가격 변동성에 대응하기 위해 제품 믹스 조절을 통한 수익성 최적화 전략도 병행된다. 삼성전자는 "HBM3E 중심의 제품 포트폴리오를 강화하는 동시에, HBM4의 조기 상용화를 위한 고객 협력에 속도를 내고 있다"고 강조했다.

파운드리, 테슬라 AI6 수주로 2나노 본격화

비메모리 사업에서는 부진을 면치 못했지만, 테슬라와의 대규모 계약 체결로 돌파구를 마련했다. 삼성전자는 최근 22조8000억 원 규모의 테슬라 자율주행용 칩 'AI6' 생산 계약을 체결했으며, 내년부터 미국 텍사스 테일러 공장에서 2나노 공정 기반 생산을 시작할 예정이다.

2나노 기술은 올해 하반기부터 모바일용 엑시노스 2600 양산을 통해 본격 상용화될 예정이며, 내년 갤럭시 S26 시리즈에 탑재될 가능성이 높은 것으로 전망된다. 삼성전자는 "선단 공정 기술 경쟁력 강화에 집중하고 있으며, 대형 고객사 확보에 주력하겠다"고 밝혔다.

관세협상 타결로 '불확실성 완화' 기대

이날 실적발표에서는 한미 간 관세 협상 타결에 대한 평가도 언급됐다. 

박순철 삼성전자 CFO는 "불확실성이 줄어든 것으로 판단한다”며 “세부 조치에 대한 한미 양국 간 후속 논의를 주시하고 있다"고 말했다.

또한 미국 상무부의 무역확장법 232조 반도체 조사 결과에 대해서도 "스마트폰 등 완제품까지 포함돼 영향이 클 수 있다"며 "다각적인 리스크 분석과 대응 방안을 마련 중"이라고 설명했다.